行业与公司 * 涉及的行业为**半导体先进封装产业**[1] * 涉及的公司包括： * **国际厂商**：台积电、英特尔、三星、日月光[4] * **国内厂商**：长电科技、盛合晶微、甬矽电子[1][7] * **芯片设计公司**：英伟达（NVIDIA）、AMD、华为（升腾）、寒武纪[1][6] 核心观点与论据 * **产业地位与必然性**：先进封装已成为超越摩尔定律、解决先进制程物理瓶颈、成本与性能约束的**关键路径**[1][2] * **物理极限约束**：制程推进至7nm、5nm及以下后，量子隧穿效应导致漏电功耗显著上升，继续微缩的性价比下降[2] * **成本约束**：制程复杂度提升推动整体成本呈指数级增长[2] * **性能瓶颈约束**：芯片内外传输路径过长带来高损耗，使算力难以有效释放[2] * **技术路径**：通过倒装、TSV、RDL等技术实现更短互联距离与更高互联密度，从而提升带宽、降低延迟与功耗[1][3] * **技术路线与核心差异**： * **2.5D vs 3D封装**：2.5D核心是**水平集成**，多颗芯片通过硅中介层互联；3D核心是**垂直集成**，芯片直接堆叠，互联密度与带宽通常更高[5] * **CoWoS细分形态**： * **CoWoS-S**：采用硅中介层与TSV，**性能优、工艺成熟**，但成本较高，是NVIDIA H100/A100及AMD MI300等旗舰AI芯片的**主流方案**[1][6] * **CoWoS-R**：采用有机RDL中间层，**灵活性高、成本相对更低**，适用于对成本敏感的网络通信与边缘AI芯片等场景[6] * **CoWoS-L**：采用硅桥局部互联，**平衡性能与成本**，更适配未来超大尺寸AI芯片方案[1][6] * **产业演进趋势**： * **CoWoS-L渗透**：在台积电为英特尔提供的2.5D封装中，**约60%** 采用CoWoS-L工艺[1][6] * **国内工艺迁移**：以华为升腾、寒武纪为代表的AI芯片，随着出货量提升，理论上将逐步从CoWoS-S向CoWoS-L工艺倾斜[6] * **新技术产业化进度**： * **CoPoS**：以矩形面板替代圆形硅中介层，可将材料利用率从**70%-75%** 提升至**100%**[1][7]；台积电计划**2026年试产、2027年量产**；国内盛合晶微、长电、甬矽处于**调研打样阶段**[1][7] * **CoWoP**：旨在取消昂贵的基板环节，直接将芯片组合安装至PCB，但受限于热膨胀系数差异及信号线宽要求，目前仍处于**概念调研阶段**[1][7] 其他重要内容 * **国内技术现状**：国内现阶段CoWoS形态严格意义上属于**2.5D水平集成**，长电科技XDFOI已布局类似2.5D CoWoS的形态，而3D垂直集成（如HBM）仍需中介层具备功能性实现[1][4][5] * **市场与配置观点**：在宏观扰动背景下，科技进步仍是全球中长期主线，若宏观冲击导致科技板块短期回撤，可能构成中长期主线资金的较优介入窗口；核心催化包括英伟达GTC大会及后续行业会议[2]