瑞萨收购Transphorm后的GaN战略布局 - 公司于2024年年中完成对氮化镓（GaN）电力半导体供应商Transphorm的收购，整合其技术以强化电源解决方案[1] - 通过交钥匙设计使客户能快速受益于GaN产品，同时强调可持续能源节省和环保目标[1] GaN技术路线与市场定位 - 公司突破传统认知，证明GaN可覆盖6KW-12KW高功率应用（如电动汽车马达驱动、OBC充电），而不仅限于中低功率[2] - 在1200V以下电压范围，GaN相比SiC具有成本优势（SiC晶圆加工需类似钻石工艺）[2] - 采用D-Mode GaN技术路线，通过共源共栅配置实现常关状态，性能优于E-Mode[3][5] D-Mode GaN的核心优势 - 无P-GaN结构，门栅电压与普通MOS管一致，且无dynamic Rds(on)，内阻稳定性更佳[5] - 无体二极管设计，全桥/半桥效率达99%（SiC最高仅98.6%）[5] - 同功率下器件数量仅为E-Mode一半，高温可靠性更高，兼容普通封装且功耗更低[7] - 外延片自主生产及专利控制（"用MOS管控制D-Mode GaN"技术独家持有20年）[6] 第四代半GaN新品发布 - 推出基于SuperGaN平台的650V GaN FET系列（TP65H030G4PRS/WS/QS），采用硅FET输入级，兼容标准栅极驱动器[9] - 性能提升：导通电阻（RDS(on)）降至30mΩ（降低14%），FOM提升20%，芯片尺寸缩小[10] - 封装覆盖TOLT/TO-247/TOLL，支持1KW-10KW功率系统，优化散热与并联需求[11] 应用场景与未来规划 - 新品瞄准AI服务器（2KW-7.5KW）、800V高压直流架构、电动汽车充电、太阳能逆变器等市场[10][11] - 计划推出22mΩ器件专攻6.6KW-7.5KW AI服务器，未来拓展1200V产品线[10][12] - 已交付超2000万个GaN器件（累计运行3000亿小时），配套提供MCU、BMS等全方案降低客户门槛[12]