核心观点 - AI时代下数据中心从"算力至上"转向"带宽驱动"，HBM成为支撑大模型计算的核心基础设施[1] - HBM已成为半导体巨头战略制高点，SK海力士/三星/美光均将其视为未来营收增长关键引擎[2] - 定制化HBM和混合键合技术是未来两大发展方向[4][12] 行业竞争格局 - SK海力士目前HBM市占率约50%（HBM3E达70%），领先三星（30%）和美光（20%）[6] - SK海力士已锁定英伟达/微软/博通等定制HBM客户，计划2025年下半年推出HBM4E定制产品[4][5] - 三星正与AMD/博通协商HBM4供应，美光则采取更保守策略与客户AI平台进度协同[6] 定制化HBM技术 - 定制HBM通过集成基础芯片功能至逻辑芯片，实现功耗/性能/面积优化，减少中介层延迟30%以上[7][9] - SK海力士将与台积电合作，在HBM4基础裸片采用先进逻辑工艺[5] - 定制HBM需构建完整生态系统（IP提供商/DRAM厂商/SoC设计方/ATE公司）[10] 混合键合技术 - 混合键合通过铜-铜直接连接实现DRAM堆叠，接触密度达10K-1M/mm²，能效提升1倍以上[12][17] - 三星计划2025年在HBM4采用该技术，SK海力士可能在HBM4E引入[17] - 应用材料收购Besi 9%股份布局混合键合设备市场，韩美/韩华半导体加速研发相关设备[18] HBM技术路线图 - HBM4（2026年）：带宽2TB/s，容量48GB，采用微凸点键合和液冷技术[20][21] - HBM6（2032年）：四塔架构实现8TB/s带宽，L3缓存使HBM访问减少73%[24] - HBM8（2038年）：全3D集成架构达64TB/s带宽，双面中介层设计支持多种扩展方案[26][29] 技术创新路径 - 3D集成从微凸点键合过渡到无凸点Cu-Cu直接键合，TSV技术支撑垂直堆叠[29] - 冷却技术从液冷（HBM4）演进至嵌入式冷却（HBM7/HBM8），散热效率提升5倍[30] - HBM6四塔架构使LLaMA3-70B推理吞吐量提升126%，HBM7使GEMM功耗降低30%[30]

三星1c DRAM进展 - 公司在第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）晶圆测试中实现50%至70%良率，较去年不足30%大幅提升[1] - 与SK海力士和美光坚持使用HBM4 1b DRAM不同，三星押注下一代1c DRAM技术[1] - 计划在华城和平泽工厂提高1c DRAM产量，投资预计年底启动[1] - 重新设计芯片导致量产延迟一年，新DRAM将在平泽4号线生产，供应移动和服务器应用[3] HBM4市场动态 - 三星HBM4量产计划预计今年晚些时候启动，DRAM作为核心组件进展是关键[1] - TrendForce指出HBM4产品周期尚未开始，验证仍处早期阶段[1] - 2026年HBM总出货量预计超300亿千兆位，HBM4市场份额将在2026年下半年超越HBM3e[6] 竞争对手策略差异 - SK海力士采取谨慎立场，HBM4继续采用1b DRAM工艺，HBM4E量产后才扩大1c DRAM产量[5] - SK海力士1c DRAM测试良率超80%，最高达90%，已于2024年8月完成开发[6] - 三星可能利用规模经济和产量优势在HBM4时代超越竞争对手[3]

SK海力士的定制化HBM战略 - SK海力士已将英伟达、微软和博通列为其定制化高带宽存储器(HBM)的主要客户，在定制化和通用型AI存储器市场占据领先地位[1] - 公司近期开始根据客户具体要求设计定制化HBM，并依据最大客户英伟达的交付时间表选择客户[1] - 约10个月前收到美国"七巨头"(苹果、微软、谷歌、亚马逊、Nvidia、Meta、特斯拉)的定制HBM请求[1] HBM技术发展动态 - 当前第五代HBM3E是量产中最先进的AI芯片，预计很快过渡到第六代HBM4[3] - SK海力士已向英伟达交付HBM4样品，预计2024年下半年开始量产[4] - 三星首款定制化HBM(预计为第七代HBM4E)可能在2025年下半年推出[2] - 三星正与博通和AMD就供应HBM4进行深入谈判，预计2026年上半年开始供货[3] 市场竞争格局 - SK海力士占据全球HBM市场50%份额，三星和美光分别占30%和20%[4] - 公司计划投资20万亿韩元(145亿美元)改造M15X工厂提升HBM产能[4] - 定制化HBM市场规模预计从2024年182亿美元增长至2033年1300亿美元[3] 供应链合作 - 台积电将为SK海力士的定制化HBM生产逻辑芯片，从HBM4开始采用该合作模式[3][4] - 此前HBM3E阶段SK海力士自主生产逻辑芯片[4] 资本市场表现 - SK海力士市值达179.45万亿韩元(1300亿美元)，相当于三星电子市值(353.99万亿韩元)的50.7%[4] - 2024年公司股价上涨41.8%，远超三星电子12.4%的涨幅[5] - 外资净买入1.63万亿韩元，成为韩国交易所外资净买入第一的股票[5] - 大信证券将目标价从28万韩元上调至30万韩元，预计Q2盈利超预期[5]

混合键合技术应用 - 三星电子和SK海力士计划将混合键合技术应用于下一代HBM产品，三星可能最早于2025年用于HBM4（第六代），SK海力士则可能用于第七代HBM4E [1] - 混合键合技术通过铜对铜直接键合替代传统凸块连接，可缩小芯片尺寸并将功率效率和性能提升一倍以上 [1] - 当前HBM生产依赖TC键合机，韩国设备商（如SEMES、韩美半导体、韩华光辉）占据全球80%以上市场份额，其中韩美半导体垄断HBM3E的TC键合机供应 [2] 供应链竞争格局 - 美国应用材料公司通过收购Besi公司9%股份进入混合键合市场，Besi是全球唯一量产混合键合设备的公司 [3] - 韩国HANMI Semiconductor和Hanwha Semitech加速开发无助焊剂键合系统作为替代方案，美光正评估该技术用于下一代HBM [3] - 当前TC键合机主要供应商包括SEMES（三星）、韩美半导体（SK海力士）、Shinkawa Electric（美光）和ASMPT [2] 技术迭代与市场影响 - HBM需求激增推动韩国本土设备商订单大幅增长，买家优先选择具备稳定量产能力的供应商 [2] - 混合键合技术若普及将成为未来HBM堆叠的主流方法，可能重塑半导体设备供应链格局 [2][3] - 传统TC键合工艺通过加热加压连接DRAM芯片，需使用凸块并固定间隔堆叠，而混合键合无需凸块且密度更高 [1][2]

核心观点 - SK海力士通过HBM技术实现历史最佳业绩，并强化年轻化领导团队以引领AI时代技术变革 [1] - 新任HBM业务负责人崔俊龙提出"自豪感"驱动战略，目标是打造"全方位面向AI的存储器供应商" [2] - 公司率先交付第六代HBM4样品，确立全球领先优势，强调"一个团队"精神是成功关键 [2][3] - HBM异构集成技术部通过技术和运营创新构建快速响应体系，应对AI市场需求激增 [5][6] - 2025年重点任务是扩大HBM3E量产规模，同时为下一代HBM产品奠定技术基础 [6] 组织架构调整 - 任命1982年出生的崔俊龙为HBM业务规划组织负责人，系公司最年轻高管 [1] - 崔俊龙此前负责移动DRAM产品规划，具有丰富的HBM业务经验 [1] - HBM异构集成技术部由2002年加入的韩权焕副社长领导，其主导了历代HBM产品开发 [5] 技术发展 - 全球率先交付12层HBM4样品，产品速度处于全球顶尖水平 [2] - 正在推进12层HBM4量产，并将依据需求供应HBM4E产品 [4] - 下一代HBM产品面临更高工艺难度，需提前预测技术挑战 [6] - HBM工序复杂，需提高生产线灵活性以应对定制化需求 [6][7] 市场战略 - 目标成为"全方位面向AI的存储器供应商"，提供完整产品组合 [2] - 将依据客户特定需求开发定制化HBM解决方案 [2] - 2023年ChatGPT推动AI市场爆发，HBM需求急剧增加 [5] - 全球大型科技企业对定制型HBM产品的需求持续增长 [6] 管理理念 - 通过赋予成员"自豪感"驱动组织发展 [2] - 强调"一个团队"精神是技术突破的核心竞争力 [3] - 建立开放沟通机制，鼓励成员分享多元化观点 [4] - 研发与量产部门协同工作，提升生产效率 [7]

SK海力士HBM技术规划 - 公司计划通过及时供应HBM4E等下一代产品保持HBM市场的技术领先地位 [1] - 将于2024年开始量产第六代HBM4 12层产品 并计划下半年全面量产 [1] - 已提前数月向主要客户提供全球首批HBM4 12层样品 [1] - 第七代HBM4E产品开发将加速以满足AI市场需求 [2] HBM业务进展 - HBM占公司DRAM销售比重快速提升 2023年Q4超40% 预计2024年将突破50% [2] - 2024年HBM产能已全部售罄 2025年上半年产能极可能提前售罄 [2] - 2025年出货产品将包括第五代HBM3E 12层和第六代HBM4 12层 [2] 业务战略与团队 - 将通过定制化HBM解决方案响应客户特殊需求 [1] - 强调团队精神和挑战精神是HBM市场成功的关键因素 [1] - HBM业务负责人崔俊勇为SK海力士最年轻高管 主导技术路线图与客户战略合作 [1]