光刻技术重要性变化 - 英特尔高管提出"光刻将不再那么重要"的观点引发业界争议 [1] - High-NA EUV光刻机面临滞销，多家芯片巨头对其实用性持保留态度 [1][3] - 随着3D晶体管结构发展，刻蚀技术重要性提升至制造环节50%以上 [7] High-NA EUV光刻机应用现状 - ASML已交付两台TWINSCAN EXE:5000系统，分别由imec和英特尔接收 [1] - 英特尔计划用High-NA EUV开发1.8nm和1.4nm工艺，当前季度产能达30000片晶圆 [4] - 台积电认为High-NA EUV大规模应用需5年以上，A16/A14工艺仍采用标准EUV [5] - 三星推迟DRAM产线应用计划，逻辑芯片领域评估1.4nm工艺2027年量产 [6] 刻蚀技术崛起 - 5nm FinFET工艺中刻蚀次数超过150次 [7] - GAAFET和CFET结构要求"从各方向包裹栅极"，横向材料去除成为关键 [7] - Lam等刻蚀设备公司作用将增强，但光刻机仍保持基础性地位 [8][9] ASML市场表现与技术路线 - 2024年出货418台光刻机（44台EUV/374台DUV），中国大陆贡献36.1%收入（101.95亿欧元） [10] - 正在研发0.75 NA的Hyper NA EUV系统，可提升打印速度和精度 [10][11] - 当前EUV技术预计主导市场10-20年，控制全球75%-80%份额 [13] 新兴光刻技术发展 - EUV-FEL技术可支持10-20台设备并联，美国Xlight公司计划2028年推出原型 [13][14] - Lace Lithography开发原子光刻技术，宣称分辨率领先EUV 15年 [14] - 纳米压印和电子束光刻在小批量高精度领域取得进展 [15][16]