HBM4技术竞争格局 - SK海力士全球首发12层HBM4样品并已向主要客户出货，预计2025年下半年完成量产准备[1] - HBM4带宽提升至每秒2TB，较HBM3E提升60%，可同时处理超过400部FHD电影数据量[2] - SK海力士HBM4测试良率达到70%，超出2024年底60%的目标[2][3] - 英伟达下一代AI处理器Rubin将搭载HBM4，原计划2026年发布但可能提前至2025年下半年生产[4] - 三星计划2024年下半年启动HBM4量产，采用4nm工艺且良率超70%，已完成逻辑芯片设计[5][7] - 美光计划2026年实现HBM4量产，预计2025年HBM业务收入达数十亿美元且供应已售罄[8] 封装技术演进 - TSV技术是HBM速度关键，如同连接芯片上下层的"电梯"[9] - SK海力士开发MR-MUF技术提升散热性能，HBM2E散热较HBM2提高36%[11][12] - Advanced MR-MUF技术使12层HBM3E散热性能较8层HBM3提高10%[13] - HBM4采用Advanced MR-MUF工艺实现36GB容量，为12层产品中最高[14] - 混合键合技术可能成为下一代HBM选择，可减少芯片厚度但会导致价格上涨[14][15] HBM行业发展趋势 - HBM4控制逻辑芯片制程从12nm推进至5nm/4nm，未来或采用3nm[16] - 存储外包化趋势明显，台积电/三星/英特尔先进封装技术将更重要[16] - 存算一体化可能应用于HBM，通过集成计算单元降低AI功耗[16] - 应用场景从AI计算向数据中心/HPC/智能驾驶等领域拓展[17] - 可能出现HBM与DDR/GDDR结合的混合存储架构以平衡成本[17] 公司竞争策略 - SK海力士在HBM领域保持领先，2013年首发HBM后连续实现HBM3/HBM3E/HBM4技术突破[2][5] - 三星依托存储芯片和晶圆代工整合能力追赶，强调不会在HBM4上重蹈覆辙[5] - 美光通过任命台积电前董事长加速HBM4研发，强调1β工艺成熟度[8] - 三星在GTC大会主推GDDR7技术，尚未进入英伟达HBM供应链[8]