公司概况 - 联华电子股份有限公司成立于1980年5月，总部位于新竹科学园区，全球员工约20,000人，实收资本额为新台币1,256.07亿元 [4] - 公司主营业务为专业晶圆制造整合服务，提供逻辑/混合信号、嵌入式高压解决方案、嵌入式非挥发性内存、RFSOI及BCD等完整制程技术及制造解决方案 [4] - 2024年合并营业收入为新台币2,323.03亿元，合并营业成本为新台币1,566.49亿元 [4] 全球产能分布 - 公司构建了以中国台湾为创新引擎、中国大陆为市场支点、新加坡为战略缓冲、日本为生态补充的多极协同制造网络 [7] - 中国台湾基地集中了最先进的制造能力，12英寸晶圆月产能稳定在9万至10.7万片，主要用于28纳米、22纳米等先进制程，产能利用率长期保持在90%以上；8英寸晶圆月产能约30万片（相当于12万片12英寸晶圆产能） [8] - 中国大陆厦门联芯12英寸晶圆厂采用分阶段建设，每阶段规划月产能1.5万片，全部建成后总产能达每月3万片，主要生产28纳米和22纳米制程产品，客户以中国大陆设计公司为主 [9] - 新加坡基地Phase 1和Phase 2产线已投入运营，月产能合计约1.5万片，主要生产40纳米及以上成熟制程产品；P3产线预计2025年下半年量产，四期项目全部建成后总产能将达每月4.5万片12英寸晶圆 [10] - 日本三重县工厂通过收购获得，月产能约为3万片12英寸晶圆，主要服务于日本当地的汽车电子、工业设备等领域客户 [12] 技术节点抉择 - 公司战略聚焦于28纳米、22纳米等"长生命周期节点"的深度耕耘与价值挖掘，放弃在尖端制程上进行昂贵的"军备竞赛" [14] - 28纳米和22纳米制程构成公司最坚实的业绩支柱，在12英寸晶圆产能分配中合计占据约60%份额，广泛应用于智能手机应用处理器/基带、Wi-Fi/蓝牙芯片、电视显示驱动IC及各类物联网设备主控芯片 [16] - 22纳米工艺是对28纳米的光罩微缩优化，可将芯片尺寸缩小约10%，为客户带来显著的单位成本降低，性能提升通常不到5% [17] - 14纳米制程研发于2017年完成，累计投入约2亿美元，但因量产时间比行业领导者晚约两年半，目前月投片量维持在2500至3000片的较低水平 [18] - 公司与英特尔达成历史性合作，授权其12纳米技术用于英特尔自有工厂生产，采用"技术授权+联合开发"的轻资产模式，但大规模产品出货时间点预计在2027年左右 [19] - 公司积极布局"超越摩尔"领域，位于新竹的6英寸晶圆厂超过80%产能用于生产氮化镓和碳化硅等化合物半导体，应用于新能源汽车、快速充电、5G通信基站等高频、高功率场景 [20] 客户生态与市场竞争 - 在显示驱动IC领域拥有稳固的"基本盘"，核心客户群包括联咏、矽创和瑞昱等台湾本土设计公司巨头，构建了坚实的护城河 [23] - 在模拟与混合信号芯片领域客户画像更为多元化与国际化的，前五大客户包括英伟达和高通等国际半导体巨头，传统模拟芯片龙头德州仪器在公司的产能占比已低于10% [24] - 中芯国际被视为公司在中长期内最强劲的竞争者，凭借国家产业政策支持、庞大的本土市场需求及持续的技术投入，在28纳米等关键节点上形成强大的成本竞争力与产能规模效应 [26] - 对于竞争对手格芯，公司展现出充分的战略自信，认为其FD-SOI技术路线在长期可靠性和极端环境下的耐用性方面与公司所采用的体硅平面工艺存在差异，难以在车规级、工业控制等市场构成实质性威胁 [27] 供应链策略与未来增长 - 核心设备和材料供应链依赖全球顶级品牌，硅片主要采购自信越化学、胜高及环球晶圆，光刻设备以阿斯麦的immersion光刻机为主力，刻蚀、薄膜沉积等关键工艺环节由应用材料、泛林研发和东京电子主导 [30] - 对于中国大陆和韩国的半导体设备厂商持有非常审慎的态度，出于技术保密与地缘政治风险的双重考量，直接采购行为非常稀少 [32] - 未来产能扩张预计沿用"收购为主，自建为辅"的稳健财务策略，倾向于收购在德国、日本或美国等发达经济体中因运营成本高企而寻求出售的现有晶圆厂 [33] - 公司进军先进封装领域，专注于为台积电CoWoS流程提供关键的硅中介层，当前月产能约为1500片，计划年底前提升至3000片，明年进一步扩产至6000片，以抓住AI芯片供应链的"溢出红利" [34]

台积电发展历程 - 公司成立于1986年，张忠谋担任董事长，启动资金4800万美元，资金来源包括行政院发展基金(48.3%)、飞利浦(27.5%)及其他台湾公司[2] - 1988年完成两轮融资2900万美元和2.05亿美元，总融资额达2.82亿美元[2] - 1987年开始生产，最初采用工研院2微米和3.5微米技术，后引入飞利浦3.0微米技术[2] 技术演进 - 1988年推出1.5微米技术[4] - 1994年上市时已发展至0.6微米三金属逻辑工艺和1.0微米BiCMOS工艺[7] - 1990-1994年间晶圆出货量达250万片，销售额从22亿新台币增长至193亿新台币[7] - 1997年推出0.35微米工艺，采用CMP技术并在源极/漏极上使用硅化钛[12] - 1998年营收达500亿新台币，出货120万片8寸当量晶圆[15] - 2000年推出180nm工艺，销售额较1999年增长127%，1992-2000年CAGR达50%[17][19][21] 产能扩张 - 1995年启用8英寸晶圆厂三号(Fab III)[9] - 2001年Fab 12开始生产300毫米晶圆，300毫米晶圆占总出货量4%[26] - 2006年拥有两座12英寸晶圆厂、五座8英寸晶圆厂、一座6英寸晶圆厂，年产能480万片8英寸当量[39] - 2006年第四季度GigaFab总产能达27.1万片300毫米晶圆[48] - 2009年晶圆出货量从180万片(8英寸当量)增长至770万片，年产能从190万片提升至1000万片[61] 市场地位 - 2006年成为全球最大晶圆代工厂商，销售额达97.48亿美元，比第二大代工厂商高出2.5倍以上[45][46] - 2009年拥有超过400家客户，生产超过7000种产品[61] - 2006-2009年营收从730亿新台币增长至2960亿新台币[62] 技术创新 - 2003年成为首家批量出货铜和低k电介质产品的公司[33] - 2004年推出90纳米工艺，全球首个实现全面量产的12英寸、低k、90纳米工艺[37] - 2007年开发55纳米工艺[54] - 2010年宣布28纳米工艺将采用后栅极HKMG技术[66] - 2012-2013年28纳米制程产能扩张，占营收22%和34%[86] - 2014年20纳米产品开始量产，28纳米制程占营收42%[86] 未来发展 - 2010年宣布20纳米节点将在2012年推出[83] - 2011年启动14纳米FinFET全面开发[84] - 2012年Fab 15一期设备搬入，计划2012年初量产[84] - 2014年后推进至22nm、16nm、10nm、7nm、5nm、3nm等更先进制程[89]