内存市场规模与增长 - 2025年内存市场规模有望连续第二次创下2000亿美元纪录，受数据中心AI训练工作负载需求激增带动 [2] - 2024-2030年全球HBM收入将以33%的复合年增长率增长，到2030年HBM在DRAM市场份额将达到50% [2] - NOR闪存市场2024年同比增长约15%，得益于出货量增长和价格环境改善 [2] 行业竞争格局 - SK海力士、三星和美光积极提升良率并扩大生产规模，应对2025年预计出现的缺货局面 [6] - 中国加大内存制造本土化力度，技术差距缩小，战略延伸至个人电脑和消费电子领域 [6] - NAND行业面临消费需求弱于预期和供应链库存上升压力，供应商降低晶圆厂利用率和减产以恢复市场平衡 [2] 技术创新趋势 - CMOS键合成为实现更高密度、高性能存储器件的重要解决方案，长江存储Xtacking™架构实现晶圆间混合键合 [7] - 3D NAND器件未来可能需要键合三个不同晶圆（逻辑芯片+双存储阵列）以实现超过500层扩展 [7] - DRAM领域预计平面设计将通过0c/0d节点发展，6F² DRAM单元将被基于CMOS键合布局的4F²单元架构取代 [8] - 主要DRAM供应商积极探索3D集成途径，包括1T-1C单元和无电容器结构 [8] - 半导体设备公司如应用材料、泛林集团和东京电子加大投资应对3D DRAM制造工艺挑战 [8]

公司业绩与增长预期 - 公司预计2025财年先进DRAM收入将增长超过40%，主要受DDR5和高带宽内存需求推动[1][9] - Sym3 Magnum蚀刻系统自2024年2月推出以来收入已超12亿美元[2][9] - 公司在2025财年第二季度工艺诊断与控制业务收入创纪录，得益于冷场发射电子束技术和3D DRAM进展[3][9] 技术与产品优势 - 冷场发射电子束技术在环绕栅极晶体管和高带宽内存领域表现强劲[3] - 公司专注于下一代DRAM关键工艺步骤，强化了市场领导地位[4] - 晶圆厂设备市场和3D DRAM投资增加将推动2025年前沿DRAM投资大幅增长[4] 竞争对手动态 - Lam Research在2025财年第三季度DRAM占系统收入23%，主要来自DDR5、LPDDR5和高带宽内存客户投资[5] - Lam Research的Akara蚀刻系统在3D DRAM架构领域赢得关键订单[5] - ASML在2025年第一季度DRAM和逻辑客户对NXE:3800E EUV系统需求强劲，多客户采用EUV光刻技术缩短周期并降低成本[6] 股价表现与估值 - 公司年初至今股价上涨6.8%，高于电子半导体行业4.3%的涨幅[7] - 公司远期市销率为4.65倍，低于行业平均8倍[10] - Zacks共识预期公司2025财年和2026财年盈利同比分别增长9.48%和5.48%，近7日2026和2027财年预期被上调[13] 财务预期调整 - 当前季度(7/2025)每股收益预期为2.34美元，与7日前持平，较90日前上调0.03美元[14] - 当前财年(10/2025)每股收益预期为9.47美元，较30日前上调0.11美元[14] - 下一财年(10/2026)每股收益预期为9.90美元，较90日前上调0.04美元[14]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 去年年末的HBM被禁，像一记重锤，砸在了国内半导体产业之上，引发了一场不小的震荡。 去年12月，美国商务部工业和安全局（BIS）正式修订《出口管理条例》（EAR），对HBM及一 系列半导体制造设备、软件工具施加更为严苛的出口管制，并将140家中国实体新增至出口管制清 单。尤其是针对"memory bandwidth density"超过2GB/s/mm²的HBM产品，几乎覆盖了当前所有 量产型号，直接切断了中国企业在先进存储领域的重要供应链。 当时许多人认为，这一限制措施会使国内半导体行业面临巨大的压力，尤其是对HBM需求较大的 AI行业，在不能获得HBM的情况下，势必会与海外拉开更大的差距。 也正是在重重枷锁束缚之下，国内存储厂商开始寻找HBM之外的高带宽存储机会。 3D DRAM，异军突起 事实上，AI应用并非完全离不开HBM，截至目前，许多英伟达和AMD的GPU仍然使用的是GDDR 内存，它们也能实现800-960GB/秒的内存带宽，尽管远不如HBM 3E的速率，但对于较小规模推 理的大语言模型来说，这样的带宽已经足够了。 而如果GDDR不够用，SRAM和系统规 ...