公司概况与成立背景 - 公司SAIMEMORY由软银、英特尔和东京大学共同成立，成立于2024年12月，并于2025年6月开始全面运营[2] - 公司主要业务是存储器及相关产品的研发、制造和销售[2] - 公司名称中的“SAI”源自汉字“天才”或“天赋”，亦有观点认为可能代表Softbank AI Memory[4] 核心技术：ZAM内存结构 - 公司首次公开介绍其正在开发的新型内存结构“ZAM”（Z字形内存），该命名源于Z轴，意味着芯片是垂直堆叠[2] - 传统存储器结构为平面堆叠，受限于功率和散热，目前16层已接近极限，预计最大层数在20层左右[2] - ZAM通过垂直堆叠芯片，可实现比传统DRAM更低的功耗、更大的容量和更宽的带宽[2] - 垂直堆叠设计使每个芯片产生的热量可均匀向上扩散，有望解决传统平面堆叠的散热问题[2] - 软银发言人表示ZAM“就像是DRAM的升级版，将采用全新的技术”，技术细节虽未公布，但考虑采用垂直堆叠结构[6] 技术定位与市场目标 - 公司将技术定位为“突破内存散热和性能瓶颈”，旨在实现低功耗、大容量和宽带宽[4] - 公司希望通过ZAM技术，在人工智能数据中心等领域实现大容量、宽带数据处理、提高处理性能并降低功耗[6] - 公司预计在当前AI发展的环境下，变革将超越第一和第二产业，并可为该变革时期提供解决方案[4] 合作伙伴关系与研发支持 - 公司建立了强大的合作伙伴关系，重点与软银和英特尔合作，并在日本及海外有各项投资和供应链布局[4] - 公司将利用英特尔的技术专长，推进下一代存储架构和制造技术的研发，这包括英特尔在美国能源部支持下推进的先进存储技术（AMT）项目所建立的基础技术，以及下一代DRAM键合（NGDB）计划展现的技术专长[5] - 公司项目将得到先进存储技术（AMT）研发计划的支持，该计划由美国能源部和国家核安全管理局通过桑迪亚国家实验室、劳伦斯利弗莫尔国家实验室和洛斯阿拉莫斯国家实验室进行管理[4] - 公司计划未来与英特尔以外的其他公司和研究机构合作，以加速研发进程[6] 项目投资与财务 - 2025年6月有报道称，英特尔和软银合作开发堆叠式DRAM以替代HBM，项目预计耗资7000万美元，其中软银计划投资2100万美元[5] - 日本政府预计也将提供资金，理研研究所和新光电气也在考虑投资[5] - 软银将在2027财年原型机研制成功之前，投资约30亿日元[6] 行业背景与市场需求 - 公告发布之际，行业正努力应对存储和内存硬件短缺问题，今年宣布的许多AI数据中心建设项目的规模和范围让市场措手不及，导致容量紧张[6] - 存储芯片制造商三星和SK海力士警告称，存储芯片短缺的情况可能会持续到2027年[7] - 随着产能越来越多地分配给AI基础设施项目，消费电子产品可能受到持续短缺的影响最大[7] - 根据TrendForce数据，2026年全球生产的内存中，高达70%将被数据中心消耗[6] 技术评价与行业展望 - 英特尔院士表示，其下一代DRAM键合（NGDB）计划展示了一种全新的内存架构和革命性的组装方法，可显著提升DRAM性能、降低功耗并优化内存成本[5] - 标准内存架构无法满足人工智能的需求，因此NGDB定义了一种全新的方法，以加速迈向未来[5]