如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器 (DRAM)作为主存储器，为处理单元检索 数据和程序代码提供临时存储空间。DRAM 技术凭借其高速运行、高集成度、高性价比和卓 越可靠性，在许多电子设备中得到了广泛应用。 DRAM 位单元（即存储一位信息的元件）具有非常基本的结构。它由一个电容器 (1C) 和一个集 成在电容器附近的晶体管 (1T) 组成。电容器的作用是存储电荷，而晶体管则用于访问电容器，以 便读取存储的电荷量或存储新的电荷。1T-1C 位单元排列成包含字线和位线的阵列，字线连接到 晶体管的栅极，栅极控制对电容器的访问。通过位线感测电容器上存储的电荷，可以读取存储器状 态。 多年来，存储器社区通过持续的位单元密度扩展，推出了后续几代DRAM 技术。当前的 DRAM 芯片属于"10nm 级"（表示为 D1x、D1y、D1z、D1α……），其中存储器单元阵列中活动区域的 半间距范围从 19nm 到 10nm。人工智能驱动下对性能更佳、容量更大的 DRAM 的需求，正推动 研发进入 10nm 以后的时代。这需要电容器、存取晶体管和位单元架构的创新。此类创新的例子 ...