在半导体领域，光刻机犹如"工业皇冠上的明珠"，其技术水平直接决定着芯片制程的极限。 如今，提及这一核心设备，ASML的名字几乎成为行业的代名词——这家来自荷兰的企业凭 借在高端光刻机领域的绝对掌控力，稳稳占据着全球市场的主导地位，尤其在EUV光刻机 领域，更是形成了一家独大的格局，成为全球芯片巨头们争相合作的对象。 然而，光刻机产业的版图并非生来如此。 回溯历史，佳能（Canon）与尼康（Nikon）这两个日本企业的名字，曾在该领域书写过辉煌篇 章。上世纪八九十年代，当半导体产业迈入光刻技术主导的时代，佳能与尼康凭借在步进式光刻 机、扫描式光刻机等领域的技术突破，一度占据全球市场的大半份额，是当时当之无愧的行业巨 头。那时的ASML，还只是在技术追赶中艰难突围的后来者。 然而，产业格局的剧变，往往与技术路线的选择紧密相连。 在专注于157nm波长的浸没式光刻技术，以及从DUV（深紫外）向EUV（极紫外）技术跨越的关 键节点，佳能与尼康因对技术路线的判断偏差，逐渐在竞争中落入下风。ASML则抓住机遇，通 过整合全球技术资源、押注EUV路线，一步步实现了对前辈的超越，最终奠定了如今的霸主地 位。 曾经的行业王者， ...

光刻机行业格局演变 - ASML凭借EUV技术垄断高端光刻机市场，尤其在EUV领域形成一家独大格局[1][3] - 上世纪八九十年代佳能与尼康曾主导全球光刻机市场，占据大半份额[2] - 技术路线选择偏差导致佳能尼康在浸没式光刻和EUV技术迭代中落后，ASML实现反超[3] 佳能的纳米压印技术突破 - 2023年推出FPA-1200NZ2C设备实现14纳米线宽，有望推进至10纳米，支持5纳米制程[7][16] - 技术原理采用"盖印章"式压印，一次成型复杂电路，避开光学衍射限制[15] - 成本优势显著：设备价格比EUV低一个数量级，能耗仅为EUV的10%[15] - 重点布局3D NAND闪存等细分市场，与铠侠合作推进量产应用[13] - 已向美国TIE研究所交付设备，客户包括英特尔、三星等巨头[11] 尼康的技术转型策略 - 计划2028年推出兼容ASML生态的浸没式ArFi光刻机，争夺市场份额[25][26] - 2024年推出NSR-S636E浸润式ArF光刻机，生产效率提升10-15%，价格低20-30%[27] - 2025年推出首款FOPLP工艺光刻系统DSP-100，支持600mm×600mm基板，每小时处理50片[29][30] - 采用无掩模技术实现1.0μm分辨率，瞄准先进封装市场[30][34] 其他颠覆性技术探索 - 美国Inversion Semiconductor开发激光尾场加速技术，目标波长6.7纳米，成本为EUV的1/3[36] - 欧洲Lace Lithography原子光刻技术达2纳米分辨率，能耗仅EUV的1/10[37] - 德国默克与三星合作开发嵌段共聚物自组装技术，可减少30%EUV曝光次数[38] 行业未来发展趋势 - 光刻技术路线呈现多元化趋势，可能从单一垄断转向多技术并存[38][41] - 佳能尼康通过构建产业生态联盟增强竞争力，包括芯片制造商和材料供应商合作[39] - 新兴市场和细分领域（如先进封装）成为竞争焦点[34][39]

财务表现 - 2025年Q2净销售额77亿欧元（精确值76.92亿欧元），达到业绩指引上限 [1][2][4] - Q2毛利率53.7%，超预期，主要受益于设备升级业务增长及一次性成本降低 [2][4] - Q2净利润22.9亿欧元，每股收益5.9欧元 [1][3][4] - Q2新增订单额55.41亿欧元，环比增长40.8%，其中EUV光刻系统贡献23亿欧元，占比41.5% [2][3][4] - Q1新增订单39.36亿欧元，Q2环比显著增长 [3][4] - Q2现金及短期投资72.48亿欧元，较Q1的91.04亿欧元有所下降 [4] 产品与技术 - EUV光刻系统表现突出，贡献显著 [1][2] - 光刻工艺强度持续提升，尤其在DRAM领域 [4] - TWINSCAN NXE:3800E的推出巩固了技术优势 [4] - 首台TWINSCAN EXE:5200B系统（High NA EUV技术）在本季度交付 [4] 业绩展望 - 预计Q3净销售额74-79亿欧元，毛利率50%-52% [5] - 预计Q3研发成本12亿欧元，SG&A费用3.1亿欧元 [5] - 预计2025年全年净销售额增长15%，毛利率约52% [1][5] - 2026年增长面临宏观经济与地缘政治不确定性，暂无法确认具体增速 [5] 运营数据 - Q2新光刻系统销量67台，较Q1的73台有所下降 [4] - Q2二手光刻系统销量9台 [4] - Q2设备管理服务销售额20.96亿欧元，较Q1的20.01亿欧元增长 [4]

核心观点 - 硅谷初创公司xLight成功筹集4000万美元资金，致力于开发新型激光器原型，该技术有望颠覆全球芯片产业[2] - xLight的激光技术基于美国国家实验室的粒子加速器技术，将成为极紫外(EUV)光刻机的核心组件[2] - 该技术旨在解决晶圆厂的核心痛点，帮助芯片工厂更快、更便宜地生产更多先进芯片[3] - EUV光刻机领域存在中美竞争与供应链重塑问题，xLight致力于在美国及其盟国建立供应链[4] 技术突破 - xLight的激光技术源自美国国家实验室的尖端物理研究，与巨型粒子加速器使用相同技术[2] - 该技术将成为EUV光刻机的核心组件，而EUV光刻机是制造更小、更快芯片的主要工具[2] - 公司CEO表示这是晶圆厂中最昂贵的工具，对晶圆成本和产能影响最大[3] 行业影响 - 该技术有望帮助晶圆厂提升产能与效率，解决AI时代芯片供应不足的问题[3] - EUV光刻机开发耗时数十年，目前全球唯一供应商是欧洲的ASML[4] - 美国曾将EUV激光技术公司Cymer出售给ASML，被行业人士称为"可怕的错误"[4] 融资与供应链 - 本轮4000万美元融资由Playground Global领投，多家投资机构跟投[4] - 公司原型组件将主要来自美国国家实验室[4] - 公司明确表示要建立美国及其盟国的供应链，避免重蹈Cymer被收购的覆辙[4] 行业竞争 - 中国正在EUV技术领域大力投资[4] - 美国政府长期阻止EUV光刻机出口中国，称其为"最重要的一项出口管制"[4] - 行业人士强调"这次一定要做对"，显示出该技术的地缘政治重要性[4]

中国EUV光刻技术突破 - 中国科学院上海光学精密机械研究所林楠团队在EUV光源领域取得重大突破，开发出基于固体激光器技术的LPP-EUV光源，能量转换效率达到3.42%，超越国际顶尖水平[2] - 该技术打破西方在EUV核心技术上的垄断，标志着中国半导体产业正式进入7纳米以下先进制程领域[2] - EUV光刻技术是制造高端芯片的关键，能够将芯片电路图案缩小到纳米级别，提升性能并降低功耗[4] EUV技术现状 - EUV技术长期被国外企业垄断，荷兰ASML是全球唯一能生产商用EUV光刻机的企业[4] - 自2019年美国实施出口管制后，ASML被禁止向中国出售先进EUV光刻设备，严重制约中国高端芯片自主生产[4] - ASML采用激光轰击液态锡靶技术，使用20千瓦级二氧化碳激光器，但效率仅为0.02%[6] - ASML的光学系统使用蔡司制造的多层镀膜反射镜，表面粗糙度控制在0.1纳米以内，反射率达70%[6] 林楠团队技术路线 - 采用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源，实现3.42%的能量转换效率[8] - 固体激光器具有体积小、电光转换效率高（~20%）的优势，未来商业化后有望降低制造成本[11] - 通过优化激光峰值功率密度、改进激光脉冲控制算法和靶材材料实现关键技术突破[12] - 自主研发的LPP系统通过双脉冲打靶技术将锡液滴控制精度提升至纳米级[12] 技术对比与潜力 - 固体激光器理论最大效率接近6%，为进一步优化留足空间[11] - 固体脉冲激光器已实现千瓦级功率输出，未来有望达到万瓦级[12] - 与清华大学SSMB-EUV光源方案协同，形成多技术路径并行的研发格局[12] 产业链影响 - 短期提振中国半导体产业信心，有望摆脱对国外设备的依赖[18] - 长期将带动半导体产业链协同发展，从上游材料到下游应用市场[18] - 吸引更多优秀人才投身半导体产业，形成良好的人才培养和创新生态[18] 技术挑战与进展 - 构建完整EUV生态系统仍是巨大挑战，中国在EUV光学元件、光刻胶、对准系统等关键领域仍依赖进口[19] - 上海光机所的离子束抛光技术已实现反射镜表面粗糙度低于0.1nm[20] - 中国电子科技集团研发的纳米级同步定位技术可将同步误差控制在0.5nm以内[22] - 国产EUV光刻胶国产化率不足1%，日本垄断全球99%的市场[21] 科研背景 - 林楠研究员师从诺贝尔物理学奖得主，曾在ASML担任研发科学家和光源技术负责人[14] - 已申请/授权美、日、韩等国国际专利110余项，多项专利成功实现产品转化[14] - 2021年放弃国外优厚待遇全职归国，组建先进光刻研究小组[14]