存储器市场涨价潮蔓延至成熟产品 - 存储器市场的涨价潮尚未结束，压力正从高端HBM、DDR5向DDR4、SLC NAND等成熟产品蔓延[1] - 摩根士丹利预测，2026年第三季度DDR4等成熟DRAM价格可能上涨50%，第四季度仍将上涨10%以上[1] - SLC NAND涨幅更激进，预计2026年第三、第四季度均可能上涨50%以上[1] - AI数据中心持续抢夺HBM和高容量DDR5产能，导致原本被认为退出主流的DDR4因供给收缩成为“稀缺资源”[1] DDR4供应紧张源于供给端主动收缩 - 核心原因并非需求爆发，而是供给端主动收缩[2] - 三星、SK海力士、美光等厂商将有限晶圆产能转向HBM、DDR5及更高层数3D NAND[2] - AI服务器需求爆发后，HBM成为争夺最激烈的产品，DDR5随AI服务器和新PC平台普及增长[2] - 新增产能需优先满足HBM和高端服务器DRAM，DDR4获得的晶圆资源越来越少[2] - 此前市场预计DDR4价格上涨10%至20%，如今预期已提高到第三季度上涨50%左右，供给收缩速度超出判断[3] HBM吞噬大量DRAM产能 - HBM通过TSV、堆叠等技术集成多层DRAM Die，需更大外围电路和冗余设计，生产相同容量消耗更多DRAM晶圆[5] - 英伟达等AI平台持续放量，UBS预计2027年全球HBM需求约580亿Gb，最新预测进一步提高至约615亿Gb[5] - 英伟达一家预计消耗约251亿Gb，占全球需求四成左右[5] - AI算力增长以“吃晶圆”方式影响存储器产业，GPU需大量HBM，HBM在DRAM产业占比持续提升，挤压传统DRAM生产资源[5] - 存储器市场出现产品结构迁移：晶圆从DDR4迁移到DDR5，再从DDR5进一步迁移到HBM，NAND也从传统产品向更高层数、更高容量升级[6] DDR5价格未回落 - 8月份DDR5-5600/6400 24GB现货价格环比上涨约8%，同比涨幅达约483%[8] - 2025年中期24GB DDR5产品价格约8美元，目前接近47美元[8] - DDR5仍处于供应紧张状态，部分DDR5套装过去一年价格涨幅达数倍，高容量产品价格已达历史低点数倍[8] - DDR4因供应端退出而涨价，DDR5受需求增长和供给结构调整双重影响涨价，HBM因AI需求爆发成为最抢产能产品[8] - 三者形成相互关联的存储器价格链条[9] 成熟存储器成为战略资源 - 成熟存储器正从低价值产品变成稀缺资源[10] - 供应商主动减少DDR4产能，下游设备无法短期内完成全面升级，DDR4形成供给缺口[10] - 工业、汽车、网络设备、消费电子及部分服务器领域产品生命周期长于PC平台，DDR4仍是刚需[11] - 只要主要存储厂商继续将晶圆资源向HBM和高端DDR5倾斜，DDR4供应紧张难以快速缓解[11] - SLC NAND面临类似情况，NAND厂商向高层数3D NAND和高容量产品迁移，成熟产品产能空间被压缩[11] - 摩根士丹利预计SLC NAND在2026年第三、第四季度可能出现50%以上价格上涨[11] - AI通过“产能迁移”路径，将涨价压力从HBM传导到DDR5、DDR4和SLC NAND，形成存储器超级周期[11]