存储芯片行业动态 - 5月DDR4单月涨幅达53%，创2017年以来最大涨幅 [1] - 全球前三大DRAM厂商（三星、SK海力士、美光）全部退出DDR4市场，美光预计未来2~3个季度陆续停止出货 [1] - 美光DDR4和LPDDR4未来主要供应车用、工业、网通领域的长期合作客户 [1] - 三星多款8GB、16GB DDR4模组将于12月10日停产，SK海力士同步关停DDR4生产线 [1] 市场供需与价格趋势 - HBM需求受算力芯片提振，产业链有望加速成长 [2] - 存储芯片受益于供应端推动涨价、库存回归正常、AI带动HBM/SRAM/DDR5需求上升 [2] - 海外厂商2024年底减产10%~15%中低端产能，2025年渠道库存逐步恢复正常 [2] - 25Q1存储芯片价格降幅环比收窄，部分中低端品类已现涨价迹象，模组厂近期涨价约10% [2] 国内厂商布局 - 协创数据以"终端+存储+算力"三驾马车驱动业务 [3] - 兆易创新专注存储芯片、MCU及传感器，为国内存储芯片龙头 [3] - 佰维存储通过"研发封测一体化"模式切入AI终端、智能汽车、算力基建等高增长赛道 [3]

公司基本信息 - 投资者关系活动类别为特定对象调研 [2] - 参与单位有西部证券、摩根大通、平安证券 [2] - 活动时间为 2025 年 6 月 5 日，方式是现场交流会 [2] - 上市公司接待人员为董事会秘书张敏 [2] 存储芯片情况 产品结构 - 市场分类上，汽车占比 40%多，工业医疗占比 30%多，其他占比 20%左右 [2] - 产品分类上，DRAM 占比一半左右 [2] 代工厂 - 目前在力积电，更高工艺会在其他家 [2] 3D DRAM - 还在研发中，进展基本符合预期 [2] - 因可满足个性化需求，能提供更好带宽和功耗支持，不少客户感兴趣，但市场总体在探索阶段，今年无量产产品 [2] 产品线占比 - 2024 年存储芯片收入占比 61.47% [3] DDR4 及相关 - DDR4、LPDDR4 占比不大，25nm 工艺成本高影响销售，20nm、18nm、16nm 工艺 DRAM 产品预计今年陆续推向市场后，其占比会提升 [3] 汽车领域应用 - 可用于车身、仪表盘、座舱、域控等 [3] 计算芯片情况 市场产品分类占比 - 主要是消费市场，消费类安防市场收入占比约 80%，其他包含生物识别、二维码设备等各类智能硬件市场 [3] 产品线占比 - 2024 年计算芯片收入占比 25.88% [3] 模拟与互联芯片情况 产品线占比 - 2024 年模拟与互联芯片收入占比 11.19% [3] 毛利率 - 今年一季度将近 50%，相对稳定，未来因市场竞争可能有一定波动但幅度不大 [3] 其他情况 并购计划 - 目前没有合适项目 [3] SRAM 市场 - 全球市场不具成长性，公司的 SRAM 相对稳定 [3] EDA 限制影响 - 目前还不好确定 [3] 研发情况 - 三个产品有不同研发团队，根据需求规划人员和研发计划，近年来研发人员每年略有增长 [3] 芯片价格调整 - 计算芯片消费市场竞争激烈，价格波动大 [3][4] - 存储芯片行业市场价格相对稳定 [4] - 模拟芯片因 TI、英飞凌等价格策略激进，且有国内友商，市场竞争激烈，可能需适当调整价格获取市场 [4]

纪要涉及的公司 GSI（GSIT），一家成立30年的上市公司，2007年2月上市，与台积电合作获取晶圆，主要提供高密度、高性能存储器产品，同时投入APU（AI芯片）研发 [2][3] 纪要提到的核心观点和论据 公司现状 - 公司在2025财年结束时营收为2050万美元，全球有25名员工，多数为工程师，已投入超1.5亿美元用于APU开发，拥有1340万美元现金及等价物，无债务，市值略低于1亿美元，内部持股比例为27% [4][5][6] - 传统SRAM产品线盈利，主要增长来自Sigma Quad系列，该系列在密度和性能方面独家供应，无竞争，能保持高ASP和利润率，还将其拓展到航天领域的辐射硬化和耐受产品 [6][7] 市场机会 - 航天市场TAM以略低于10%的复合年增长率增长，AI行业复合年增长率超20%，两个市场均有增长潜力，且与公司在SRAM的专业知识有协同效应 [8] - 航天辐射硬化和耐受产品市场ASP高，商业产品售价200 - 300美元，航天用产品ASP可达3万美元/设备，辐射耐受产品为3000 - 4000美元/设备，市场机会约1亿美元，公司目标是长期获取10 - 20%的市场份额 [9][10][11] APU（AI芯片）优势 - APU是真正的内存计算技术，与GPU和CPU有根本区别，第一代APU有200万个位处理器，具有极高的并行处理能力，且内存和处理单元在同一位置，无需来回传输数据，可节省功耗 [12][14][15] - APU的位处理器可由客户自定义分辨率和位宽，且能在不同周期改变，具有前瞻性，还可像内存一样级联扩展，具备可扩展性 [17][18][20] APU产品系列 - **Gemini one**：用于展示独特技术，面向快速向量搜索、地球SAAR图像创建和数据库索引构建等利基市场 [21] - **Gemini two**：去年看到第一颗硅片，预计未来几周推出生产级第二颗硅片，可用于卫星或无人机上的SAR成像，目前正寻求政府资金进行辐射测试 [24][25][32] - **PLATO**：下一代芯片，针对边缘多模态生成AI和大语言模型，目标功耗低于10瓦，可由电池供电，已与客户就无人机、汽车和监控等领域进行讨论 [26][27] 财务情况 - 过去几个季度营收增长，去年约为450万美元，主要归因于AI建设对SRAM的需求，最大客户为KYEC，同时在GPU硬件设计的仿真和模拟领域也有显著增长 [37][38] - 上一季度运营成本降至560万美元，现金为1340万美元，上季度现金消耗略超150万美元，若情况无改善，现金可维持约两年，但预计未来营收增长将减缓现金消耗 [40] - 过去一年多赢得三项SBIR（小企业创新研究）资助，分别来自太空发展局、美国空军实验室和美国陆军，金额分别为125万美元和110万美元，视为研发成本的抵消，目前管道中有约600万美元的SBIR申请 [41][42] 未来规划 - 未来几个月将有Gemini two的生产级硬件，并向包括空军在内的客户发货，本季度将交付YOLO算法 [44][45] - 寻求为PLATO通过客户合作伙伴融资，为Gemini two与Needham and Company合作进行股权融资，同时考虑资产剥离、IP授权、并购等其他途径 [46][47] 其他重要但是可能被忽略的内容 - SAAR指合成孔径雷达，类似LIDAR，使用微波，适用于夜间和恶劣天气，如CNN上的乌克兰战争图像可能是SAR生成的 [22][23] - AWS工程师曾计算，用12个英特尔至强铂金节点进行10亿数据集搜索需2400瓦/小时，而用一个Gemini芯片加一个英特尔主机只需240瓦/小时，仅为其功耗的10% [30][31] - 公司认为市场低估了其IP和技术的价值，公司技术独特且有专利保护，但股价未反映其价值 [59] - 公司认为自己是唯一真正的内存计算（CIM）公司，虽有其他公司提及CIM，但实际为近内存处理，公司技术受专利保护 [61][62]

股价表现 - 公司股价自2025年3月31日季度财报发布后上涨8.1%，同期标普500指数仅上涨0.7% [1] - 过去一个月股价累计上涨47.5%，远超标普500指数2.8%的涨幅 [1] 财务业绩 - 2025财年第四季度净亏损收窄至每股9美分，上年同期为每股17美分 [2] - 季度净收入590万美元，同比增长14% [2] - 毛利率提升至56.1%，上年同期为51.6% [2] - 净亏损从上年同期的430万美元收窄至220万美元 [2] - 全年收入2050万美元，同比下降5.7%，但净亏损从2010万美元收窄至1060万美元 [11] 运营指标 - 季度运营费用从上年同期的720万美元降至560万美元 [3] - 研发费用从480万美元降至300万美元，部分得益于SBIR计划90万美元的政府资助 [3] - SG&A费用从240万美元微增至260万美元 [3] - 全年研发费用从2170万美元降至1600万美元 [9] 客户结构 - KYEC销售额增至170万美元，占收入比重从10.6%提升至29.5% [4] - 诺基亚销售额降至40万美元，占比从13.5%降至7.5% [4] - 军工销售占比从35.5%略降至30.7% [4] - SigmaQuad产品保持稳定，占出货量39.3% [4] 战略进展 - 传统SRAM产品需求强劲 [5] - 获得北美主要承包商辐射硬化SRAM芯片首单，预计2026财年将获追加订单 [5] - Gemini-II APU芯片和Leda-2板卡预计2026财年一季度量产 [6] - Plato处理器新增内置摄像头接口，适用于边缘AI应用 [7] 资产处置 - 完成Sunnyvale总部售后回租交易，获得580万美元收益 [13] - 营运资本从2470万美元降至1640万美元 [13] - 截至2025年3月31日，现金及等价物1340万美元，股东权益2820万美元 [13] 业绩展望 - 预计2026财年一季度收入550-630万美元 [12] - 预计毛利率56-58% [12] - SRAM需求持续强劲，Gemini-II商业化进展将支撑短期增长 [12]

3D-IC技术竞争格局 - 英特尔、台积电和三星代工厂正在竞相提供完整的3D-IC基础组件，以实现未来几年内性能大幅提升和功耗最小化[1] - 3D-IC实现需要新材料、更薄基板处理、背面供电方案、桥接器技术、多芯片通信接口标准和新互连技术[1] - 该技术还要求EDA工具、数字孪生、多物理场仿真等领域的重大变革，并在设计到制造流程中融入人工智能[1] 3D-IC发展驱动力 - ChatGPT推出和AI数据中心建设推动了完整芯片堆叠技术的发展[1] - 分解SoC并采用先进封装成为趋势，小型功能芯片集比大型SoC良率更高且设计成本更低[4] - 内存墙问题成为关键挑战，HBM和SRAM结合成为解决方案，HBM4拥有2048个通道[4] 主要厂商技术路线 - 英特尔展示14A逻辑层直接堆叠在SRAM层上方的架构[5] - 台积电开发面对面集成技术，互连间距从9微米缩小至5微米以下[8] - 三星计划从2027年开始在SF2P上堆叠SF1.4芯片[11] - 台积电A14节点速度提升15%，功耗降低30%，逻辑密度提升1.23倍[23] 散热挑战与解决方案 - 散热是3D-IC最大挑战，可能导致芯片堆叠破裂[14] - 解决方案包括导热通孔、蒸汽帽、微流体技术、热界面材料和浸没冷却[12][13] - 背面供电技术成为关键，英特尔PowerVia、台积电Super Power Rail和三星SF2Z分别在不同节点推出[14] 光互连技术 - 共封装光学器件被纳入主要代工厂发展规划，光传输数据更快且功耗更低[15] - 光互连面临波导设计挑战，不能有直角且需要光滑表面[16] - 英特尔指出光纤技术允许太比特级带宽在机架间传输，正发展直接连接计算集群的方案[19] 未来应用场景 - 初期应用集中在AI数据中心，未来可能扩展至增强现实眼镜和人形机器人[27] - 人形机器人需要大量硅片支持AI能力、传感能力和功率输出[28] - 汽车自动驾驶被视为机器人发展的第一步，需要先进硅片支持[28] 行业挑战与机遇 - 3D-IC是将晶体管数量扩展到数千亿乃至数万亿的唯一途径[26] - 更薄电介质和基板可能加速损坏，导致串扰和信号干扰问题[26] - 行业需要建立弹性、稳健、分布式先进节点硅片供应链[30]

半导体制造技术进展 - 英特尔和台积电在ISSCC上展示了使用最新技术（英特尔18A和台积电N2）构建的SRAM存储器电路，最密集的SRAM块提供38.1兆比特/平方毫米，存储单元为0.021平方微米 [1] - 英特尔SRAM密度提高了23%，台积电提高了12%，而Synopsys使用上一代晶体管实现了相同密度但运行速度不到上一代的一半 [1] - 两家公司首次采用纳米片晶体管架构取代FinFET，纳米片设计用硅带堆叠替代鳍片，可灵活调整宽度以增加电流驱动能力 [2] 纳米片技术优势 - 纳米片晶体管为SRAM单元尺寸提供了更大灵活性，减少了晶体管间的意外差异，提高了SRAM的低压性能 [2] - 英特尔利用纳米片将下拉晶体管做得比传输门器件更宽，使单元面积最多减少23%，并推出高密度和高电流两种版本 [3] - 台积电通过纳米片延长位线长度至512位（原256位），使密度提高近10% [4] 创新电源架构 - 英特尔18A首次采用背面供电网络，将电源互连移至硅片下方，减小电阻并为信号互连释放空间，但会使SRAM位单元面积扩大10% [3] - 台积电尚未采用背面供电，但通过纳米片晶体管实现了电路级改进 [4] 竞争技术对比 - Synopsys在3nm FinFET技术上通过改进外围电路设计（接口双轨架构+扩展范围电平转换器）达到与纳米片相当的密度 [4][5] - Synopsys SRAM运行速度（2.3GHz）显著低于台积电（4.2GHz）和英特尔（5.6GHz） [6] - Synopsys设计支持位单元电压540mV-1.4V，外围电压可低至380mV，大幅降低功耗 [6] 行业影响 - 分析师认为纳米片技术使SRAM比其他代产品具有更好的扩展性 [2] - Synopsys在3nm节点实现同等密度被认为令人印象深刻，展示了工艺节点的持续创新潜力 [7]