文章核心观点 - 全球三大存储半导体公司（三星电子、SK海力士、美光）围绕HBM4的量产与供应竞争激烈，但最终供应链格局将主要受其关键客户英伟达的供需策略影响，英伟达可能为保障供应稳定性而放宽对HBM4的性能要求 [1][6][7] HBM4量产竞争现状 - 三星电子于12日率先宣布HBM4实现量产，其产品运行速度达11.7 Gbps，比8 Gbps的行业标准快约46%，比其前代HBM3E的最高速度9.6 Gbps提高约1.22倍 [1][2][6] - SK海力士声称是业内唯一能同时稳定供应HBM3E和HBM4的公司，并已于去年9月建立批量生产体系，计划本月向英伟达交付HBM4产品 [2][3] - 美光科技宣布HBM4已量产并开始向客户发货，时间点比去年年底财报中的预期提前了约一个季度 [3] HBM4当前生产的实质与挑战 - 三大存储公司当前所谓的“大规模生产”实质是“风险生产”，即在客户（英伟达）完成正式认证和下达采购订单前，抢先投入量产以确保产品能及时交付 [4][5] - 正式的采购订单预计在英伟达于第一季度末完成质量测试后发布，HBM4的实际出货量预计要到今年下半年才会真正开始扩大 [5] - 仅HBM核心芯片的量产就需要四个月时间才能最终交付给客户 [4] 英伟达的供应策略与行业关注点 - 行业关注焦点在于英伟达的HBM供应策略，该策略需在性能和供应稳定性之间取得平衡 [1][6][7] - 若英伟达坚持要求11.7Gbps的性能，将难以获得足够的HBM4满足其“Rubin”AI加速器的量产需求，原因在于主要供应商存在产能与良率限制 [6][7] - 三星电子采用领先一代的1c DRAM，但其本月良率估计约为60%，且1c DRAM截至去年年底的月产能仅为6万至7万颗，无法满足英伟达全部需求 [6][7] - SK海力士虽获得了英伟达最大的HBM4配额（约占60%市场份额），但其HBM4在初步可靠性评估中难以达到11Gbps的性能 [7] - 行业预期英伟达为确保供需稳定，几乎肯定会放宽HBM4性能要求，可能同时供应11.7Gbps和10.6Gbps等不同档次的产品 [7] HBM4技术规格与供应商技术优势 - HBM4是下一代HBM内存，拥有2048个I/O，数据传输通道数量是上一代的两倍，将安装在英伟达计划今年发布的“Rubin”AI加速器中 [2] - 三星电子在HBM4中采用了1c（第六代10nm级）DRAM，并采用最先进的4nm工艺制造控制芯片，在研发速度和性能上相对于竞争对手有优势 [1][6]