最近，英特尔在电子元件技术大会（ECTC）上披露了多项芯片封装技术突破，尤其是EMIB-T，用于提 升芯片封装尺寸和供电能力，以支持HBM4/4e等新技术。 自新CEO陈立武上任以来，英特尔基本盘看来日益稳固，而新技术也进展颇大。 此外还包括新分散式散热器设计和新的热键合技术，可提高可靠性和良率，并支持更精细的芯片间连 接。 EMIB-T（Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV）：是嵌入式多芯片互连桥接封装技术的重 大升级版本，专为高性能计算和异构集成设计。 EMIB-T的技术升级主要集中在三个方面：引入TSV垂直互连、集成高功率MIM电容器和跃升封装尺寸 与集成密度。 首先，在传统EMIB的硅桥结构中嵌入硅通孔（TSV），实现了多芯片间的垂直信号传输。 与传统EMIB的悬臂式供电路径相比，TSV从封装底部直接供电，将电源传输电阻降低30%以上，显著 减少了电压降和信号噪声。 这项设计使其能稳定支持HBM4和HBM4e等高带宽内存的供电需求，同时兼容UCIe-A互连技术，数据 传输速率可达32 Gb/s+。 作者：周源/华尔街见闻 这些芯片设计依赖于日益 ...