**公司：谷歌** * **TPUv9项目处于早期评估阶段** 正在进行分模块、分线路的评估，包括IP评估、EDA以及CAE仿真分析[1] * **TPUv9的核心技术方向已基本明确** 包括采用3D堆叠技术以及采用定制化的HBM[1] * **TPUv9的设计核心目标** 是为超大规模推理基础设施服务，要求在处理高batch size的同时支持深度推理[1] * **TPUv9面临的设计挑战** 是片上SRAM缓冲容量不足，导致大量权重访问需在HBM和主计算芯片间反复进行，造成计算效能损失[2] * **TPUv9的3D堆叠结构方案** 计算芯片会更靠近中介层，SRAM堆叠在计算芯片上方[2] * **TPUv9的3D堆叠技术细节** 3D存储器与计算Die之间采用混合键合技术，能提供接近片内I/O的连接密度，目前技术已能实现每平方毫米1万至2万个触点[3] * **TPUv9的供应链合作模式（当前）** 在项目早期阶段，主要是新思与谷歌直接合作，博通参与度不高，也未涉及联发科[4][5] * **TPUv9的供应链合作模式（未来潜在）** 未来存在谷歌TPU完全采用英特尔前后道工艺的可能性，但这仍是较远期的规划[3][4] * **TPUv9的物理尺寸预期** 预计TPUv9这一代的Die Size会变得更大，可能出现类似英伟达Ultra这种多Die整合的结构[6] **行业：半导体设计、制造与封装** * **先进封装技术趋势** 3D堆叠主要指对计算Die进行进一步堆叠，整合3DDRAM和SRAM或其混合体[1] 将SRAM集成到中介层内部的方案基本不会采用[2] 中介层的横向片间通信不适合高速、大容量的通信需求[3] * **先进半导体工艺节点动态** 英特尔18AP工艺当前主要服务于英伟达和苹果[3] 预计到2027年，当18AP工艺进入规模量产，14AE工艺进入早期风险市场阶段时，由于工艺已得到验证，英特尔可能会引入博通这类ASIC设计服务业务[3] * **半导体设计服务商策略** 博通目前处于场外待命状态，不愿用其客户的项目为英特尔的18AP工艺进行风险爬坡[3] 一旦14AE工艺成熟，博通的一个核心客户确实是谷歌[3] * **行业公司表现评估** 联发科在TPUv8项目上的表现据称不佳[5]

HBM产业变革 - 下半年存储厂商开始准备HBM4量产，预计2025年HBM4将成为最主要世代 [1] - DDR4价格涨至高位与三星利润下滑均反映HBM引发的产业变革，原厂产能向HBM倾斜导致DDR4减产 [1] - HBM产品将从标准化向定制化演进，英伟达之外的AI芯片厂商将消耗更多HBM [1][7] 市场竞争格局 - 三星电子2025Q2营业利润4.6万亿韩元(约33亿美元)同比下滑55.94%，为六个季度最低水平，承认HBM业务落后 [4] - SK海力士HBM市场份额达70%，DRAM领域份额36%首次超越三星，Q2内存收入155亿美元与三星并列全球第一 [4] - 美光、SK海力士DRAM市场份额持续增长，三星份额下降，原厂加速HBM3e应用并冲刺HBM4研发 [4][5] 技术研发进展 - SK海力士和美光HBM3e 12hi产品认证基本完成，良率超60%，将供应英伟达B300/GB300 [5] - SK海力士计划下半年完成HBM4量产准备，美光计划2026年量产，三星因制程延迟存在量产不确定性 [5] - 国内厂商长鑫存储处于HBM早期技术开发阶段，产品面世前可能不会公开进展 [5] 需求与定制化趋势 - 英伟达市值达4万亿美元，其AI芯片与HBM共同封装推动数据中心需求 [6] - 2024年英伟达消耗61% HBM，预计2026-2027年比例下降因ASIC供应商增多 [7] - 谷歌第七代TPU配备192GB HBM，ASIC芯片在推理领域挑战英伟达 [8] - 预计2027年大客户采用定制HBM方案，2026年HBM4亮相时定制市场将大幅扩张 [7][8] - 三星布局定制化HBM支持客户IP集成，美光预计HBM4e定制业务将改善业绩 [8]

三星HBM团队组织架构调整 - 三星电子DS部门负责人全永铉正在进行内部组织大幅调整 [1] - 将HBM开发团队细分为标准HBM、定制化HBM、HBM产品工程及HBM封装等团队 [1] - 三星内部对"拯救HBM"的需求备感迫切 [1] 三星HBM战略重点 - 公司尤其押宝定制化HBM [1] - 组织架构调整显示定制化HBM将成为未来发展重点 [1]