如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 zdnet ，谢谢。 三 星 电 子 正 在 大 力 开 发 可 接 替 HBM （ 高 带 宽 内 存 ） 的 下 一 代 DRAM 解 决 方 案 。 其 中 ， 像 PIM （Processing-In-Memory，存内计算）等部分技术，正处于半导体标准化组织中的规范讨论阶 段，未来有望明确商用化路径。 三星电子大师级专家孙教民（音译）于13日上午在首尔江南举行的"第十届人工智能半导体早餐论 坛"上发表了上述内容。 他以《AI时代的DRAM解决方案（DRAM Solutions for AI Era）》为主题进行演讲时表示："AI 产业对内存性能的需求已经超越了当前的开发速度，DRAM厂商也在积极开发各种新技术以提升 内存集成度。"他进一步指出，"因此，无论是晶体管还是电容器，正持续向更精细的方向演进，结 构也在不断革新。" 目 前 主 要 的 下 一 代 DRAM 技 术 包 括 PIM 、 VCT （ 垂 直 晶 体 管 通 道 ） 、 CXL （ Compute Express Link）、以及LLW（低延迟、高带宽）DRAM等。三星 ...

此外，随着自动驾驶技术发展，高效能应用处理器（AP）与LPDDR 使用将进一步增加， Counterpoint 预计HBM4 将在2027 年后导入自动驾驶系统；XR 装置、无人机与游戏领域也将扩 展Wide I/O 的应用，以提升低延迟处理能力。 NVIDIA 的DIGITS 技术将透过GPU 与HBM 的整合，提升内存频宽，2025 年中透过SOCAMM 技术增强CPU 频宽，扩展容量并提升信号完整性。然而，PCB 与连接器成本仍是一大挑战，短期 内尚无计划将该技术应用于一般PC市场。 目前三星强调生成式AI 内存解决方案需在高频宽、速度、容量、低延迟与功耗管理之间取得平 衡。预计至2030 年，HBM5 的堆叠层数将达20 层，并与更多逻辑装置整合于单一小晶片 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 来自科技新报 ，谢谢。 调研机构Counterpoint 指出，随着半导体技术持续创新，内存解决方案成为推动生成式AI （GenAI）发展的核心动力，虽然DRAM 解决方案具优势，但成本与上市时程仍是关键挑战。为 降低创新风险，客户需积极参与承诺采购，而制造商则须寻求降低成本的策略，如LPDD ...