半导体工艺技术进展 - 三星成立专门团队开发1nm工艺，目标2029年实现量产，但尚未购置关键的高数值孔径EUV曝光设备 [1][2] - 三星2nm GAA工艺试产良率达30%，较3nm GAA有所提升，但仍有改进空间 [1] - 台积电已开始接受2nm晶圆订单，并着手开发1.4nm节点，技术竞争加剧 [1] - 三星可能因资源集中至2nm技术而取消1.4nm制程开发 [2] 三星半导体业务调整 - 三星将晶圆代工部门人员调往HBM业务，以应对下一代HBM4开发需求，但引发代工部门人才流失担忧 [4][5] - HBM3E市场失利导致三星被SK海力士和美光超越，未能通过NVIDIA质量测试 [4] - SK海力士Q1 DRAM市场份额达36%，超越三星的34%，主要得益于HBM技术优势 [5] - 三星计划利用代工工艺能力实现HBM4逻辑芯片定制化生产，试图扭转竞争劣势 [5] 内部管理挑战 - 晶圆代工部门员工非正式调动至内存部门已持续半年，引发技术开发人才短缺风险 [6] - 部门间薪资差距和人员流动导致内部士气下降，可能激化业务冲突 [6] - 管理层面临平衡代工与存储器业务资源分配的困境，需防止市场份额进一步被台积电挤压 [6] 行业竞争格局 - 半导体行业技术竞赛聚焦1nm及以下先进制程，三星与台积电为关键竞争者 [1][2] - HBM技术成为DRAM市场关键变量，SK海力士凭借先发优势实现市场份额反超 [5]