DRAM价格大幅上涨 - 2025年11-12月DRAM指标产品大宗交易价格比同年9月上涨40% [2] - 2025年11-12月DRAM指标产品大宗交易价格比2024年12月涨幅超过3倍 [2][6] - 2025年10月因供不应求出现无法形成大宗交易价格的罕见事态 [4] 价格上涨原因与供应结构 - 三大DRAM厂商（三星电子、SK海力士、美光科技）优先向AI服务器供货，导致PC等民生领域产品供应不足 [2][5] - 三大厂商停止或缩减DDR4生产，转向加强DDR5及用于AI服务器的高带宽存储器（HBM）生产 [5] - DDR4供应主要由台湾南亚科技等公司承担，但未能完全满足需求 [5] - 有观点指出“波及指标品以外的空前的半导体存储器泡沫已经到来” [4] 具体价格数据 - 2025年11-12月DDR4 8GB大宗交易价格约为6.36美元 [6] - 2025年11-12月DDR4 4GB大宗交易价格约为4.84美元 [6] - DDR5及DDR3在2025年10-12月价格分别比前一季度上涨40%-200%及200%-400% [4] 对终端市场的影响 - DRAM价格上涨导致部分PC等终端产品面临涨价 [2][8] - 日本Mouse Computer公司从2025年1月开始陆续提高产品价格 [8] - 日本惠普表示其产品受DRAM价格上涨影响，未来新产品存在涨价可能性 [8] - IDC预测在悲观情景下，2026年PC供货量可能同比减少8.9% [8] - 智能手机低价机型明显受到DRAM（特别是LPDDR）价格上涨影响 [8] - AI市场扩大正在对身边产品的供给和价格产生影响 [8]

存储现货市场整体态势 - 行业面临价格高涨与需求疲软的矛盾局面 DRAM方面因DDR4/DDR5价格涨幅过大导致工厂采购停滞 现货交易清淡 但供应短缺支撑报价维持高位 NAND Flash方面现货价格持续上调 但高价位和消费需求疲软导致部分买家观望 市场成交量平淡 [1] - 供应商对后市价格持乐观态度 在NAND Flash市场 现货供应商未选择让价出货 [4] DRAM现货市场详情 - DDR4及部分DDR5因价格涨幅过大、成本转嫁困难 导致工厂暂停采购 现货交易停滞 但因供应端持续短缺 报价仍维持高档 [2] - DDR3凭借低价优势吸引买气转向 本周询单增温并持续有实际成交 带动价格小幅上扬 成为现货市场唯一的动能来源 [2] - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s在本周(1/21-1/27)的均价上涨1.98% 由US$30.30上涨至US$30.90 [2] NAND Flash现货市场详情 - 现货价格持续上调 但在现货价格明显处于高档、消费型需求表现疲弱 以及春节假期将近影响工厂稼动率等因素下 部分买方暂时采取观望态度 [4] - 本周(更新至1/26)512Gb TLC Wafer现货价格上涨5.58% 均价达US$16.310 [4] - 根据价格图表数据 截至1月26日 其他NAND产品如eMMC 64GB均价为US$24.23 MicroSD 128GB均价为US$7.70 8GBx8颗粒均价为US$1.62 [6]

文章核心观点 - 根据TrendForce集邦咨询报告，DRAM与NAND Flash现货市场呈现“价涨量缩”的分化格局 DRAM方面因DDR4/DDR5价格涨幅过大导致工厂采购停滞，但供应短缺支撑报价高位 NAND方面价格持续上涨但需求疲软，部分买方转向观望，供应商则对后市持乐观态度而未降价 [2][4] DRAM现货市场 - DDR4及部分DDR5因价格涨幅过大、成本转嫁困难，导致工厂已暂停采购，现货交易停滞 [2] - 由于供应端持续短缺，DRAM报价仍维持在高档水平 [2] - DDR3凭借低价优势吸引买气转向，本周询单增温并持续有实际成交，带动价格小幅上扬，成为现货市场主要动能 [2] - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s在本周(1/21-1/27)均价上涨1.98%，从US$30.30上涨至US$30.90 [2] NAND Flash现货市场 - 近期NAND Flash现货价格持续上调，但消费型需求表现疲弱，且春节假期将近影响工厂稼动率，部分买方采取观望态度 [4] - 现货供应商对后市价格走势持正向看法，未选择让价出货，导致市场成交量表现平淡 [4] - 本周(更新至1/26) 512Gb TLC Wafer现货价格上涨5.58%，均价达到US$16.310 [4]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 曾经被视为电子业「景气循环惨业」的记忆体族群，过去三季上演一场惊心动魄的重生剧码，从国 际大厂减产保价、报价触底反弹，再到AI 浪潮带动HBM（高频宽记忆体）供不应求，激励威刚、 十铨、南亚科、华邦电相关概念股狂飙列入「处置股」，随着分盘交易限制解除，市场资金在「出 关」后重新归队，下一波支撑从单纯的「涨价题材」，进化为更具结构性的四大关键动能。 第一阶段：从绝望谷底到疯狂派对 回顾这一波记忆体族群之乱，原本2022 年至2023 上半年，记忆体产业经历十年来最严峻的寒冬， 消费性电子需求急冻，导致三星、SK 海力士与美光三大原厂库存堆积如山，而为了生存，原厂展 现史无前例的大规模减产，随着供给人为紧缩，配合通路商库存回补，DRAM 与NAND Flash 的 现货价与合约价开始黄金交叉。 台湾的记忆体模组厂如威刚、十铨，以及控制IC 厂如群联因持有大量低价库存，瞬间从「存货跌 价损失」的重灾区，变身为「低价库存利益」的最大赢家，并随着报价每季上涨10%～15%，市场 开始疯狂追逐这些拥有「低价库存金矿」的厂商，导致股价在短时间内翻倍，进而触发交易所的警 示机制，多档 ...

行业与公司 * 行业：大中华区半导体，具体为存储芯片（内存）行业，包括NOR闪存、NAND闪存、DRAM（特别是利基型DRAM）[1] * 涉及公司： * **华邦电 (Winbond, 2344.TW)**：首选推荐，但未详细分析[1] * **旺宏 (Macronix, 2337.TW)**：研究型IDM，重点分析对象[1][4] * **力积电 (Powerchip Semiconductor Manufacturing Co, PSMC, 6770.TW)**：晶圆代工厂，重点分析对象[1][5] * **兆易创新 (GigaDevice, 603986.SS)**：IC设计公司，重点分析对象[1][6] * **南亚科 (Nanya Tech, 2408.TW)**：业绩指引低于预期，被视为入场机会[3] 核心观点与论据 * **行业周期判断**：认为2Q25是存储周期的底部，1Q26将是上行周期的第三季度，因此没有理由对旧存储股持负面看法[3] * **落后补涨逻辑**：通常在上行周期中，股价表现落后的公司会迎头赶上，因此看好旺宏、力积电、兆易创新的股价补涨潜力[1][3] * **各公司具体观点**： * **旺宏 (Macronix)**： * **核心观点**：将受益于NOR闪存涨价，并从1Q26开始应对MLC NAND市场供应短缺，预计2026年将开始扭亏为盈[4][10][69] * **关键行动**：将推迟3D NOR开发，并将8英寸和12英寸厂产能利用率提升至满产；计划投入约220亿新台币（约7亿美元）将12英寸厂产能从每月2万片晶圆提升至3万片，主要用于扩大MLC NAND（eMMC）产能[4][55] * **市场状况**：管理层提及eMMC“极度短缺”，与报告观点一致[4] * **财务预测**：预计2026年/2027年每股收益为4.93/10.34新台币，显著高于FactSet一致预期的1.81/4.80新台币，反映了对NOR和MLC NAND涨价潜力的更强信心[16][56] * **目标价与估值**：目标价从72.5新台币上调至93.0新台币，基于2026年预期市净率3.6倍（此前为2.8倍），高于其2017年以来的历史区间（0.5-1.5倍）[62][66] * **力积电 (PSMC)**： * **核心观点**：显示出定价能力，受益于与美光（Micron）的合作关系，在先进DRAM生产（如HBM）方面存在后端机会，并正在赶上DRAM涨价潮，预计从2Q26开始有盈利上行和估值重估潜力[5][10] * **合作与机遇**：前端向1y纳米工艺节点迁移，以及HBM等先进DRAM生产的后端机会是长期利好[5][34] * **财务预测大幅上调**：大幅上调2026年每股收益预测至8.31新台币（原为0.26新台币），主要因资产出售的一次性收益；预计2025-2027年每股收益为-1.64/+8.31/+1.85新台币，高于FactSet一致预期的-2.13/+4.98/+1.47新台币[29][30] * **目标价与估值**：目标价从56新台币上调至77新台币；估值方法从剩余收益法改为市净率法，与存储IDM同行一致；新目标基于2026年预期市净率1.7倍，与2021年以来的历史平均1.5倍基本一致[34][39] * **兆易创新 (GigaDevice)**： * **核心观点**：定价调整更为克制，可能晚于IDM厂商，这意味着从1H26开始可能有更显著的上行空间；预计1H26将出现有意义的利润率扩张[6][10] * **业务驱动力**：预计公司将继续在中国MCU市场获得份额，汽车MCU提供更大机遇；NOR闪存价格有进一步上涨空间，且其NOR质量有望在汽车领域赶上；利基型DRAM价格从1Q25末开始反弹，并存在晶圆对晶圆（WoW）特种存储等机会[86][99] * **财务预测调整**：将2025年每股收益预测下调9%至2.42元人民币，将2026/2027年预测上调8%/14%至7.24/9.87元人民币，高于FactSet一致预期的4.01/4.91元人民币，反映了对特种DRAM和NOR涨价以及WoW机会的更强信心[16][86] * **目标价与估值**：目标价从288元人民币上调至355元人民币，基于剩余收益模型；新目标价隐含2026年预期市盈率49倍，仍低于2016年以来历史平均值加1个标准差[88][93] 其他重要内容 * **投资评级与目标价调整**：报告将旺宏、兆易创新、力积电的评级均列为“增持”，并上调了三家公司的目标价[7] * **风险与回报情景分析**：为力积电、旺宏、兆易创新提供了详细的牛市、基线和熊市情景假设、目标价及触发条件[13][40][42][43][44][45][46][66][68][73][74][75][76][77][96][97][98][103] * **关键财务数据与预测**： * **力积电 (PSMC)**：预计2026年营收664.53亿新台币（同比增长36.4%），毛利率17.2%，营业利润率4.6%[31][33] * **旺宏 (Macronix)**：4Q25毛利率环比提升10.6个百分点至24.2%，主要受约5亿新台币存货回转推动；预计2026年营收511.00亿新台币（同比增长76.9%），毛利率40.6%[55][56][61] * **兆易创新 (GigaDevice)**：预计2026年营收189.34亿元人民币（同比增长105.7%），毛利率42.4%，营业利润率27.1%[86][87] * **市场共识对比**：报告对三家公司的盈利预测均显著高于市场共识，显示了更强的看涨信心[16][49][50][82][83][86][108] * **行业供需与价格图表**：报告引用了NOR闪存、DDR4的供需增长图表及价格走势图，以支持其行业观点[17][19][21][22][23][24][26][27][28] * **风险提示**：报告包含利益冲突声明和披露章节[8][9]

文章核心观点 - 长鑫科技在2023年行业低谷期承受巨额亏损、坚持扩产并完成关键技术突破的“豪赌”，是其能在2025年实现业绩反转并冲击科创板IPO的关键，公司展现出成为全球DRAM巨头的潜力并被市场赋予高估值想象 [5][6][46] 公司发展历程与关键转折 - 公司前身合肥智聚成立于2016年，2019年量产19nm DDR4，2022-2023年月产能从9万片提升至15万片（12英寸晶圆）[8] - 2023年全球DRAM价格暴跌超40%，行业巨头进行反周期压制，公司面临卖一片亏一片的困境，但仍选择承受近200亿元净亏损并持续扩产 [5][8] - 公司在2023年行业低谷期攻克了1αnm工艺，并完成了DDR5量产的关键技术准备，为后续崛起奠定基础 [5][8] - 2024年起，体积更小、更省电、成本更低、良率更高的DDR5开始量产，DDR4逐步停产 [9] 财务表现与业绩反转 - 营收实现跨越式增长：2022年营收82.9亿元，2023年90.9亿元（同比增不到10%），2024年241.8亿元（同比增166%），2025年上半年154.4亿元（同比增61%），2025年第三、四季度预估同比增幅分别为149%和207% [10] - 净利润预测大幅扭亏：招股书预测2025年净利润在550亿至580亿元之间，均值565亿元，同比增长134% [11] - 公司于2025年第三季度迎来首个季度盈利，单季净利润预计均值达87.3亿元 [26][28] - 报告期内（两年加三季）累计亏损434.3亿元，但2025年1-9月净亏损已收窄至59.8亿元 [23][24] - 经营活动现金流提前改善：2023年净流出43亿元（相当于营收80%），2024年转为净流入69亿元（相当于营收29%），2025年前三季净流入130亿元（相当于营收40%）[30] 产品结构与盈利能力分析 - 公司DRAM产品分为DDR系列（主打性能）和LPDDR系列（主打低功耗），两者在全球市场形成“双轨格局” [14] - 2024年LPDDR销售收入冲高至198亿元，占主营收入83% [14] - 2025年上半年DDR销售收入增至42亿元，占比提升至28% [15] - 产品毛利润率实现反转：2023年DDR系列毛亏损率108.8%，LPDDR系列毛亏损率121.4%；2024年亏损率分别收窄至26.9%和1.2%；2025年上半年两大系列均实现盈利，DDR系列毛利润率18.9%，LPDDR系列毛利润率0.7% [17][18] - 2025年上半年公司综合毛利润率为13%，与国际巨头（如台积电58.7%、SK海力士55.4%、美光科技37.7%）相比仍有巨大成长空间 [21] - 2023年产品价格大幅下跌是巨亏主因之一，当年DDR系列出货价下降46.6%，LPDDR系列下降42.7% [20] 市场机遇与增长驱动 - AI服务器对高性能DDR5内存芯片需求激增，单台用量是普通服务器的8-10倍，是驱动公司业绩狂飙的主要原因 [28] - 根据TrendForce数据，2025年9月以来，DDR5产品价格涨幅超300%，DDR4产品也涨了150% [29] - 公司完成从DDR4到DDR5的迭代，叠加合肥、北京基地产能释放与毛利润率暴涨，形成戴维斯双击 [29] 研发与技术创新战略 - 研发投入巨大：2022年、2023年研发投入分别为41.9亿、46.7亿元，占财年营收比例超50%；2024年研发投入63.4亿元，占营收比例26.2%；2025年上半年研发投入36.6亿元，占营收23.7% [34][35] - 研发投入资本化率极低：2022年为40%，2023年降至3.2%，2024年反弹至27.3%，2025年上半年资本化率为0，在提交IPO申请时未刻意美化报表 [36][38] - 公司采取“跳代研发”战略，利用后发优势，完成了DRAM工艺技术平台从一代到第四代的量产突破 [32] 商业模式与资产投入 - 公司采用垂直整合（IDM）模式，集芯片设计、制造、封装测试及销售于一体，符合中国半导体产业自主可控的国家战略 [40][42] - 公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆制造厂 [42] - 固定资产投入巨大：机器设备原值从2023年末的958亿元增至2024年末的1744亿元，2024年新增/转入原值达787亿元；截至2025年6月末，机器设备原值达2030亿元，账面值1592亿元 [43][44] - 公司机器设备账面值（1592亿元）已超过比亚迪同期水平（1529亿元）[44][46] 行业地位与竞争格局 - 中国是DRAM需求大国，但直到2023年自给率不足5%，全球市场由三星、SK海力士、美光三大巨头垄断，份额合计超90% [7] - 截至2023年，长鑫科技全球市场占有率还不到3%，但已开始在中国市场替代国际品牌的DDR4产品 [8] - 资本市场对具备突破“卡脖子”技术潜力的芯片公司给予极高估值，文章认为长鑫科技市值超过万亿并不算高估 [46]

文章核心观点 - 2026年初汽车行业面临上游成本与供给的“涨价合围” 行业销量增长但利润修复受阻 整车利润率极低导致成本压力在供应链内部重新分配 而非传导至终端消费者[1][4][5][18] - 锂电产业链的盈利修复不仅取决于新能源汽车销量增长 更取决于供应链内部的定价权再平衡 整车利润率成为影响上游电池、材料及设备企业盈利的关键“总阀门”[19][20][22] 行业利润现状与传导机制 - 2025年1-12月汽车行业收入111796亿元 同比增长7.1% 但利润仅4610亿元 同比微增0.6% 行业利润率4.1% 低于下游工业企业5.9%的平均水平[2] - 2025年12月单月汽车行业利润207亿元 同比大幅下降57.4% 当月利润率跌至1.8%[3] - 行业呈现“销量景气”与“利润景气”背离 量增利不增[4] - 整车端缺乏利润缓冲垫 新增成本难以被终端吸收 压力更可能在供应链内部重新分配 形成对上游的定价与现金流约束[5][18] 车规级存储芯片的供给冲击 - AI数据中心需求强劲 与汽车、手机等行业争夺存储芯片资源 导致汽车成为“弱势买家”[1][6] - 行业面临存储芯片供应危机 2026年满足率可能不足50%[7] - 此轮涨价是“结构性再分配” AI数据中心需求改变合同定价与供货顺序 汽车面临价格上行与供给紧张双重风险[8][9] - 传统存储芯片供需缺口扩大 AI需求挤压成熟制程产能分配 DDR4一季度价格涨幅可能达50% 并可能延续至二季度[9][10] - 汽车产业大量依赖DDR4并需向DDR5升级 风险包括“买得更贵”和“拿不到足够份额”[11] 金属与电池原料的成本上行 - 铜、铝等大宗商品价格上行构成公开成本压力 一辆典型中型智能电动车用铝约200公斤、用铜约80公斤[12][13] - 截至2026年1月的三个月内 单车铝成本增加约600元、铜成本增加约1200元[14] - 原材料与关键零部件同步上行时 传统的“分摊—转嫁”链条可能失效 整车利润率会被迅速压缩[15] - 中国市场成本抬升叠加难以提价的竞争格局 价格战余温未散、品牌密度高 车企难以将新增成本传导至终端 部分转向提前锁产能、签长协以保供[16][17] 对锂电产业链的影响 - 整车厂为锁住毛利空间 可能通过更强势的年度降本目标、价格谈判与付款条件 将压力向供应链内部重新分配[18] - 即便新能源汽车销量增长 上游电池、材料与设备企业也未必能同步迎来盈利修复[19] - 整车利润率长期低位运行 电池环节更容易被要求以更快降本节奏“对冲”车端让利[20] - 材料端面临“原料上涨—产品价格难涨”的剪刀差风险 尤其锂盐、铜箔、铝箔等成本波动快的环节[21] - 车企现金流与盈利承压 可能推迟或拆分扩产与新技术导入订单 导致设备企业在手订单与交付节奏出现波动[21] - 整车利润率是传导链起点 上游盈利修复更多取决于供应链内部的定价权再平衡 而非仅靠销量增长[22]

核心观点 - 由AI和服务器需求驱动的存储芯片“前所未有”的供应紧缩，正严重挤压消费电子、汽车等行业的产能与成本，预计将成为2026年消费电子行业最大的挑战 [1] - 存储芯片制造商（三星、SK海力士、美光）正优先将先进制程和产能分配给愿意支付高价的AI巨头和云服务提供商，导致对价格敏感的消费电子制造商面临断供危机和成本大幅上涨 [1] - 供应紧缩预计将贯穿2026全年并可能延续至2027年，迫使消费电子制造商下调出货预期、采取非常规手段应对，并可能通过提价或降低产品规格来转嫁成本 [3][5] 市场供需与价格趋势 - **DRAM价格暴涨**：集邦咨询预计，2026年第一季度一般型DRAM合约价将季增55-60% [1]；2025年第四季度一般型DRAM合约价已季增45-50% [2] - **NAND Flash价格持续上涨**：集邦咨询预计，2025年第四季度及2026年第一季度，各类NAND Flash产品合约价均将上涨33-38% [1][2] - **DDR4现货价格飙升**：截至1月中旬，16GB DDR4平均现货价格较去年同期上涨2352%，8GB DDR4上涨1873% [5] - **供应紧缩驱动因素**：三星、SK海力士、美光等生产商将先进制程和产能转移至生产用于AI服务器的高带宽内存（HBM），导致其他市场供给紧缩；NAND Flash则因生产商控管产能及服务器强劲拉货排挤其他应用 [1] 对消费电子行业的影响 - **个人电脑（PC）行业**： - 全球笔记本电脑品牌自2025年下半年起面临内存价格显著上涨压力，2026年初又遭遇CPU阶段性供给缺口及PCB、电池、电源管理IC等零部件成本上行 [2] - 预计2026年第一季全球笔电出货将季减14.8%；2026年全年出货量预计年减9.4%，较先前预估的年减5.4%进一步恶化 [3] - 制造商被迫采取非常规手段应对，包括设计带有额外内存插槽的入门级机型，以及从库存旧产品上拆卸存储芯片安装到新产品上（但会损害耐用性，仅用于中低端市场） [1][3] - **智能手机行业**： - 存储短缺拖累出货量预测，小米、OPPO和vivo等国产智能手机供应商已将2026年出货量预期较2025年下调约10%至15%，主要影响中端和入门机型 [3] - 供应链为智能手机客户制定了更保守的预测；小米内部预测其2026年智能手机出货量将因存储短缺和整体市场情绪低迷而下降5% [4] - **其他消费电子领域**：电视、机顶盒、家用路由器、平板电脑等入门级和中端消费电子产品将是受打击最严重的领域 [2] 对其他行业的影响 - **汽车行业**：将受到重创，存储芯片制造商不再有时间和产能来满足小订单和项目，也无暇协助管理许多必需的验证测试 [2][4] - **传统DRAM需求行业**：许多家用电器和汽车仍在使用DDR4和LPDDR4，但主要内存制造商正在逐步淘汰DDR4生产，转而专注于用于AI、服务器和高端设备的更先进芯片，加剧了DDR4的供应短缺和价格涨幅 [5] 存储芯片制造商状况 - **三星电子**：2025年第四季度营业利润达到创纪录的20万亿韩元，其中半导体部门预计贡献了16万亿至17万亿韩元；半导体部门员工有望在2026年初领到相当于半年薪水的巨额奖金 [6] - **SK海力士**：预计2025全年营业利润为45万亿韩元，计划拿出10%（即4.5万亿韩元）的总营业利润发放奖金，员工平均奖金预计近1.4亿韩元（约合人民币66万元），创历史新高 [6] - **报价与策略**：三星、SK海力士对存储芯片开出了大幅上涨60%至70%的报价；内存制造商优先将产能分配给愿意为HBM和其他存储产品支付高价的AI巨头和财力雄厚的云服务提供商 [1]

文章核心观点 - 汽车行业竞争焦点转向“智驾”与“算力”，车规级内存成为关乎新车交付与品牌竞争力的关键资源，但其供应正面临严峻挑战[1] - AI行业爆发“虹吸”全球内存产能，汽车行业因市场份额小、利润低而在产能争夺中处于弱势，预计全球内存供需缺口将扩大[1] - 内存制造商为生产利润更高的AI产品（如LPDDR5、HBM），正在加速淘汰汽车行业当前主流的DDR4等产品，加剧供应紧张[2] - 车规级内存认证标准极为严苛，导致产能切换困难，进一步限制了供应弹性[3][4] - 为应对供应危机，头部车企采取与内存巨头签订长期直供协议、建立战略安全库存等策略，用高溢价换取供应确定性[5][6] - 内存成本上涨短期内难以直接传导至车价，但车企可能通过削减非核心配置等方式平衡成本，且危机影响在车型间将呈现分化[6][7] - 汽车产业成为内存市场“最挑剔、最舍得花钱”的客户，其高溢价策略正在成为影响全球内存市场价格走势的重要变量[7] 行业背景与趋势 - 汽车行业竞争进入以“智驾”和“算力”为标志的下半场[1] - 汽车所需内存包括车规级DRAM、NAND、NOR Flash及用于AI的HBM[1] - 随着辅助驾驶进入端到端大模型阶段，车企对内存容量、性能及稳定性要求与日俱增[1] 市场格局与竞争态势 - 全球内存市场高度集中，三星、SK海力士、美光三大巨头占据90%以上份额[1] - 汽车行业在全球内存市场份额占比不足10%，在争夺产能时力不从心[1] - AI行业爆发导致云服务商和AI运营商对内存需求飙升，内存制造商优先将产能倾斜给规模更大、利润更高的AI客户[1] 供需分析与预测 - 富国银行报告预计，明年全球内存需求将增长约26%，供应仅增长约21%，供需缺口将扩大至14%[1] - 摩根士丹利预测，2025年二季度至2026年，全球内存行业将迎来新一波超级周期，DDR4、NOR Flash等产品供应将加剧紧张[2] - 在2025 WNAT-CES交流会上，多家国内整车厂及供应商认为，内存短缺将在2026年成为明确的风险点[2] 技术升级与供应挑战 - DDR4内存因技术成熟、性价比高，占据汽车电子内存市场60%以上份额，但正面临停产危机[2] - 为腾出产能生产利润更高的AI相关产品，巨头们正在加速淘汰DDR4[2] - 三星已传出减产DDR4消息，并要求客户在2026年初前完成订单确认；SK海力士计划将DDR4产能压缩至总产能20%以下，并拟于2026年4月停产[2] - 车规级内存须通过AECQ100认证，工作温度需涵盖-40℃至125℃，缺陷率必须低于10PPM，使用周期须达10年至15年，标准远严于消费级[3] 车企应对策略 - 为获取产能分配高优先级，车企开始绕过一级供应商，直接与存储巨头签署长期协议[5] - 近期，大众与三星、海力士，现代与三星电子，理想、极氪与美光签订了直供或认证协议[5] - 车企调整库存策略，放弃精益制造模式，转而建立“战略安全库存”，利用资金优势建立更高库存水平以增强供应断档耐受力[6] - 车规级内存在整车成本中占比仅为个位数，但缺失关键芯片可导致产线停摆，这种“低成本占比、高交付风险”特性决定了车企对内存溢价的高容忍度[6] - 安徽大众采购员工透露，相比涨价更担心断供，公司会派员驻场跟料，必要时会开发二供[6] 成本传导与市场影响 - 蔚来CEO李斌表示，目前内存涨价幅度“还在承受范围之内”，蔚来将利用毛利空间承接压力，但承受力有极限，未来车价大概率看涨[6] - 在当前竞争格局下，车企不敢轻易通过涨价将成本传导至消费者[6] - 为平衡成本，车企可能采取更隐蔽操作，如在非核心系统上削减存储配置，或将部分零部件材料替换为更廉价方案[6] - 危机影响将呈现分化：传统车型受影响较小，而高度依赖大内存的高阶智驾旗舰车型将面临更大冲击[7] - 车企对内存价格的承受能力，为内存市场设定了较高的边际价格，支撑了内存企业的涨价信心，并间接拉高了整个现货市场和合约市场的心理价位[7]

DDR4的这一轮"疯牛"行情，并非单一因素导致，而是由AI热潮、巨头逐利、市场炒作共同催生。 DDR4 内 存 价 格 暴 涨 已 延 续 近 一 年 ， ——DDR4 16Gb 内 存 模 块 现 货 价 格 在 一 年 内 暴 涨 1800%，甚至出现历史性价格倒挂，旧款DDR4比新款DDR5还贵一倍。 2025年起，DDR4市场的需求错配就初现端倪，随着多家国际大厂纷纷发出DDR4 EOL，市场端 对"供给收缩"的预期就已引发渠道与下游客户囤货行为。部分渠道商基于"DDR4供应减少将涨 价"的判断提前囤积库存；下游客户则因担忧断供，主动增加安全库存。 据 1 月 17 日行业消息，长鑫存储计划在其新技术平台推出新一代 DDR4 产品，并规划了部分产能， 以缓解国内 DDR4 供应短缺的状况。 如上述信息准确，无异于为焦灼的市场供需带来缓冲，DDR4 的需求缺口与价格暴涨有望得到缓解。 DDR4供需缘何焦灼？ 据公开信息显示，长鑫存储是目前国内唯一能实现大规模量产DRAM的国产厂商，目前在北京、 合 肥 建 有 3 座 12 英 寸 DRAM 晶 圆 厂 ， 产 能 规 模 位 居 中 国 第 一 、 全 ...