如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 Source：编译自thebell 三星电子和 SK 海力士将推迟引进 ASML 用于其 DRAM 曝光工艺的"高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV)"设备。这是由于天文数字般的设备价格和 DRAM 架构即将发生的变化。 三 星 电 子 和 SK 海 力 士 计 划 在 2030 年 后 量 产 3D DRAM ， 3D DRAM 曝 光 工 艺 计 划 采 用 氟 化 氩 （ArF）设备，而非EUV设备。因此，High NA EUV设备的引入势必会给芯片制造商带来负担。 据业界15日透露，三星电子将抢先将HighNA EUV设备应用于晶圆代工。据悉，在DRAM工艺方 面，他们正在考虑是否将其应用于10nm第7代DRAM（1d DRAM），或者用于量产垂直沟道晶体 管（VCT）DRAM。 内存公司对引入High NA EUV持保守态度的原因在于未来的DRAM发展路线图。根据三星电子和 SK海力士的DRAM路线图，内存架构将按照以下顺序变化：6F方形DRAM→4F方形DRAM→3D DRAM。 这意味着，即使引进价值超过4亿美元的最新设备，其用于量产尖 ...