内存市场竞争格局 - SK海力士在2024年第二季度超越三星电子成为全球最大内存制造商，内存收入达21.8万亿韩元（约152亿美元），而三星同期内存收入为21.2万亿韩元（约152亿美元）[3] - SK海力士占据高带宽内存(HBM)市场62%份额，三星仅占17%[3] - 行业分析师指出SK海力士首次登顶内存市场，主要受益于英伟达AI芯片及其配套HBM需求激增[3] - HBM由多个DRAM芯片堆叠而成，是AI服务器关键组件[3] 三星电子业绩表现 - 三星半导体部门第二季度营业利润同比下降94%，集团整体营业利润下降55.23%至4.67万亿韩元（约34亿美元）[6] - 净利润下降48.01%至5.11万亿韩元，营收微增0.67%至74.56万亿韩元[6] - 半导体业务营收同比下降2%，主要受内存库存减记拖累[6] - 代工业务产能利用率低，营收稳定在6.7万亿韩元[6] - 智能手机业务营业利润增长40.9%至3.1万亿韩元，但消费电子部门利润下降60%至2000亿韩元[6][7] 三星战略调整 - 计划下半年提高服务器内存芯片销量，等待HBM3E内存获得英伟达认证[7] - 与特斯拉签订8年23万亿韩元芯片制造合同[7] - 将量产下一代低功耗DRAM模块SoCAMM，并扩大HBM3E生产，预计其占比将从80%提升至90%以上[9][10] - 采取降价策略吸引HBM客户，可能影响SK海力士和美光等竞争对手[11] - 代工业务完成2纳米工艺可靠性评估，建立第二代2纳米工艺技术基础设施[11] 行业趋势 - DRAM价格预计2024年下半年大幅上涨，NAND价格第三季度开始反弹[9] - 三星正在开发HBM4，已完成1c DRAM量产审批并向客户供应样品[10] - 三星德州泰勒工厂将扩产以满足特斯拉等大客户需求[12]

报告行业投资评级 报告未提及投资评级相关内容 报告的核心观点 报告围绕三星电子2025年第二季度业绩展开，指出营业利润大幅下降，营收略增，各业务有不同表现，公司采取利润率改善措施，积极布局AI战略，还获得特斯拉大额订单，库存状况有所改善[1][2][3][4][5] 根据相关目录分别进行总结 整体业绩 - 营业利润4.7兆韩元（约33.7亿美元），较2024年同期骤减55.2%，创近六季新低 [1] - 营收74.6兆韩元（约535亿美元），较去年同期略增0.7% [1] 半导体暨装置解决方案部门 - 第二季营业利润仅4000亿韩元，较去年同期暴减93.8%，首度跌破1兆韩元，晶片销售不力影响获利 [1] 业务指引与业绩表现 - DRAM业务：Q3 2025指引位出货量预计环比增长高个位数百分比，Q2 2025业绩位增长环比提升低双位数百分比，符合指引 [2] - NAND业务：Q3 2025指引位增长预计约为个位数百分比，Q2 2025业绩位增长环比提升20%以上，超出指引 [2] - 移动（MX）：Q3 2025指引智能手机出货量和平均售价预计增长，平板电脑出货量预计下降 [2] 利润率与成本控制 - 2025年第二季度，公司整体营业利润率收缩2.2个百分点至6.3% [3] - 移动部门在2025年第二季度保持两位数盈利能力 [3] - 预计2025年下半年，HBM3E与传统DRAM之间的利润率差异将显著缩小 [3] - 公司提高服务器SSD的销售份额以改善NAND利润率 [3] AI战略与相关产品 - AI推动内存业务复苏，特别是HBM3E和高密度DDR5等服务器产品 [4] - 手机实施Galaxy AI功能和多模态界面，电视增强AI观看功能，内存专注AI优化产品 [4] - 正在开发下一代AI内存产品HBM4，性能是HBM3E的两倍 [4] - 看到AI服务器应用强劲需求，预计2025年下半年增长加速 [4] - 与谷歌等科技公司合作开发AI功能 [4] 订单情况 - 赢得特斯拉价值165亿美元的下一代产品订单，使用先进工艺技术 [5] 库存状况 - 2025年第二季度，DRAM库存减少至正常水平以下 [5] - NAND库存连续两个季度显著减少 [5]

HBM市场竞争格局 - HBM市场目前由SK海力士主导，该公司自2022年开始向英伟达独家供应HBM3，并已交付下一代HBM3E，而三星尚未通过英伟达认证测试[1] - 预计到2025年，SK海力士将占据全球HBM市场57%份额，三星24%，美光19%[1] - 三星在DRAM市场的领先地位被SK海力士超越，2023年Q1 SK海力士DRAM市场份额36%，三星34%[2] 三星HBM技术进展 - 三星预计将在2023年下半年通过英伟达12层HBM3E芯片认证流程，为2024年订单打开大门[2] - 公司正专注于下一代HBM4研发，计划采用更先进的1c DRAM技术实现产品差异化[2] - 三星已将HBM4送交英伟达等客户验证，10纳米第六代DRAM良率提升工作进展顺利[6][7] 晶圆代工业务突破 - 三星获得特斯拉下一代自动驾驶AI芯片巨额订单，将采用2纳米工艺生产[3] - 2纳米工艺良率和生产稳定性达到预期，计划2023年内实现量产[4] - 该订单可能带动高通、英伟达等其他大型科技公司订单，目前正与高通进行2纳米移动AP测试[5] 晶圆代工业务现状 - 2023年Q1三星DS部门营业利润1.1万亿韩元，预计Q2可能降至4000亿韩元左右[4] - 2023年Q1台积电晶圆代工市场份额67.6%，三星7.7%，差距近60个百分点[5] - 公司推行双轨战略，同时发展先进制程和成熟制程业务以提升盈利能力[6] 未来发展策略 - 计划通过Exynos 2600芯片(2纳米工艺)搭载于2024年初发布的Galaxy S26来提升移动业务[5] - 晶圆代工业务好转可能促进内存竞争力恢复，已向博通等公司开放HBM销售渠道[7] - 技术改进持续进行，英伟达过度依赖SK海力士单一供应商的风险可能为三星创造机会[2]

三星电子HBM4量产推迟 - 三星电子将下一代HBM芯片量产时间从原计划的2025年下半年推迟至2026年，涉及基于10nm级第六代1c DRAM的12英寸HBM4模块 [3] - 2025年第三季度计划向主要客户交付早期样品，第四季度原定为全面生产时间节点 [3] - 当前1c DRAM芯片内部测试良率已达65%（7月初数据），但量产实际良率可能波动 [3] 1c DRAM技术改进策略 - 采用双路径策略：修改现有1a/1b设计或彻底重新设计新一代芯片，后者通过扩大芯片尺寸提升良率但增加成本 [5] - HBM4量产成功关键取决于试生产到量产的良率稳定性，目前仍需额外测试 [5] SK海力士业绩与战略 - 2024年第二季度营业利润同比飙升68%至9.21万亿韩元（67亿美元），销售额增长35%至22.23万亿韩元（161.6亿美元），HBM及相关DRAM贡献77%营收 [7] - 营业利润率达41%，现金储备增至17万亿韩元（123.6亿美元），净债务减少4.1万亿韩元（29.8亿美元） [7] - 计划2025年HBM销量翻倍，HBM3E已量产，HBM4目标2026年商业化 [8] - 扩展产品线包括LPDDR服务器模块（2024年出货）和24Gb GDDR7芯片，NAND领域优先发展QLC企业级SSD [8] - M15X工厂2024年Q4投产，龙仁Cluster 1工厂2027年Q2竣工，2025年资本支出将超预期 [8]

公司业绩表现 - 第二季度营业利润达9.2万亿韩元，同比增长68.4%，创历史新高 [1][2] - 销售额22.2万亿韩元，同比增长35.4%，净利润7万亿韩元 [2] - DRAM部门占总销售额77%，其中HBM占比超40% [1][2] - 营业利润率高达41%，HBM贡献超半数营业利润 [1][2] HBM市场优势 - 在12层HBM3E产品占据压倒性优势，实现生产稳定并建立量产供应体系 [2] - 计划2023年HBM销售额和出货量同比翻番 [2] - 已准备好HBM4产品以应对客户需求 [2] - 目前市场份额预计达80%以上，主要竞争对手三星和美光难以量产12层HBM3E [2][4] 市场竞争格局 - 三星电子和美光正积极布局HBM4，预计将迎头赶上 [3][4] - 美光正全球扩张HBM生产线，三星加强HBM4开发能力 [1][3] - 英伟达寻求供应链多元化，利用美光要求SK海力士降价 [4] - 预计2024年下半年竞争加剧，市场份额可能降至60%以下 [4] 行业挑战 - HBM3E价格预计2024年同比下降30%，HBM4溢价率仅为上一代45% [3] - HBM4生产成本将大幅上升，设计引入逻辑芯片等新变化 [3] - 市场担忧供应过剩，价格谈判权可能从供应商转向客户 [1][4] - 行业可能从垄断转向三家供应商体系，导致价格竞争加剧 [3][4]

核心观点 - SK海力士在财报电话会议中强调HBM市场需求强劲，尽管高盛下调评级导致股价短期下跌，但公司对中长期需求增长保持乐观[1] - 公司第二季度业绩超预期，营收同比增长35 4%至22 232万亿韩元，营业利润增长68 5%至9 2129万亿韩元，营业利润率达41%[1] - HBM3E 12层等高价值产品推动盈利能力提升，现金及现金等价物增至17万亿韩元[2] - 公司预计推理AI扩展和各国自主AI建设将成为新的增长动力[2] - 定制化HBM市场转型有利于公司保持优势地位[2] - 公司已确保明年HBM业务供应可预见性，HBM3E产能翻倍并已交付HBM4样品[3] - 加速生产SoCAM和GDDR7等定制AI芯片，扩展产品线[3] - 计划扩大资本支出以应对HBM需求增长，投资规模将增至20万亿韩元中段[6][7] 财务表现 - 第二季度营收22 232万亿韩元（同比+35 4%），营业利润9 2129万亿韩元（同比+68 5%），营业利润率41%[1] - 业绩超越去年第四季度纪录（营收19 767万亿韩元、营业利润8 0828万亿韩元）和券商平均预测（营收20 7186万亿韩元、营业利润9 0648万亿韩元）[1] - 现金及现金等价物较上季度增加2 7万亿韩元至17万亿韩元，净借款减少4 1万亿韩元[2] HBM市场前景 - AI模型从训练向推理扩展推动HBM需求增长，客户群体不断扩大[1] - 内存市场已发展到领先企业能保持议价能力的阶段[3] - HBM市场格局向定制化转型有利于公司保持优势[2] - 公司认为HBM4成本上升可通过定价政策维持盈利能力[3] - 已确保明年HBM业务供应可预见性，主要客户业务保持"售罄"状态[3] 产品与技术 - 第五代HBM3E 12层产品提高收入和盈利能力[2] - 已向客户交付第六代HBM4样品[3] - 加速生产SoCAM（基于服务器LPDDR的模块）和GDDR7（24Gb容量）等定制AI芯片[3] - 开发全球首款基于1c工艺的16Gb DDR5 DRAM，计划明年全面投产[6] 产能与投资 - HBM3E产能较上年翻倍[3] - 计划扩大资本支出，投资规模将增至20万亿韩元中段，主要用于HBM生产[6][7] - 利用清州M15X作为下一代HBM生产基地，第四季度开始运营[6] - 扩建龙仁市和美国印第安纳州生产基地[6] - 2022年设施投资达19 65万亿韩元，2023年为17 956万亿韩元[7] 中国业务 - 无锡工厂将维持传统DRAM生产，利用其稳定供应需要长期支持的产品[5] - 针对NVIDIA恢复向中国出口H20芯片，公司表示能迅速反应作为主要供应商[4]

核心观点 - SK海力士在财报电话会议中强调HBM市场需求增长动力强劲，包括AI模型从训练向推理扩展、大型科技公司投资增加以及各国推进自主AI建设[1][2] - 公司认为HBM市场向定制化转型有利于保持其优势地位，并已确保明年HBM业务供应可预见性，产能翻倍且HBM4样品已交付[4][6] - 第二季度业绩表现超预期：营收22.232万亿韩元（同比+35.4%），营业利润9.2129万亿韩元（同比+68.5%），营业利润率达41%[1] HBM市场前景 - AI市场在代理助手和物理AI等领域的爆发式增长将推动HBM需求，客户群体持续扩大[1] - HBM3E 12层等高价值产品销售扩张提升盈利能力，HBM3E产能较上年翻倍[2][4] - 定制化HBM市场格局下，公司凭借早期客户接触和议价能力保持优势[3][4] 财务与运营表现 - 现金及现金等价物季度环比增加2.7万亿韩元至17万亿韩元，净借款减少4.1万亿韩元[2] - 半导体库存水平稳定，DRAM和NAND闪存出货量均超预期[2] - 业绩超越金融信息提供商FnGuide统计的券商平均预测（营收20.7186万亿韩元，营业利润9.0648万亿韩元）[1] 产能与投资规划 - 资本支出(CAPEX)将扩大至20万亿韩元中段，主要用于HBM生产，创历史新高[6][7] - 清州M15X工厂作为下一代HBM基地将于Q4运营，同步扩建龙仁市和美国印第安纳州基地[6][7] - 1c（第六代10nm级）DRAM转换投资下半年启动，明年全面投产[7] 产品与技术布局 - 加速生产定制AI芯片包括SoCAM（年内供货）和24Gb GDDR7（容量较16Gb提升）[4] - 计划通过无锡工厂稳定供应传统DRAM产品，缓解DDR5/LPDDR5过渡期短缺[5] - 针对HBM4成本压力，将通过定价政策维持当前盈利能力[4] 客户与市场响应 - NVIDIA等主要客户HBM业务维持"售罄"状态，对美批准出口中国H20芯片将快速响应[4] - 企业文化（客户导向、团队合作）被强调为HBM市场领导地位的关键因素[3]

报告公司投资评级 - 维持买入评级，目标价上调至36万韩元 [3][12] 报告的核心观点 - SK海力士7/23发布25Q2财报，营收和运营利润超预期，虽毛利率和营业利润率不及预期，但高端HBM、DRAM、NAND三类产品Q2表现出色，看好长期业绩增长 [8] - 考虑到公司HBM领先行业并坐拥大客户英伟达，叠加ASIC需求，估值有望超越14年PB峰值，上调目标价并重申买入评级 [12] 各部分总结 基本数据 - 目标价360,000韩元，截至7月24日收盘价269,500韩元，市值186,047,851百万韩元，6个月平均日成交额806,483百万韩元，52周价格范围143,273.30 - 306,500.00韩元，BVPS 99,584韩元 [4] 经营预测指标与估值 |会计年度|2024|2025E|2026E|2027E| | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | |营业收入（十亿韩元）|66,193|97,940|120,196|132,065| |同比增长|102.02%|47.96%|22.72%|9.87%| |归属母公司净利润（十亿韩元）|19,797|31,191|39,222|42,976| |同比增长|317.25%|57.55%|25.75%|9.57%| |EPS（最新摊薄）|28,677|45,182|56,815|62,253| |ROE（%）|31.08|35.83|33.00|27.25| |PE（倍）|9.40|5.96|4.74|4.33| |PB（倍）|2.52|1.86|1.35|1.05| |EV/EBITDA（倍）|5.75|3.42|2.51|1.76| |股息率（%）|0.44|0.84|1.05|1.15|[7] 产品业务情况 - HBM延续强劲增长，预计25年销售额翻倍，12 - Hi HBM3E销售额大规模增长，部分HBM4已少量先行供应，公司可能已拿下微软、博通等HBM4E订单，与三星存在竞争 [9] - 25Q2 DRAM营收17.12万亿韩元，同比+58%，环比+21%，占总营收比例77%，出货规模大幅增加但ASP环比仅低个位数增长，此前25Q1超越三星成为DRAM市占率最高的内存公司，新型DDR价格预计受益于游戏显卡需求提升而适度上涨 [10] - 25Q2 NAND营收4.67万亿韩元，同比 - 8%，环比+47%，占总营收的21%，出货量环比增超70%，主要系企业SSD需求上升以及因关税而提前囤货，TrendForce预估Q3 NAND Flash合约价格将上涨5% - 10% [10] 盈利预测与公司估值 - 小幅下调25/26/27E营收至98/120/132万亿韩元，主因25H1 NAND收入不及预期且行业长期驱动不足；小幅上调25/26/27E净利润4%/6%/6%至31/39/43万亿韩元，因HBM规格升级有望提升利润率 [12][30] - 给予1.8倍26E PB，对应上调目标价从30万至36万韩元，较三星应享受估值溢价 [12][31] 盈利预测 - 给出2023 - 2027E的利润表、现金流量表、资产负债表、业绩指标、估值指标等数据，展示公司营收、利润、现金流、资产负债等情况及增长趋势 [38]

报告行业投资评级 未提及 报告的核心观点 报告对固定收益市场进行了每日更新，涵盖中资投资级债券、金融债、保险债、AT1债、地产债等多个领域，分析了各债券价格变动情况，还提及宏观新闻、公司动态及新发行债券信息，维持对HYUELEs的买入评级，预计SK Hynix营收和营业利润增长势头将在2025年持续 [1][2][6] 根据相关目录分别进行总结 交易台市场观点 - 中资投资级债券方面，TENCNT 30/BABA 31利差收窄1bp，MEITUA 30利差扩大1bp，ZHOSHK 28因境内上午买盘利差收窄5bps [1] - 金融债方面，CMINLE/CSILTD/BCLMHK浮息债27 - 30年期利差不变至收窄2bps，SUMIBK/MIZUHO 30 - 31年期利差收窄1 - 2bps，BBLTB 36 - 40年期收盘利差收窄1 - 3bps [1] - 保险债方面，CATLIF 34利差收窄1bp，NSINTW 34利差扩大1bp，MYLIFE/NIPLIF 55年期价格上涨0.1pt [1] - AT1债方面，BNP 7.75/HSBC 6.95永续债价格上涨0.2 - 0.4pt，EFGBNK 5.5/INTNED 4.25永续债价格上涨0.4 - 0.6pt [1] - 香港债券方面，DAHSIN/BNKEA 32 - 34年期因PB买盘利差收窄1 - 2bps，REGH 6.5永续债/HYSAN 4.1永续债/LASUDE 26价格下跌0.5 - 0.9pt [1] - 中资地产债方面，ROADKG 28 - 30年期价格下跌0.2 - 2.3pts，永续债价格不变，路劲对其三支永续债开展持有人识别工作 [1][2] - 其他债券方面，WESCHI 26因2025年上半年盈利预警价格上涨1.7pts，FOSUNI 25 - 28年期因复星宣布提前赎回价格上涨0.1 - 0.5pt，SEA的GLPSP永续债价格上涨0.4 - 0.5pt，VLLPM 29价格下跌0.7pt [1] - CNH债券方面，新发行的CNH TEMASE 1.85 30/TEMASE 2.05 35价格下跌0.1 - 0.2pt，TEMASE 2.55 55较平价上涨0.3pt，新发行的CNH CHMEDA 2 30/CHMEDA 2.3 35价格下跌0.2 - 0.3pt [1][2] - LGFV方面，CNH债券如LZINHO有双向买盘兴趣，LGENSO 27 - 35年期因2025年二季度营业利润环比一季度增长31%利差收窄1 - 3bps [2] - 国企永续债方面，CHPWCN永续债价格上涨0.1pt，SPICPD永续债价格下跌0.1pt [3] 最后交易日表现 | 表现最佳债券 | 价格 | 变动 | 表现最差债券 | 价格 | 变动 | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | WESCHI 4.95 07/08/26 | 92.3 | 1.7 | ROADKG 5.9 09/05/28 | 24.8 | -2.3 | | GRNLGR 5 7/8 07/03/30 | 23.2 | 1.3 | ROADKG 5.2 07/12/29 | 23.7 | -2.3 | | NSANY 7 3/4 07/17/32 | 101.4 | 0.7 | ROADKG 6.7 03/30/28 | 25.1 | -1.4 | | NSANY 4.81 09/17/30 | 91.4 | 0.6 | ROADKG 6 03/04/29 | 24.6 | -1.2 | | EFGBNK 5 1/2 PERP | 97.2 | 0.6 | REGH 6 1/2 PERP | 21.7 | -0.9 | [4] 宏观新闻回顾 - 周四，标普500指数上涨0.07%，道琼斯指数下跌0.70%，纳斯达克指数上涨0.18% [5] - 美国2025年7月S&P Global制造业PMI为49.5，低于市场预期的52.7；服务业PMI为55.2，高于市场预期的53.0 [5] - 特朗普和鲍威尔在美联储总部发生冲突，周四美国国债收益率上涨，2/5/10/30年期收益率分别为3.91%/3.98%/4.43%/4.96% [5] 分析员市场观点 - 维持对HYUELEs的买入评级，因其在贸易战中表现出韧性，市场地位稳固，经营现金流强劲，风险回报更平衡，其中更偏好HYUELE 1 ½ 01/19/26和HYUELE 2 ⅜ 01/19/31，因其现金价格较低 [6] - SK Hynix在2025年二季度实现创纪录的营收和营业利润，主要受领先科技公司积极的人工智能投资以及客户在关税政策变化前加速库存采购推动 [9] - DRAM比特出货量环比增长20%以上，ASP环比个位数增长；NAND比特出货量环比激增70%，但ASP因激烈的价格竞争环比个位数下降 [10] - SK Hynix预计2025年三季度DRAM比特出货量将实现低个位数至中位数增长，NAND比特出货量增长有限，2025年HBM需求将比2024年翻番 [11] - 截至2025年6月，SK Hynix现金余额环比增长19%至17.0万亿韩元，预计资本支出将高于原计划，M15X晶圆厂将于2025年四季度开业，2026年开始全面DRAM（包括HBM）生产，龙仁晶圆厂一期预计2027年二季度完工 [12] - 截至2025年6月，SK Hynix杠杆率降低，净债务环比减少46%至4.9万亿韩元，总债务/LTM EBITDA和净债务/LTM EBITDA分别降至0.5倍和0.1倍 [13] 离岸亚洲新发行债券 - 今日无离岸亚洲新发行债券定价 [17] - 管道项目方面，达州凯盛建设发展集团拟发行3年期美元债券，票面利率7.0%，未评级；四川自贡汇东发展拟发行3年期美元债券，票面利率6.8%，未评级；天津滨海新区建设投资集团拟发行3年期美元债券，票面利率5.8%，评级Baa2/-/- [17] 新闻及市场动态 - 昨日境内一级市场发行134只信用债，金额1370亿元，本月迄今发行1722只信用债，总金额1.842万亿元，同比增长15.8% [18] - 多家公司有相关动态，如Adani Enterprises与MetTube合作建设铜管生态系统，Adani Energy 2026年一季度EBITDA同比增长14.5%至201.7亿印度卢比（约2.335亿美元）等 [18]

HBM价格预测与市场格局 - 高盛预测2026年HBM价格或将下跌10%，主要因供过于求导致[1][3] - HBM定价权将从制造商转移至英伟达等客户，SK海力士垄断80%-90%英伟达订单的局面可能被打破[2] - 高盛将2026年HBM总目标市场预测下调13%至450亿美元，增长预期从45%下调至25%[3] 产能扩张与供需分析 - SK海力士计划2025年底HBM月产能达15万片晶圆，2026年继续扩建[5] - 三星2025年底HBM月产能预计15万片，2026年出货量或年增20%[5] - 美光2026年底月产能预计达9万片，加码2000亿美元投资涵盖HBM封装设施[5] - Exane BNP Paribas预测2025年底HBM月需求仅16.8万片，但ASIC市场需求未被全面考虑[5][6] 市场竞争格局 - SK海力士当前HBM市占率约50%，三星30%，美光20%[8] - 在HBM3E产品中SK海力士市占率高达70%，2024年出货量占比将超整体HBM50%[9] - 三星HBM3E产品未获英伟达验证，主要客户为AMD，已将12Hi产品晶圆投片量从7-8万片降至3-4万片[9][10] - SK海力士2025年HBM产品已售罄，订单能见度达2026年一季度[9] 产品迭代与技术发展 - 2026年超80%HBM需求将集中于HBM3e产品，12hi占比将过半[12] - SK海力士计划2024年下半年量产HBM4，三星准备向AMD和英伟达提供HBM4样品[15] - 美光已向主要客户送样12层堆叠36GB HBM4内存，计划2026年产能爬坡[15] - HBM4将采用16层堆叠，数据传输速率8Gbps，单堆栈带宽2.0TB/s[19] 长期技术路线图 - HBM5预计2029年推出，支持16层堆叠，单堆容量80GB，带宽4TB/s[19] - HBM6预计2032年推出，最大堆叠层数增至20层，容量96-120GB[20] - HBM7预计2035年推出，支持24层堆叠，容量160-192GB，带宽24TB/s[20] - HBM8预计2038年推出，容量200-240GB，带宽64TB/s，可能采用双面中介层设计[20]