台积电发展历程 - 公司成立于1986年，张忠谋担任董事长，启动资金4800万美元，资金来源包括行政院发展基金(48.3%)、飞利浦(27.5%)及其他台湾公司[2] - 1988年完成两轮融资2900万美元和2.05亿美元，总融资额达2.82亿美元[2] - 1987年开始生产，最初采用工研院2微米和3.5微米技术，后引入飞利浦3.0微米技术[2] 技术演进 - 1988年推出1.5微米技术[4] - 1994年上市时已发展至0.6微米三金属逻辑工艺和1.0微米BiCMOS工艺[7] - 1990-1994年间晶圆出货量达250万片，销售额从22亿新台币增长至193亿新台币[7] - 1997年推出0.35微米工艺，采用CMP技术并在源极/漏极上使用硅化钛[12] - 1998年营收达500亿新台币，出货120万片8寸当量晶圆[15] - 2000年推出180nm工艺，销售额较1999年增长127%，1992-2000年CAGR达50%[17][19][21] 产能扩张 - 1995年启用8英寸晶圆厂三号(Fab III)[9] - 2001年Fab 12开始生产300毫米晶圆，300毫米晶圆占总出货量4%[26] - 2006年拥有两座12英寸晶圆厂、五座8英寸晶圆厂、一座6英寸晶圆厂，年产能480万片8英寸当量[39] - 2006年第四季度GigaFab总产能达27.1万片300毫米晶圆[48] - 2009年晶圆出货量从180万片(8英寸当量)增长至770万片，年产能从190万片提升至1000万片[61] 市场地位 - 2006年成为全球最大晶圆代工厂商，销售额达97.48亿美元，比第二大代工厂商高出2.5倍以上[45][46] - 2009年拥有超过400家客户，生产超过7000种产品[61] - 2006-2009年营收从730亿新台币增长至2960亿新台币[62] 技术创新 - 2003年成为首家批量出货铜和低k电介质产品的公司[33] - 2004年推出90纳米工艺，全球首个实现全面量产的12英寸、低k、90纳米工艺[37] - 2007年开发55纳米工艺[54] - 2010年宣布28纳米工艺将采用后栅极HKMG技术[66] - 2012-2013年28纳米制程产能扩张，占营收22%和34%[86] - 2014年20纳米产品开始量产，28纳米制程占营收42%[86] 未来发展 - 2010年宣布20纳米节点将在2012年推出[83] - 2011年启动14纳米FinFET全面开发[84] - 2012年Fab 15一期设备搬入，计划2012年初量产[84] - 2014年后推进至22nm、16nm、10nm、7nm、5nm、3nm等更先进制程[89]