文章核心观点 SK海力士正通过大幅扩大极紫外光刻设备投资、加速技术开发和产能扩张，以巩固其在先进1c DRAM工艺及下一代HBM产品上的领先地位，从而满足主要客户如英伟达对高性能存储器的迫切需求[1][2][3] 技术开发与工艺进展 - 公司正加速推进10纳米级第六代1c DRAM工艺，该工艺将应用于第七代高带宽存储器HBM4E的核心芯片，样品交付目标定在本年度[1] - 此前公司将1b工艺用于HBM3E和HBM4，并优先将1c工艺用于DDR5、LPDDR5X和GDDR7等大宗DRAM产品，近期随着1c DRAM良率改善，已扩大其在HBM上的应用范围[1] - 公司在2024年8月开发出16Gb DDR5时宣称获得1c DRAM工艺技术的“全球首创”称号，该工艺在经历良率挑战后已相对较快地进入稳定阶段[1] - 1c DRAM在大宗DRAM上的良率已从去年未达预期的状态大幅改善，目前攀升至80%[2] - 1c DRAM的极紫外光刻应用层数正从1a DRAM的一层和1b DRAM的四层扩展至五层或更多，竞争对手三星电子最初曾考虑应用多达8-9层，但已调整至类似水平[3] 设备投资与产能规划 - 公司对1c DRAM工艺的极紫外光刻设备投资已从原计划扩大约三倍[1][2] - 公司上个月披露从ASML购入价值约12万亿韩元的极紫外光刻扫描仪，考虑到公司今年总设备投资预计约为20万亿韩元，超过一半已分配至极紫外光刻领域[2] - 此次采购的设备是ASML最新的极紫外光刻扫描仪型号，预计采购量约为20台，合同不包括高数值孔径设备[2] - 有观察指出，公司可能支付了15-20%的“加急费”以加速设备交付，预计将于2027年底收到最终交付，相比2021年以五年合同采购同类设备的时间表显著压缩[3] - 公司计划将极紫外光刻扫描仪部署到清州M15X、利川M16以及龙仁半导体集群的第一座工厂等正在进行1c DRAM工艺转换的生产线[3] - 公司计划今年将超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品，到年底产能预计达到每月约19万片晶圆[3] 市场驱动与客户需求 - 公司加快1c DRAM技术开发的主要驱动力来自其HBM最大客户英伟达，后者计划于明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”[1]