台积电发展历程 - 公司成立于1986年，张忠谋担任董事长，启动资金4800万美元，其中行政院发展基金占48.3%，飞利浦占27.5%[4] - 1988年完成两轮融资，总额2.82亿美元，1987年开始生产，最初采用工研院的2微米和3.5微米技术[4] - 1994年上市时已发展到0.6微米三金属逻辑工艺，1990-1994年间晶圆出货量达250万片，销售额从22亿新台币增长至193亿新台币[7] 技术演进 - 1995年引入钨塞改善平坦化工艺，1997年采用CMP技术并推出0.35微米工艺[11][13] - 1998年推出0.25微米工艺，采用氟硅酸盐玻璃作为低k介电材料，营收达新台币500亿元[14] - 2000年180纳米工艺采用FSG电介质，销售额较1999年增长127%，1992-2000年CAGR达50%[19][21] - 2004年推出90纳米工艺，首次在300毫米晶圆上全面量产，被30多家客户采用[37] - 2010年宣布28纳米工艺采用后栅极HKMG技术，提供高性能、低功耗等多个版本[64][67] 产能扩张 - 2006年第四季度300毫米晶圆总产能达27.1万片，被IC Insights列为全球第四大IC厂商[46][49] - 2009年晶圆出货量达770万片8英寸当量，年产能提升至1000万片，营收从730亿新台币增长至2960亿新台币[61] - 2011年Fab 12和Fab 14月产能超27万片，Fab 15建成后将增加10万片以上月产能[80] 行业地位 - 2006年成为全球最大晶圆代工厂商，销售额比第二大厂商高出2.5倍以上[46] - 2009年拥有超过400家客户，全年生产7000多种产品[61] - 2014年20纳米产品量产，第四季度28纳米工艺占营收42%[83]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器 (DRAM)作为主存储器，为处理单元检索 数据和程序代码提供临时存储空间。DRAM 技术凭借其高速运行、高集成度、高性价比和卓 越可靠性，在许多电子设备中得到了广泛应用。 DRAM 位单元（即存储一位信息的元件）具有非常基本的结构。它由一个电容器 (1C) 和一个集 成在电容器附近的晶体管 (1T) 组成。电容器的作用是存储电荷，而晶体管则用于访问电容器，以 便读取存储的电荷量或存储新的电荷。1T-1C 位单元排列成包含字线和位线的阵列，字线连接到 晶体管的栅极，栅极控制对电容器的访问。通过位线感测电容器上存储的电荷，可以读取存储器状 态。 多年来，存储器社区通过持续的位单元密度扩展，推出了后续几代DRAM 技术。当前的 DRAM 芯片属于"10nm 级"（表示为 D1x、D1y、D1z、D1α……），其中存储器单元阵列中活动区域的 半间距范围从 19nm 到 10nm。人工智能驱动下对性能更佳、容量更大的 DRAM 的需求，正推动 研发进入 10nm 以后的时代。这需要电容器、存取晶体管和位单元架构的创新。此类创新的例子 ...