数据中心供电架构演进路径 - 数据中心供电架构正朝着极简化、集成化方向演进，基本按照UPS-HVDC-SST路径演化 [4] - 维谛技术预测2026-2027年将逐步启用Sidecar供电模式（单独边柜集成Powershelf/BBU/超级电容），2030年后启用SST架构 [4] - 科华数据提出2028年全球超算中心中800V HVDC渗透率有望达30% [2] 新型供电技术效率对比 - SST架构全链路效率达91.2%，远超当前UPS架构的85.8% [6] - 800V HVDC方案端到端效率达95-98%，较传统架构提升5% [11] - 国内市电直供+HVDC架构效率为88.1%，海外Powershelf架构效率为89.4% [6] 800V HVDC技术优势与挑战 - 铜材用量减少45%，机房占地面积缩减40%，年均运维成本下降30% [11] - 初始成本比传统UPS高20-30%，且行业统一标准尚未明确 [11] - 需电网到芯片全产业链协同推动规模化应用 [11] GPU功率波动解决方案 - DC侧可通过超级电容shelf补偿瞬时波动 [3] - AC侧高压端采用125kw PCS柜补偿可使主网负载波动平滑 [28][30] - 低压端通过增加PSU内部电容体积（如GB300中电容占比50%）可降低电网峰值功率需求30% [30][33] 全集成电源技术突破 - FIVR技术将供电模块集成至芯片内部，实现纳秒级动态响应（传统为微秒级） [33][36] - 电源面积和厚度仅为传统方案的1/30和1/20 [33] - 对电感尺寸和性能提出极高要求，是无源器件集成的技术瓶颈 [22][33] 极简UPS技术特性 - 科士达新型UPS取消AC/DC整流部分，支持0ms切换、谐波补偿及储备合一 [15] - 具备主路模式、储能模式、联合供电模式三种工作模式 [15][17] - 支持更高过载能力并提升IT算力产出效率 [15] 电源技术升级焦点 - 功率器件材料从Si IGBT转向SiC mosfet，谐振电感采用共用磁芯设计 [18] - 拓扑结构从四电平简化为三电平（I型/T型），I型适合Si器件，T型适合SiC器件 [18][20] - 新增自主寻优、绿电消纳等智能功能 [18]