英伟达NVHBM定制化技术要求 - 有消息称英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片为其生产NVHBM [1] - NVHBM核心裸片采用第六代DRAM技术 [1] - 三星电子已决定接受英伟达的技术要求 [1] - 三星电子向第一财经记者回应称公司不对涉及客户的事项发表评论 [2] 定制化HBM业态与供应链变化 - 若采用台积电基底裸片，意味着内存厂商为英伟达供应NVHBM产品时不能完全一体化地设计和生产 [2] - 这不能简单理解为内存厂商将核心环节交给台积电，更大的趋势是定制化HBM业态产生了新的供应关系 [2] - 英伟达的要求是在HBM定制的背景下提出的 [2] - 基底裸片不属于HBM内存的部分，核心的内存部分仍由内存厂商生产 [2] - 除定制化HBM外，内存厂商还有标准HBM产品 [2] - 目前标准HBM的基底裸片由各DRAM原厂自行设计，制造方面包含自制与交给台积电生产两种模式 [3] - 各家供应商的HBM都需通过AI芯片性能验证与CoWoS封装验证 [3] - 未来定制化基底裸片将由HBM原厂、芯片设计厂商等共同设计，生产可交给台积电 [3] - 统一采用台积电生产的特定基底裸片，是HBM定制化的一部分 [3] 基底裸片与NVHBM的技术作用 - 基底裸片位于HBM堆叠的最底层，是核心裸片与AI芯片之间唯一的信号通道，负责接口与信号分配等功能，其稳定性直接影响HBM性能 [2] - 自HBM4起，为满足性能需求及功耗、散热条件，部分厂商基底裸片已采用12nm、4nm等先进逻辑制程 [2] - 后续为进一步提升运算性能，采用定制化基底裸片的HBM成为产业发展趋势 [2] - 传统HBM架构将内存控制器放在XPU上，消耗了本可用于计算的硅片区域 [3] - NVHBM将英伟达定制的内存控制器集成到HBM基底裸片中，使计算芯片能更多用于计算 [3] - 相比标准HBM4e，NVHBM内存带宽可多出30%，功耗可降低15% [3] - 英伟达在建立统一的NVHBM实现标准，由多家内存厂商供应，减少跨多家供应商的集成和验证工程工作量 [3] - 以GPU为例，定制化HBM的好处是将一些GPU电路放在HBM那片采用逻辑制程制造的芯片上，以减少HBM和GPU之间的沟通数据量 [3] - 预计2027年将有一些HBM大客户采用定制化方案 [3] 行业对定制化HBM的重视 - AI芯片设计厂商Marvell此前在一篇博客中表示，该公司与三星、美光和SK海力士合作将定制内存解决方案推向市场 [4] - 定制HBM为存储行业打开了新的篇章，是行业最大的趋势之一 [4]

文章核心观点 - 英伟达要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程基底裸片生产NVHBM，核心裸片采用第六代DRAM技术，三星电子已决定接受该技术要求 [3] - 三星电子对涉及客户事项不予评论 [3] - 定制化HBM业态产生新的供应关系，内存厂商为英伟达供应NVHBM时不能完全一体化设计和生产 [3] - 基底裸片不属于HBM内存部分，核心内存部分仍由内存厂商生产，内存厂商同时还有标准HBM产品 [3] - 定制化HBM成为产业发展趋势，业内对此趋于重视 [4][5] 技术细节与性能提升 - 基底裸片位于HBM堆叠最底层，是核心裸片与AI芯片之间唯一信号通道，负责接口与信号分配等功能，稳定性直接影响HBM性能 [4] - 自HBM4起，部分厂商基底裸片已采用12nm、4nm等先进逻辑制程 [4] - 传统HBM架构将内存控制器放在XPU上，消耗了本可用于计算的硅片区域 [4] - NVHBM将英伟达定制内存控制器集成到HBM基底裸片中，使计算芯片能更多用于计算 [4] - 相比标准HBM4e，NVHBM内存带宽可多出30%，功耗可降低15% [4] - 英伟达在建立统一的NVHBM实现标准，由多家内存厂商供应，减少跨多家供应商的集成和验证工程工作量 [4] 供应链变化 - 目前标准HBM基底裸片由各DRAM原厂自行设计，制造包含自制与交给台积电生产两种模式 [5] - 各家供应商HBM都需通过AI芯片性能验证与CoWoS封装验证 [5] - 未来定制化基底裸片将由HBM原厂、芯片设计厂商等共同设计，生产可交给台积电 [5] - 统一采用台积电生产的特定基底裸片，是HBM定制化的一部分 [5] - 以GPU为例，定制化HBM好处是将一些GPU电路放在采用逻辑制程制造的HBM芯片上，以减少HBM和GPU之间沟通数据量 [5] - 预计2027年将有一些HBM大客户采用定制化方案 [5] 行业参与者动态 - AI芯片设计厂商Marvell与三星、美光和SK海力士合作将定制内存解决方案推向市场 [5] - 定制HBM为存储行业打开新的篇章，是行业最大的趋势之一 [5]