掩模制造技术发展 - 曲线掩模版成为非EUV节点（如193i浸没式技术）的关键创新，通过多光束掩模刻写技术实现复杂形状，提升器件性能并降低成本 [3][4][5] - 计算工具（如掩模工艺校正MPC、高级仿真、机器学习）广泛应用，减少实验需求并突破技术极限 [3][6][7] - 曲线形状设计简化制造流程，ILT（逆向光刻技术）输出可制造的曲线形状，使物理掩模与目标形状匹配度更高 [5][7] 曲线掩模的应用障碍 - 基础设施不足：曲线形状的复杂性需重构掩模版图、工艺校正等流程，且缺乏多重图案化的清晰路线图 [8][9] - 计量技术滞后：曲线工艺需测量二维轮廓，现有工具难以满足高分辨率、大数据量需求，验证能力落后于刻写能力 [11][12] - EDA工具支持有限：曲线形状的标准文件格式未完全兼容，转换过程可能引入错误 [10] EUV防护膜的挑战与改进 - EUV防护膜存在能量损失（反射导致两次损耗）和耐用性问题，需频繁更换（每周一次），增加成本与复杂度 [13][14] - 内存应用因冗余设计倾向放弃防护膜，而高价值逻辑芯片（如GPU）仍需防护膜以避免致命缺陷 [14][16] - 新材料如碳纳米管薄膜可解决深紫外反射问题，但存在寿命短（<10,000次曝光）和碎裂风险，尚未大规模应用 [17] 行业技术趋势 - 混合OPC策略局部应用曲线形状，平衡计算负荷与性能优势 [6][10] - 高数值孔径（High-NA）可能推动单一图案曲线布局，简化逻辑实现难度 [8] - GPU计算资源需求增长，但多数掩模厂仍依赖CPU工作流程，制约曲线工艺普及 [9][12]

关键要点 在 DRAM 芯片中，存储器阵列包含最密集的特征，但至少它们是规则排列的。在阵列外部，规则 性会消失，但在最困难的情况下，间距仍然可以与阵列内的间距相当，尽管通常更大。这些特征包 括外围最低的金属线，用于感测放大器 (SA) 和子字线驱动器 (SWD) 电路。 一个关键的挑战是这些线条在外观上是蜿蜒曲折的，并且间距在一定范围内变化；局部最大/最小 间距比范围可以从~1.4 到 2。这些间距具有不同的聚焦窗口，而在 EUV 光刻中，这些窗口之间的 距离可能大于光刻胶厚度。 如果将布局相应地分割为带拼接的双重图案，则可以在单次曝光内实现间距均匀性（图 1）。布局 被分割成交替颜色的条纹，每种颜色分配给两次曝光中的一次。特征可能会跨越条纹边界；在这种 情况下，两次曝光需要在边界处正确拼接。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 semiwiki，谢谢。 图 1. 分割金属布局以实现缝合双重图案化，从而获得更好的间距均匀性。 或者，某些特征（如对角线）可能被禁止拼接，从而导致不同的布局分割（图 2）。 图 2. 或者分割金属布局以进行缝合双重图案化，从而实现更好的间距均匀性，避免对角线特 ...

创始人维姆·特罗斯特上周去世，他让光刻机成为欧洲最贵奢侈品。 文丨 邱豪 编辑丨龚方毅 黄俊杰 关于后来者能不能造出光刻机和先进芯片，业界盛传比亚迪董事长王传福的一个说法："这些是人造的，不 是神造的。" 最赞成王传福的可能包括光刻机巨头 ASML 总部的人。跟踪 ASML 超过十年的荷兰记者马克·希金克 （Marc Hijink）对我们说，"我在 ASML 问这个问题，他们总说，自然力量在北京与荷兰是一样的。没有 任何物理定律阻止其他人制造类似的机器"。 现在全球卖出的光刻机有九成来自 ASML。其独家的 EUV 极紫外光刻机几乎是生产先进芯片的唯一选择， 一台卖两三亿美元，可以称得上欧洲最贵的奢侈品。ASML 的市值也在今年首次超过奢侈品巨头，路易威 登的母公司 LVMH。 上周，ASML 创始人维姆·特罗斯特（Wim Troost）去世，享年 98 岁。40 年前，是特罗斯特费尽全力，飞 利浦才没有彻底砍掉亏损的光刻机业务，愿意让他们独立创业。ASML 成立之时，特罗斯特已经年近六 旬。第一批员工也是在飞利浦承诺失败后回来工作，才同意加入。这不是今天风险投资人看得上的创业团 队。 多年采访后，希金克相信 ...