文章核心观点 - SK海力士正大幅增加对1c DRAM工艺的EUV设备投资，以巩固其技术领先地位并加速产能扩张，核心驱动力是为满足NVIDIA下一代AI加速器对HBM4E的需求，从而在激烈的HBM市场竞争中保持优势 [1][2][3] 技术开发与工艺进展 - 公司正加速推进10nm级第六代（1c）DRAM工艺，该工艺将应用于第七代高带宽存储器HBM4E的核心芯片，样品交付目标定在本年度 [1] - 此前1c工艺优先用于DDR5、LPDDR5X和GDDR7等大宗DRAM产品，随着良率改善，现已扩大其在HBM上的应用范围 [1] - 公司在2024年8月开发出16Gb DDR5时，宣称获得了1c DRAM工艺技术的“全球首创”称号，该工艺已相对较快地进入稳定阶段 [1] - SK海力士1c DRAM在大宗DRAM上的良率已从去年未达预期的状态大幅改善，攀升至80% [2] - 1c DRAM的EUV应用层数正从1a DRAM的一层和1b DRAM的四层，扩展至五层或更多 [3] 设备投资与产能规划 - 为加强1c DRAM工艺竞争力，其极紫外（EUV）设备投资已从原计划扩大约三倍 [1][2] - 公司上个月披露从ASML购入价值约12万亿韩元的EUV光刻扫描仪，预计采购量约为20台 [2] - 考虑到公司今年总设备投资预计约为20万亿韩元，超过一半已分配至EUV [2] - 此次合同预计以更高价格成交，分析认为最新型号因生产力提升而价格更高，此外有观察指出公司可能支付了15-20%的“加急费”以加速设备交付 [2][3] - 设备最终交付截止日期为2027年底，相比2021年以五年合同采购同类设备的时间表显著压缩 [3] - 公司计划将EUV扫描仪部署到清州M15X、利川M16以及龙仁半导体集群的第一座工厂等正在进行1c DRAM工艺转换的生产线 [3] - 公司计划今年将超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品，到年底产能预计达到每月约19万片晶圆 [3] 市场与客户驱动因素 - 加速开发的核心驱动力来自最大客户NVIDIA，其计划于明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra” [1] - 公司此前策略是将1b DRAM工艺应用于HBM3E和HBM4，同时优先将1c工艺用于大宗DRAM产品，旨在同时确保HBM开发的稳定性以及领先工艺的参考 [1]