如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 超亮、高效的自由电子激光器（FELs）有望提供更高的功率，提升吞吐量并将光刻技术扩展至亚纳米尺度 。 当半导体器件特征尺寸逼近原子量级，行业最先进的生产设备——ASML NXE和EXE极紫外光刻机正面临光子 技术瓶颈。自由电子激光器采用相对论电子束产生比传统激光亮数百万倍的光源，有望以半数能耗实现四倍功 率输出。本文深入解析FEL技术原理，探讨其如何破解当前光刻瓶颈，并为迈向亚纳米工艺节点铺平道路。 追逐摩尔定律，迈向原子尺度 试想用电线杆粗细的巨笔书写姓名——这正是现代半导体制造在摩尔定律驱动下面临的精度挑战。 1965年，戈登·摩尔提出，晶体管密度大约每两年翻一番。这一预测几十年来一直是半导体行业的基准与自我 实现的预言，塑造了行业的发展轨迹。1970年，每块芯片仅包含上千个晶体管；如今，单块芯片的晶体管数 量已超过1000亿，部分实验性器件甚至实现了超过1万亿个晶体管的集成。 要维持这样的发展速度，需要实现重大的技术突破，其中最具挑战性的莫过于极紫外光刻技术。该技术的工作 波长为13.5纳米（是此前深紫外技术波长的1/10），是实现近原子尺度半导体特征的关键。 ...