公司战略定位与目标 - 公司目标是从“全线存储器供应商”转变为“全线AI存储器创造者”，以应对存储器在AI产业中演变成核心价值产品的趋势[1] - 公司正与台积电密切合作开发下一代高频宽存储器（HBM）基础裸晶，以强化其在AI存储器领域的领导地位[1][2] - 公司是台积电“3D Fabric联盟”成员，并于去年与台积电签署合作备忘录，共同进行HBM4研发[2] 行业挑战与技术蓝图 - 行业面临“存储器高墙”挑战，即存储器性能的增长未能与处理器的进步保持同步，阻碍了AI信息流量的爆炸性成长[1] - 公司提出新世代存储器技术蓝图，核心包括客制化HBM、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）三大方向[1] AI DRAM（AI-D）产品战略 - AI-D O（Optimization）专注于提供低功耗、高性能的DRAM，旨在降低客户总体拥有成本并提高营运效率[2] - AI-D B（Breakthrough）旨在克服“存储器高墙”，产品特点是具备超高容量和灵活的存储器分配能力[2] - AI-D E（Expansion）致力于扩展DRAM应用场景，从数据中心延伸至机器人、移动性和工业自动化等领域，该解决方案包含HBM[2] AI NAND（AI-N）产品战略 - 公司为AI NAND规划了三种下一代储存解决方案，分别是AI-N P（Performance）提升性能、AI-N B（Bandwidth）加大频宽、AI-N D（Density）发展密度[2] 市场竞争地位 - 公司在AI用HBM领域已超越三星，成为业界霸主，显示出其在AI存储器市场的领先地位[1]