文章核心观点 3D NAND闪存技术凭借堆叠设计提升存储密度与容量、降低生产成本，成为存储行业主流，但随着层数增加面临蚀刻技术挑战，各厂商不断研发创新蚀刻技术，未来蚀刻技术持续创新是推动行业进步关键，市场规模有望持续增长 [1][5][7][42] 3D NAND时代，蚀刻技术成为焦点 - NAND闪存是非易失性存储，适用于多种领域，NAND单元架构1987年提出，1988年采用FN隧道技术实现低功耗运行，2007年3D NAND技术问世并成为主流 [3] - 2014年3D NAND芯片有24层，NAND技术从2D过渡到3D，单位比特密度提高超100万倍 [4][5] - 市场需求和AI浪潮下，增加3D NAND密度使架构扩展面临挑战，蚀刻技术迎来新发展阶段和难题 [7][8] - 传统RIE蚀刻技术存在蚀刻速度慢、精度不高、工艺稳定性不足等问题，促使研究人员探索高效精确蚀刻技术 [8][10] - 3D NAND市场向更高层数发展，制造商需扩大密度和容量并控制成本，沟道通孔制作是关键步骤，面临高深宽比蚀刻等挑战 [11][12][13] 3D NAND蚀刻，竞争加剧 - 泛林集团在NAND蚀刻设备领域领先，为大厂提供专用蚀刻方案，超1亿片NAND晶圆内存通道由其介电蚀刻机创建 [19] - 泛林集团推出第三代低温电介质蚀刻技术Lam Cryo 3.0，可解决1000层3D NAND蚀刻挑战，蚀刻速度提高2.5倍，能耗降低40%，排放量减少90% [20][22] - 科研团队开发基于氢氟酸等离子体的新型蚀刻方案，蚀刻速度从每分钟310纳米提高到640纳米，通过优化参数提升蚀刻质量 [25][26] - TEL推出低温蚀刻技术用于超400层3D NAND，蚀刻速度快2.5倍，碳足迹减少超80%，功耗降低40%以上，预计2026年大批量生产 [33][35][38] - 应用材料公司在3D NAND蚀刻设备研发有深厚技术积累，提供多种先进蚀刻解决方案 [38] 3D NAND迈入千层时代，蚀刻技术挑战重重 - 铠侠计划2026年量产第10代NAND并采用低温蚀刻技术，加工速度比传统电浆蚀刻法提升约4倍，三星也在评估该技术 [39] - 3D NAND蚀刻技术面临蚀刻速率、轮廓一致性、多层结构可靠性、成本控制和环保等挑战 [40] 写在最后 - 三星、铠侠等大厂计划开发1000层3D NAND闪存，蚀刻技术需进一步提升以应对挑战，2029年全球半导体蚀刻设备市场规模预计达287.3亿美元，年复合增长率5.3% [42]