公司融资与背景 - 原集微科技连续完成数千万元种子及Pre-天使轮融资，由中科创星、复容投资孵化并连续投资，司南园科等机构共同出资，融资资金将用于快速推进产业化 [2] - 公司成立于2025年，由复旦大学微电子学院包文中教授依托其在半导体领域十余年研究成果创办，致力于研发制造超越摩尔极限的原子级芯片和异质集成技术 [5] - 团队集结了国内顶尖高校的10余位正高级教授/研究员、20余位国家级领军人才，深耕二维半导体晶圆集成工艺和器件制备十余年 [5] 技术优势与突破 - 二维半导体材料凭借"原子级厚度"优势在降低漏电、控制功耗、减少工艺步骤、降低制造成本等方面具有显著优势，是延续摩尔定律的关键材料之一 [3] - 公司拥有多项世界领先级成果，如首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器"无极"，实现从材料、架构到流片的全链条自主研发 [5] - 团队研制出全球第一颗基于二维半导体材料的处理器和全球最快写入速度的半导体电荷存储级闪存器件 [7] 行业趋势与定位 - 全球半导体巨头如台积电、三星、英特尔等已将二维半导体列为3-5纳米节点后硅基替代方案，欧洲微电子中心(IMEC)将其明确为1纳米及以下节点的重要材料体系 [3] - 二维半导体集成电路能以较低加工难度实现与硅基先进制程类似性能，工艺步骤大幅精简，制造成本数量级降低 [5] - 公司技术通过材料创新实现"工艺降维打击"，颠覆传统"制程微缩=性能提升"技术范式，在全球范围内实现二维逻辑芯片最大规模验证纪录 [6] 发展路径与规划 - 公司按照"实验室验证—中试线—量产"路径稳步推进，将深化与现有硅基生产制造线融合，推动技术从实验室走向产业化 [5] - 团队具备完整的二维材料生长、工艺调控、晶圆集成、器件制造、开发工具、电路设计、流片和测试能力，技术跻身国际领先水平 [7] - 与全球领先半导体公司、研究中心建立行业合作与联盟，致力于从实验室走向市场应用 [7]

半导体技术突破 - 加州大学圣巴巴拉分校(UCSB)团队利用二维(2D)半导体技术开发出新型三维(3D)晶体管NXFET，通道长度可缩小至5nm以下，显著提升性能和能效 [1][3][5] - 该技术通过将原子厚度的2D材料(如二硫化钨WS₂)横向堆叠成"纳米板"结构，集成密度提高十倍，同时降低器件电容和功耗 [3][5] - 3D栅极环绕(GAA)架构克服了传统硅基Fin-FET在10nm以下的短沟道效应限制，解决了亚阈值漏电流和开关不良问题 [2][3] 技术优势与验证 - 量子传输模拟工具(QTX)和密度泛函理论验证：2D半导体3D-FET在驱动电流和能量延迟积等指标上优于硅基3D-FET [7][8] - 纳米板FET架构充分发挥2D材料的量子力学特性，实现等性能指标下的微型化突破 [5][7] - 研究提供了从材料设计到制造集成的完整技术蓝图，支持摩尔定律延续 [8] 应用前景 - 技术适用于边缘AI、柔性电子和物联网超低功耗设备等新兴领域 [8] - UCSB计划深化产业合作加速技术商业化，并进一步优化模型以纳入缺陷散射等实际因素 [8] - 该突破巩固了加州大学圣巴巴拉分校在先进半导体研究领域的领导地位 [8]