台积电2nm工艺进展 - A20芯片制程存在分歧：GF Securities报告称iPhone 18系列A20芯片采用台积电第三代3nm工艺N3P 但分析师Jeff Pu反驳称基于2nm制程 [2] - 台积电2nm试产进展：新竹宝山工厂已启动试产 初期良率达60% 计划2025年下半年进入批量生产阶段 [2] - 产能规划：摩根士丹利预测2025年台积电2nm月产能从1万片（试产）提升至5万片（量产） 但iPhone 17系列A19处理器可能仍采用N3P而非2nm [2] 2nm工艺技术优势 - 性能提升：2nm较3nm在相同电压下功耗降低24%-35% 性能提高15% 晶体管密度达3nm的1.15倍 [2] - 技术支撑：采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管及N2 NanoFlex设计优化技术实现指标突破 [2] 晶圆价格与成本传导 - 价格对比：2nm晶圆单价超3万美元 显著高于3nm的1.85万-2万美元 [3] - 行业影响：先进制程高报价或促使厂商将成本压力转嫁至下游客户及终端消费者 [3]

半导体制造技术进展 - 英特尔和台积电在ISSCC上展示了使用最新技术（英特尔18A和台积电N2）构建的SRAM存储器电路，最密集的SRAM块提供38.1兆比特/平方毫米，存储单元为0.021平方微米 [1] - 英特尔SRAM密度提高了23%，台积电提高了12%，而Synopsys使用上一代晶体管实现了相同密度但运行速度不到上一代的一半 [1] - 两家公司首次采用纳米片晶体管架构取代FinFET，纳米片设计用硅带堆叠替代鳍片，可灵活调整宽度以增加电流驱动能力 [2] 纳米片技术优势 - 纳米片晶体管为SRAM单元尺寸提供了更大灵活性，减少了晶体管间的意外差异，提高了SRAM的低压性能 [2] - 英特尔利用纳米片将下拉晶体管做得比传输门器件更宽，使单元面积最多减少23%，并推出高密度和高电流两种版本 [3] - 台积电通过纳米片延长位线长度至512位（原256位），使密度提高近10% [4] 创新电源架构 - 英特尔18A首次采用背面供电网络，将电源互连移至硅片下方，减小电阻并为信号互连释放空间，但会使SRAM位单元面积扩大10% [3] - 台积电尚未采用背面供电，但通过纳米片晶体管实现了电路级改进 [4] 竞争技术对比 - Synopsys在3nm FinFET技术上通过改进外围电路设计（接口双轨架构+扩展范围电平转换器）达到与纳米片相当的密度 [4][5] - Synopsys SRAM运行速度（2.3GHz）显著低于台积电（4.2GHz）和英特尔（5.6GHz） [6] - Synopsys设计支持位单元电压540mV-1.4V，外围电压可低至380mV，大幅降低功耗 [6] 行业影响 - 分析师认为纳米片技术使SRAM比其他代产品具有更好的扩展性 [2] - Synopsys在3nm节点实现同等密度被认为令人印象深刻，展示了工艺节点的持续创新潜力 [7]