内存市场规模与增长 - 2025年内存市场规模有望连续第二次创下2000亿美元纪录，受数据中心AI训练工作负载需求激增带动 [2] - 2024-2030年全球HBM收入将以33%的复合年增长率增长，到2030年HBM在DRAM市场份额将达到50% [2] - NOR闪存市场2024年同比增长约15%，得益于出货量增长和价格环境改善 [2] 行业竞争格局 - SK海力士、三星和美光积极提升良率并扩大生产规模，应对2025年预计出现的缺货局面 [6] - 中国加大内存制造本土化力度，技术差距缩小，战略延伸至个人电脑和消费电子领域 [6] - NAND行业面临消费需求弱于预期和供应链库存上升压力，供应商降低晶圆厂利用率和减产以恢复市场平衡 [2] 技术创新趋势 - CMOS键合成为实现更高密度、高性能存储器件的重要解决方案，长江存储Xtacking™架构实现晶圆间混合键合 [7] - 3D NAND器件未来可能需要键合三个不同晶圆（逻辑芯片+双存储阵列）以实现超过500层扩展 [7] - DRAM领域预计平面设计将通过0c/0d节点发展，6F² DRAM单元将被基于CMOS键合布局的4F²单元架构取代 [8] - 主要DRAM供应商积极探索3D集成途径，包括1T-1C单元和无电容器结构 [8] - 半导体设备公司如应用材料、泛林集团和东京电子加大投资应对3D DRAM制造工艺挑战 [8]