三星半导体业务现状与挑战 - 公司在HBM和晶圆代工领域落后，DRAM市场份额被SK海力士反超，晶圆代工与台积电差距扩大[1] - 竞争对手美光通过HBM技术突破对三星形成压力[1] - 2023年因客户退出先进制程导致晶圆代工开工率下降，亏损达4万亿韩元[4] 晶圆代工战略调整 - 1.4nm量产计划从2027年推迟至2029年，比台积电晚1年[4] - 将资源聚焦于2nm工艺（SF2）的稳定化，2028年前完成SF2P（第二代）和SF2X（第三代）开发[4] - 优先提升4nm/5nm/8nm等成熟工艺的运营率以改善盈利，联合Telechips、Rebellion等合作伙伴开发设计资产(IP)[5] - 历史性成果包括2016年全球首推10nm、2022年领先台积电量产3nm，但工艺完善度评价仍落后[5] HBM领域突破进展 - 副董事长全永铉近期两度访问英伟达，推进HBM3E 12层芯片供应谈判，目标切入Blackwell Ultra供应链[7] - 基于1a制程的HBM3E 12层已通过AMD MI350X验证，性能超预期[7] - 英伟达Blackwell Ultra初始订单由SK海力士和美光包揽，但2026年长期供应合同尚未确定[8][10] - HBM3E 12层ASP比8层高60%，三星加入可能引发供应商价格竞争[10] HBM4技术布局 - 三星计划7-8月交付HBM4样品，采用第六代1c技术，区别于SK海力士/美光的第五代1b技术[10][11] - 管理层强调HBM3E 12层将在2024年下半年取得市场主导地位[11] - 英伟达推迟HBM4决策以评估三星样品，该技术将用于2025年底量产的Vera Rubin芯片[10] 行业竞争格局影响 - 三星潜在加入HBM3E供应链可能削弱SK海力士和美光的议价能力[10] - 公司技术路线调整被视为从"争夺第一"转向务实提升代工业务竞争力[5]