光刻机技术趋势 - High-NA EUV光刻机从"天价顶配"变为"仓库积灰"，英特尔、台积电、三星均推迟使用计划 [1][3][6] - High-NA EUV售价3.78亿美元，比普通EUV贵近一倍，台积电通过现有EUV+多重曝光技术实现1.4nm制程 [6] - 三星将DRAM生产中的High-NA EUV应用推迟至2030年，因3D DRAM架构无需光刻技术 [6] 刻蚀技术崛起 - 3nm以下制程中刻蚀步骤占比超50%，GAAFET架构依赖刻蚀机完成三维结构雕琢 [7][8] - 刻蚀机厂商Lam Research和东京电子订单排至2026年，ASML 2024年EUV出货量仅44台，低于预期10台 [8] - 芯片制造逻辑从"二维压缩"转向"三维堆叠"，刻蚀技术成为核心 [8] ASML市场地位变化 - 2024年ASML光刻机总销量418台，中国大陆贡献36.1%收入（约797亿人民币），DUV需求旺盛 [9] - High-NA EUV面临销售困境，ASML路线图显示现有EUV技术仅能支持至2027年1.4nm制程 [10] - 新兴技术如EUV-FEL光源、原子光刻、纳米压印可能颠覆ASML垄断地位 [11] 半导体行业新逻辑 - 摩尔定律逼近物理极限，行业转向三维堆叠、Chiplet和新材料以提升性能 [12] - 光刻技术重要性下降，行业竞争焦点转向架构优化和成本控制 [12][14] - 中国在成熟制程设备自主化进展显著，未来可能改变全球供应链格局 [11][14]

光刻技术重要性变化 - 英特尔高管提出"光刻将不再那么重要"的观点引发业界争议 [1] - High-NA EUV光刻机面临滞销，多家芯片巨头对其实用性持保留态度 [1][3] - 随着3D晶体管结构发展，刻蚀技术重要性提升至制造环节50%以上 [7] High-NA EUV光刻机应用现状 - ASML已交付两台TWINSCAN EXE:5000系统，分别由imec和英特尔接收 [1] - 英特尔计划用High-NA EUV开发1.8nm和1.4nm工艺，当前季度产能达30000片晶圆 [4] - 台积电认为High-NA EUV大规模应用需5年以上，A16/A14工艺仍采用标准EUV [5] - 三星推迟DRAM产线应用计划，逻辑芯片领域评估1.4nm工艺2027年量产 [6] 刻蚀技术崛起 - 5nm FinFET工艺中刻蚀次数超过150次 [7] - GAAFET和CFET结构要求"从各方向包裹栅极"，横向材料去除成为关键 [7] - Lam等刻蚀设备公司作用将增强，但光刻机仍保持基础性地位 [8][9] ASML市场表现与技术路线 - 2024年出货418台光刻机（44台EUV/374台DUV），中国大陆贡献36.1%收入（101.95亿欧元） [10] - 正在研发0.75 NA的Hyper NA EUV系统，可提升打印速度和精度 [10][11] - 当前EUV技术预计主导市场10-20年，控制全球75%-80%份额 [13] 新兴光刻技术发展 - EUV-FEL技术可支持10-20台设备并联，美国Xlight公司计划2028年推出原型 [13][14] - Lace Lithography开发原子光刻技术，宣称分辨率领先EUV 15年 [14] - 纳米压印和电子束光刻在小批量高精度领域取得进展 [15][16]

智通财经5月29日电，近日，哈尔滨工业大学机电工程学院杨立军教授、丁烨副教授团队和材料科学与 工程学院李洋教授团队提出了一种在空气中利用远场飞秒激光刻蚀技术在二维铁电材料上直写超分辨纳 米沟槽阵列结构的新方法。相关研究成果发表在《自然通讯》（Nature Communication）上。该研究突 破了纳米结构激光制备的分辨率瓶颈，对创新功能架构构建、电子器件集成及纳米光子学发展具有重要 意义。 哈工大科研团队实现二维铁电材料超分辨微纳结构图案化可控制造 ...