AI基础设施推动存储芯片行业景气 - AI基础设施是当前市场最热门的领域之一，推动了相关存储芯片的需求 [1] - 存储市场目前非常火热，美光和闪迪是这一趋势的主要受益者 [2][7] 美光科技 - 公司是DRAM市场的领导者，同时也参与NAND闪存市场 [2] - 在DRAM行业，公司与三星、SK海力士共同主导市场 [3] - 公司是AI基础设施关键组件——高带宽内存的主要参与者，HBM对于GPU等AI芯片的最佳性能至关重要 [3] - HBM制造更复杂，所需晶圆产能是普通DRAM的3至4倍，导致DRAM整体短缺并大幅推高价格 [4] - 上一季度公司营收飙升59%，毛利率从一年前的38.4%提升至56% [4] - 尽管公司正在增加资本支出以扩大产能，但在可预见的未来，HBM和DRAM供应可能持续紧张 [5] - 当前股价为395.02美元，当日上涨3.17%或12.13美元，市值达4310亿美元 [2] 闪迪公司 - 公司是NAND闪存市场的纯投资标的，受益于NAND市场的持续供应短缺 [7] - NAND市场同样供应短缺，AI基础设施导致需求增长 [7] - 几年前NAND市场曾陷入混乱，价格跌破制造成本，导致主要存储制造商将产能转向DRAM [9] - 当前闪存市场存在巨大供应短缺，且由于行业焦点在HBM上，暂无大量新增NAND产能的计划 [9] - 上一季度公司营收飙升76%，毛利率从32.3%攀升至50.9% [10] - 当前股价为597.95美元，当日上涨3.77%或21.75美元，市值达850亿美元 [8]

公司股价表现与市场对比 - 美光科技过去12个月股价实现314.8%的强劲涨幅，远超同期Zacks计算机和科技板块20.6%的涨幅 [1] - 过去一年，美光科技股价飙升315%，大幅跑赢整个计算机和科技板块 [8] - 在人工智能热潮中，其他半导体公司如英特尔、安费诺和超威半导体股价也分别大幅上涨148.7%、81.7%和74.1% [2] 行业趋势与公司定位 - 公司处于人工智能、高性能数据中心、自动驾驶汽车和工业物联网等多个变革性技术趋势的核心位置 [4] - 人工智能应用的加速推动了对DRAM和NAND等先进内存解决方案的需求激增 [4] - 公司正受益于高带宽内存需求的强劲浪潮，其HBM3E产品因卓越的能效和带宽而备受关注，特别适合人工智能工作负载 [6] - 2025年，英伟达确认美光科技是其GeForce RTX 50 Blackwell GPU的核心HBM供应商，标志着其在人工智能供应链中的深度整合 [9] - 公司在新加坡建设中的HBM先进封装工厂将于今年投产，并计划在2027年进一步扩张，突显了其为人工智能驱动市场扩大生产的承诺 [9] 公司战略与产品竞争力 - 公司通过投资下一代DRAM和3D NAND技术，确保其在满足现代计算性能需求方面保持竞争力 [4] - 公司的多元化战略正产生积极成果，通过将重点从波动性较大的消费电子市场转向汽车和企业IT等更具韧性的垂直领域，创造了更稳定的收入基础 [5] - 这种平衡增强了其抵御周期性衰退的能力，这在半导体领域是一个关键特质 [5] 财务业绩表现 - 尽管面临宏观经济挑战和地缘政治等问题，美光科技的财务状况依然稳健 [10] - 2026财年开局强劲，第一季度营收同比增长57%至136.4亿美元，非GAAP每股收益同比增长167%至4.78美元 [11] - 营收和每股收益分别超出Zacks一致预期7.26%和22.25% [11] - 非GAAP毛利率达到56.8%，较上年同期的39.5%大幅改善 [12] - 非GAAP营业利润从上年同期的23.9亿美元增至64.2亿美元，营业利润率从27.5%扩大至47% [12] - 分析师对2026财年的预期显示持续增长势头，Zacks对2026财年营收和每股收益的一致预期分别为同比增长96.1%和296.9% [13] - 过去30天内，对2026财年每股收益的一致预期被上调了14美分 [13] 估值分析 - 尽管增长强劲，公司股票估值依然合理，其未来12个月市盈率为10.24倍，显著低于25.06倍的行业平均水平 [14] - 与英特尔、超威半导体和安费诺等其他主要半导体公司相比，美光科技的市盈率更低，后三者的市盈率分别为88.55倍、30.05倍和29.36倍 [17] - 考虑到其在人工智能领域的布局，公司的相对估值增强了买入理由 [17] 投资观点总结 - 人工智能和高性能计算对内存解决方案的需求可能保持强劲，公司有能力抓住此机遇，使股票在当前成为更具吸引力的投资选择 [3] - 公司在人工智能驱动的内存市场地位稳固，基本面强劲，提供引人注目的长期增长潜力，并保持创新的自律性，且估值相对于主要半导体同行存在折价 [18] - 综合这些因素，积累美光科技股票是审慎之举 [18]

公司股价表现与市场评级 - 公司股价在过去一年内上涨了156% 年初至今上涨了13% [2] - 投行Stifel在1月中旬将公司目标价从160美元上调至250美元 并维持买入评级 [2] - 投行RBC Capital为公司设定了260美元的目标价 并给出跑赢大盘评级 [2] 业务前景与增长动力 - 公司的晶圆制造设备销售额预计在2026年可能超过其增长 [2] - RBC Capital对公司2026年的晶圆设备销售保持信心 并指出公司受益于内存市场的顺风 [2] - 公司为NAND闪存和内存制造设备 其订单预计将大幅增长 因为主要客户如西部数据、闪迪、希捷和英特尔此前并未大量订购 [2] 公司战略与行业地位 - 公司是半导体制造设备供应商 其机器被用于晶圆厂 [2] - 公司是Lam与Novellus合并后的产物 在2012年被收购 [2] - 公司拥有称为“封装”的业务 该业务享有更高的估值倍数 [2] - 公司被描述为一家价值3000亿美元的公司 拥有制造更多晶圆设备的能力 [2]

定价模式变革 - 全球存储芯片市场正经历定价规则的根本性转变 从传统的固定价格模式转向动态定价机制 [1] - 新型合同引入“后结算”条款 允许供应商在供货结束后根据市场价格调整收款 将市场风险完全转移至买方 [1][2] - 例如 若DRAM合同价为100韩元 一年后市场价翻倍 客户需额外支付100韩元差价 [1] 合同条款变化 - 合同期限大幅缩短 从过去的长周期缩短至季度甚至月度 [1][2] - 尽管AI基础设施扩展需求促使买家寻求两年或更长期合同以确保供应 但由于库存有限和价格波动 许多合同已显著缩短 [2] - 合同期限缩短使供应商能更频繁地根据市场行情调整价格 强化其定价主导权 [2] 供应商主导地位增强 - 行业消息人士预计 这种有利于供应商的合同条款至少将持续到2026年下半年 因存储芯片价格涨势预计将持续 [1][2] - 主要存储制造商如美光、SK海力士和三星正在严格审查客户订单 要求披露最终客户和订单量 以防止囤货或超额预订 [3] - 供应紧张和价格波动已使买方市场彻底转向卖方市场 供应商在价格和供应分配上均拥有更大话语权 [1][3] 对科技巨头的影响 - 即使是苹果这样拥有巨大采购规模的科技巨头也无法避免冲击 其通常签署的长期供应协议当前仅锁定定价至2026年上半年 [1][3] - 苹果2026年上半年后的存储采购价格仍存在进一步上涨空间 为新旗舰iPhone 18的推出留下涨价可能 [1][3] - 2024年第一季度 三星将iPhone出货的LPDDR价格环比提高了超过80% SK海力士涨幅约100% 显示苹果也失去了传统议价优势 [3]

核心观点 - 2026年存储行业将迎来业绩释放大年，价格持续上涨且供需紧缺趋势预计延续至2027年，建议关注存储、设备及产业链相关公司 [1] 需求端 - AI推理驱动存储架构向“HBM+DRAM+NAND”三级金字塔架构演进，大容量NAND在数据中心的重要性凸显 [2] - 多模态视频生成带来百倍内存需求，英伟达Rubin平台引入每GPU 16TB独立存储机柜，单机存储搭载量呈指数级跃升 [2] - 数据中心将取代移动端成为NAND最大单一市场，预计2026年服务器DRAM占比将突破50% [2] - 2023-2030年，数据中心DRAM与NAND的位元需求年复合增长率预计分别达28.3%与32.6% [2] 供给端 - 2026年三大原厂资本开支显著提速，但投资重心集中于HBM及先进制程，新建产能释放需至2027年以后，导致短期有效供给弹性严重受限 [3] - 三星、海力士与美光2026年资本开支预计分别为200亿美元(同比+11%)、205亿美元(同比+17%)及135亿美元(同比+23%) [3] - 2026年DRAM与NAND位元出货量增速预计均维持在20%左右，AI服务器需求推动服务器端在DRAM与NAND位元出货占比中均超过45% [3] 库存端 - 原厂库存水位持续回落，服务器DRAM与NAND紧缺趋势预计将贯穿2026全年 [4] - 中国内地模组厂2025年第三季度库存累计同比高增34%，创历史新高，以应对2026年供需缺口 [4] 价格端 - 2026年第一季度DRAM与NAND合约价环比涨幅预计将分别高达90-95%与55-60% [5] - 虽然DDR4现货价格首次出现小幅回调，但原厂供应停滞支撑整体价格维持高位 [5] - 随着产能瓶颈向PC与移动端传导，全品类存储价格有望面临普涨 [5] 销售与业绩端 - 在价格与需求推动下，2026年DRAM与Flash产值预计达5516亿美元，同比增长134%，2027年产值预计达8427亿美元，同比增长53% [6] - 2025年第四季度，原厂端（三星/海力士/美光/南亚科）营收与利润均创历史新高 [7] - 台股与中国内地利基及模组厂商凭借战略库存优势，在涨价潮中实现盈利能力大幅修复 [7] - 随着原厂产能向高端倾斜导致通用产品持续紧缺，2026年全行业量价齐升趋势进一步走强，中下游厂商业绩向上斜率明确 [7]

内存行业合同模式变革 - 内存价格上涨改变了供货合同的谈判方式，合同期限正从长期转向短期[2] - “结算后定价”模式应运而生，取代传统的谈判定价方式，旨在通过反映市场价格来弥补价格上涨，即使在供货结束后也是如此[2] - 例如，即使约定以每单位100韩元的价格供应一年的DRAM，若合同期结束时价格上涨100%，则需额外支付100韩元[2] 新型合同的具体实施与驱动因素 - 三星电子、SK海力士和美光等三大内存制造商近期已与北美大型科技公司等主要客户签订了包含结算后定价机制的新型供货合同[2][3] - 对主要客户而言，确保存储器供应比签订合同更为重要，即使之后会产生额外成本，也应优先签订供货合同[3] - 合同期限正从年度合同转向季度甚至月度合同，有北美数据中心运营商申请签订两年期合同遭拒，最终从另一家制造商获得包含结算后涨价机制的供货承诺[4] 市场供需背景与未来展望 - 内存客户寻求超过一年甚至两年的长期合同，以确保人工智能基础设施扩展所需的存储器供应稳定[3] - 由于供应有限且价格波动剧烈，内存制造商对签订长期供货合同并不情愿，担心会错失以更优惠条件赢得其他客户的机会[3] - 这种供应商主导的合同签署模式可能会持续到2024年下半年，届时存储器价格的上涨趋势预计将会放缓[4]

印度半导体产业重大投资进展 - 印度电子和信息技术部国务部长通报了十项重大半导体项目进展，预计总投资额约为1.6万亿卢比，涵盖两座晶圆厂和八座封装厂 [11] - 政府通过初创企业支持了24个芯片设计项目，其中16个项目已完成芯片流片，13个项目获得了风险投资 [11] 美光科技古吉拉特邦项目 - 美光科技在古吉拉特邦投资2251.6亿卢比建设半导体制造工厂，具备DRAM和NAND产品的组装和测试能力 [2] - 工厂产能约为每周1400万颗芯片 [2] 塔塔电子有限公司项目 - 塔塔电子在古吉拉特邦投资9152.6亿卢比建设半导体制造工厂，与台湾PSMC公司进行技术合作 [3] - 古吉拉特邦工厂的月产能约为5万片晶圆 [3] - 塔塔电子在阿萨姆邦投资2712亿卢比建设半导体制造厂，采用本土半导体封装技术 [4] - 阿萨姆邦工厂的日产能达4800万颗芯片 [4] CG Power and Industrial Solutions Limited项目 - CG Power在古吉拉特邦投资758.4亿卢比建设半导体制造工厂，以合资形式与美国瑞萨电子美国公司和泰国STARS Microelectronic公司合作 [5] - 日本瑞萨电子株式会社和泰国STARS Microelectronic公司为该工厂提供技术 [5] - 工厂的日产能约为1507万颗芯片 [5] Kaynes Technology India Limited项目 - Kaynes Technology在古吉拉特邦投资330.7亿卢比建设半导体制造工厂，用于生产引线键合互连和基板封装器件 [6] - 技术由ISO Technology Sdn. Bhd.和AOI Electronics Co. Ltd.提供 [6] - 工厂的日产能将超过633万颗芯片 [6] Vama Sundari Investments项目 - VSIPL在北方邦投资370.6亿卢比建设半导体制造工厂，用于生产采用金凸点技术的显示驱动集成电路，并配套芯片探针测试和芯片加工服务 [7] - 技术由台湾鸿海半导体提供，工厂以VSIPL与印度富士康合资的形式建立 [7] - 产能约为每月2万片晶圆至3600万颗芯片 [7] 3DGlass Solutions Inc.项目 - 3DGlass Solutions在奥里萨邦投资194.3亿卢比建设半导体制造工厂，负责封装产品的组装，例如倒装芯片球栅阵列封装、射频系统级封装等 [8] - 工厂的玻璃面板基板生产、组装和3D异构集成模块的拟定产能分别为每月约5800块面板、420万个组件和1100个组件 [8] SiCSem私人有限公司项目 - SiCSem在奥里萨邦投资206.6亿卢比建设半导体制造工厂，与Clas-SiC Wafer Fab Ltd.和Continental Device India Pvt. Ltd.进行技术合作 [9] - 工厂的晶圆月产能为5000片，封装月产能为800万片 [9] 印度大陆器件有限公司项目 - CDIL正在扩建其位于旁遮普邦的半导体制造工厂，投资额达11.7亿卢比，生产高功率分立半导体器件，涵盖硅和碳化硅两种材质 [10] - 工厂年产能约为1.5838亿个器件 [10] 先进系统封装技术私人有限公司项目 - ASIP在安得拉邦建设半导体制造工厂，投资额达48亿卢比，与韩国APACT有限公司进行技术合作 [11] - 工厂年产能约为9600万颗芯片 [11]

行业投资评级 - 报告对存储行业给予“推荐（维持）”评级 [2] 核心观点 - 2026年存储行业预计将持续处于供给偏紧状态，供需缺口可能延续至2027年，产业链公司整体展望乐观 [1] - AI推理驱动存储需求成倍增长，推动数据中心存储架构向“HBM+DRAM+NAND”三级金字塔架构演进，NAND在数据中心的重要性日益凸显 [1][5] - 2026年新增产能有限，原厂资本开支虽加速但有效产能因技术转移等因素释放滞后，导致卖方市场格局持续 [1][5] - AI产能挤占效应导致供需缺口扩大，预计2026年第一季度（26Q1）DRAM与NAND合约价将环比急剧上涨，带动全产业链量价齐升 [5] - 在价格与需求共振下，2026年海内外存储产业链将迎来业绩释放大年，建议关注海外存储、国内原厂、模组、利基存储及上游设备/材料等环节公司 [1][9] 需求端总结 - **中长期需求强劲**：全球存储位元需求中长期复合年增长率（CAGR）将维持在20%水平，其中数据中心DRAM与NAND在2023-2030年的CAGR预计分别高达28.3%与32.6%，远超传统终端增速 [5][15] - **数据中心引领增长**：数据中心将取代移动端成为最大单一市场，预计2026年服务器DRAM位元需求占比将突破50%，NAND正式迈入ZB级数据时代 [5][15][18] - **AI驱动架构演变**：AI推理需求推动存储架构向三级金字塔（HBM/DRAM/NAND）演进，RAG与长上下文技术确立了大容量NAND在降本增效中的核心地位 [5][30] - **具体需求量化**：英伟达Rubin平台为每GPU新增16TB独立存储机柜，DeepSeek的Engram架构利用DRAM/SSD卸载HBM压力，验证了“以大容量廉价存储换取算力效率”的路径 [5][41][44] - **2026年市场规模**：根据WSTS数据，2026年全球存储行业市场规模预计为2948亿美元，同比增长39% [15] 供给端总结 - **资本开支增长但产能释放滞后**：2026年三大原厂（三星、海力士、美光）资本开支显著提速，预计分别投入200亿美元（同比+11%）、205亿美元（同比+17%）及135亿美元（同比+23%），但投资重心集中于HBM及先进制程转移，新建产能释放需至2027年以后 [5][57] - **位元出货增长有限**：受产能瓶颈制约，2026年DRAM与NAND位元出货量增速预计均维持在20%左右 [5][49] - **供给持续紧张**：2026年存储新增产能有限，海外原厂因技术转移等因素使得有效产能释放滞后，供需缺口预计将延续至2027年 [1][49] - **产能结构向高端倾斜**：AI服务器需求爆发推动服务器端在DRAM与NAND位元出货占比中均超过45%，导致通用产品供应持续紧缺 [5][49] 库存端总结 - **原厂库存紧张**：原厂库存水位持续回落，服务器DRAM与NAND紧缺趋势预计将贯穿2026全年，奠定长期卖方市场基础 [5][64] - **中下游积极备货**：为应对2026年供需缺口，中下游模组厂等开启战略备货。大陆模组厂2025年第三季度库存累计同比高增34%，创历史新高 [5][76] - **库存周转效率改善**：尽管台厂与大陆厂商库存处于高位，但库存周转天数（DOI）呈现逐季改善趋势，营运效率提升 [71][76] 价格端总结 - **价格指数大幅上涨**：从2025年下半年开始，DXI指数与存储价格指数呈指数级上升。2025年7月至2026年1月，DRAM价格指数上涨约4.2倍，NAND价格指数自2025年9月低点上涨约3.7倍 [84][85] - **合约价急剧上涨**：在服务器强劲需求拉动下，预计26Q1 DRAM与NAND合约价环比涨幅将分别高达90-95%与55-60% [5] - **现货价高位震荡**：尽管DDR4现货价格在2026年1月底首次出现小幅回调，但由于原厂供应停滞，整体价格仍维持高位，不影响上行趋势 [5][90] - **全品类价格普涨预期**：随着产能瓶颈向PC与移动端传导，全品类存储价格有望面临普涨 [5] 销售与业绩端总结 - **行业产值预测高增**：根据TrendForce预测，在存储价格与需求推动下，2026年DRAM与Flash总产值预计达5516亿美元，同比增长134%；2027年产值将达8427亿美元，同比增长53% [5][6] - **原厂业绩创历史新高**：2025年第四季度，主要存储原厂（三星、海力士、美光、南亚科）营收与利润均创历史新高，受益于AI需求爆发与客户长协锁单 [6] - **中下游业绩弹性释放**：台股与大陆的利基及模组厂商凭借战略库存优势，在涨价潮中实现盈利能力大幅修复，2026年业绩向上斜率明确 [6] 投资建议与关注标的 - 报告建议关注存储产业链三大核心环节相关公司 [9] - **海外存储**：闪迪、美光、SK海力士、西部数据、铠侠、三星、希捷等 [7][9] - **国内原厂**：长鑫科技（IPO中）、长江存储 [7][9] - **模组厂商**：江波龙、佰维存储、德明利、朗科科技等 [7][9] - **利基存储**：兆易创新、普冉股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份、聚辰股份等 [7][9] - **代工和封测**：中芯国际、华虹公司、长电科技、通富微电、华天科技、汇成股份、深科技等 [7][9] - **存储设备**：北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科、微导纳米、芯源微、精测电子、中科飞测、矽电股份、金海通、精智达、强一股份、ASMPT等 [7][9] - **存储材料**：江丰电子、神工股份、鼎龙股份、兴福电子、上海新阳、安集科技、艾森股份等 [7][9]

文章核心观点 AI数据中心驱动存储架构向“HBM+DRAM+NAND”三级金字塔演进，NAND重要性凸显，数据中心正取代移动端成为最大单一市场[2] 2026年存储新增产能有限，供需缺口预计延续至2027年，行业维持卖方市场格局[1][3] 供需错配驱动存储价格急剧上涨，预计2026年第一季度DRAM与NAND合约价环比涨幅分别高达90-95%与55-60%[4][75] 量价齐升推动全产业链进入业绩爆发期，2026年DRAM与Flash产值预计达5516亿美元，同比增长134%[4][84] 需求端：AI推理构建多级存储架构，数据中心引领ZB级扩容 - **中长期需求维持高增长**：全球存储位元需求CAGR预计维持在20%，其中2023-2030年数据中心DRAM与NAND的CAGR预计分别达28.3%与32.6%，远超传统终端增速[2][19][21] 预计2026年数据中心将占全球DRAM位元需求的50%，成为最大单一市场[2][19] - **AI驱动存储架构演变**：AI推理驱动存储架构向“HBM+DRAM+NAND”三级金字塔架构演进，NAND成为解决“模型幻觉”与降本增效的核心载体[2][24][25] 多模态视频生成带来百倍内存需求，英伟达Rubin平台为每GPU引入16TB独立存储机柜，DeepSeek Engram架构利用DRAM/SSD卸载HBM压力，验证了“以大容量廉价存储换取算力效率”的技术路径[2][29][31][33] - **市场规模与具体需求**：2026年全球存储行业市场规模预计为2948亿美元，同比增长39%[12] 预计2026年DRAM总需求为372.4Eb（同比增长16%），NAND总需求为1168.1EB（同比增长13%）[17] 供给端：2026年新增供应有限，位元出货量预计增长20% - **资本开支增长但产能释放滞后**：2026年三大原厂资本开支显著提速，三星、海力士与美光预计分别投入200亿美元（同比+11%）、205亿美元（同比+17%）及135亿美元（同比+23%）[3][41][43] 但投资重心高度集中于HBM及先进制程转移，新建产能释放需至2027年以后，导致短期有效供给弹性严重受限[3][35][44] - **位元出货增长受限**：受产能瓶颈制约，2026年DRAM与NAND位元出货量增速预计均维持在20%左右[3][35] 服务器端在DRAM与NAND位元出货占比中均预计超过45%[3][37] - **新增产能有限**：2026年新增产能有限，大部分产能在2027年以后释放，例如美光计划未来10年在新加坡追加投资240亿美元，晶圆产出预计2028下半年开始[44] 国内长江存储武汉三期有望提前至2026年下半年启动量产[44] 库存端：原厂库存紧张贯穿2026全年，中下游战略备货 - **原厂库存持续紧张**：2025年原厂库存水位持续回落，服务器DRAM与NAND紧缺趋势预计将贯穿2026全年[3][47] 25Q3末三星、海力士、美光、南亚科库存累计同比-11%，库存周转天数同环比均有所下滑[47] - **中下游积极备货**：大陆模组厂2025年第三季度库存累计同比高增34%，创历史新高，以应对2026年供需缺口[3][56] 台股与大陆利基存储厂商库存虽处高位，但库存周转天数（DOI）呈现逐季改善趋势[46][52][58] 价格端：成倍增长确立超级周期，结构性紧缺支撑合约价加速上行 - **价格指数大幅上涨**：从2025年下半年开始，存储价格指数呈指数级上升，至2026年1月，DRAM指数较2025年7月涨幅达4.2倍，NAND指数自2025年9月低点涨幅达3.7倍[60] - **合约价急剧攀升**：预计2026年第一季度DRAM合约价环比上涨90-95%，NAND合约价环比上涨55-60%[4][75] 其中，PC DRAM、服务器DRAM及移动DRAM（LPDDR4X/5X）合约价预计均环比上涨约90%左右[76][78] - **现货价高位运行**：尽管DDR4现货价周内首次出现小幅回调，但原厂供应停滞支撑整体价格维持高位[4][62] 渠道SSD和内存条继续调涨，1月累计涨幅在20%-60%区间[71] 销售端：2025下半年业绩显著增长，2026年展望乐观 - **产值预测大幅上调**：在存储价格与需求持续推升下，2026年DRAM与Flash总产值预计达5516亿美元，同比增长134%，2027年预计达8427亿美元，同比增长53%[4][84] 其中，2026年DRAM产值预计达4043亿美元（同比+144%），NAND Flash产值预计达1473亿美元（同比+111%）[84] - **原厂业绩创历史新高**：2025年第四季度，三星存储业务营收37.1万亿韩元（同比+61.3%/环比+39%），海力士营收32.83万亿韩元（同比+66%/环比+34%），美光营收136.4亿美元（同比+57%/环比+21%），南亚科营收9.69亿美元（同比+376%/环比+54%），营收与利润均创历史新高[87][88][89] - **中下游厂商盈利修复**：台股与大陆利基及模组厂商凭借战略库存优势，在涨价潮中实现盈利能力大幅修复[4][5] 例如，大陆模组厂江波龙、德明利、佰维存储在2025年第四季度归母净利润预计中值分别环比-2%、+726%、+250%[130] 投资建议 - **关注全产业链机会**：在价格与需求共振下，2026年海内外存储将迎来业绩释放大年，建议关注存储产业链三大核心环节相关公司[5][134] - **细分环节包括**：海外存储原厂、国内存储原厂、存储模组厂商、利基存储厂商、代工和封测厂商、存储设备厂商以及存储材料厂商[5][134]

文章核心观点 - 全球主要PC制造商（惠普、戴尔、宏碁、华硕）正首次积极考虑大规模采购中国制造的存储芯片，以应对由AI数据中心需求激增导致的全球存储芯片严重短缺和价格飙升，从而保障自身产能和利润稳定 [1][2][8] 全球存储芯片供需格局与价格变动 - AI数据中心（由谷歌、微软、Meta主导）建设热潮“虹吸”了全球内存/闪存产能与库存，三大存储原厂（三星、SK海力士、美光）优先供应高毛利的AI数据中心，挤压了消费电子领域的供给配额 [2][6] - 存储芯片制造商将产线重新分配至用于AI的HBM（高带宽内存），由于HBM需要约标准DRAM三倍的晶圆产能，这大幅减少了对消费电子行业的供应 [5][6] - 行业数据显示，AI服务器对内存的需求是普通服务器的8-10倍，目前已消耗全球内存月产能的53% [6] - 自2025年9月以来，DDR5内存条价格整体涨幅超过370%，DDR4涨幅超150%，最上游的DDR5 DRAM芯片现货价涨幅高达455% [6] - 研究机构TrendForce大幅上修2026年第一季度价格展望：常规DRAM合约价预计环比上涨90%-95%，其中PC DRAM预计环比增幅大于100%（至少翻倍）；NAND Flash合约价预计环比上涨55%-60% [7] 对消费电子行业的影响 - 存储芯片短缺和成本飙升正严重侵蚀消费电子公司的利润率，并可能导致产品线产能缩减，威胁总营收和实际盈利 [1][4] - 任天堂Switch 2因存储组件成本飙升陷入“增收不增利”困境，尽管销量增长，但硬件利润被严重侵蚀 [4] - 高通第二财季智能手机芯片营收指引降至约60亿美元，主要受存储芯片供给偏紧与价格大幅上行拖累，部分客户下调备货与渠道库存 [4] - 存储芯片（DRAM和NAND）已成为PC、智能手机、游戏主机等产品中不可忽略的BOM成本项，在当前的涨价周期中对硬件毛利的扰动正在放大 [5] PC制造商的应对策略与中国供应链 - 在PC制造领域，当前“涨得最猛、也最容易卡脖子”的是DRAM（尤其是PC DRAM/DDR5/LPDDR5X），其次才是NAND [3][7][8] - 惠普已开始对中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）的DRAM产品进行认证，计划持续监测供应状况至2026年年中，若供应持续紧张，可能首次从长鑫存储为非美国市场的PC采购DRAM组件 [8] - 戴尔也正在对长鑫存储的DRAM产品进行认证，主要担心存储价格在2026年持续飙升且供给不足 [8] - 宏碁表示，如果其合同供应商采购中国本土存储芯片，公司对使用持开放态度；华硕已要求其中国生产合作伙伴协助为部分笔记本项目采购存储芯片 [8][9] - 长鑫存储的产品谱系能够覆盖PC制造商需求，已展示DDR5（最高8000 Mbps）以及LPDDR5X（最高10667 Mbps）产品，面向服务器、工作站、PC与移动设备等场景 [9]