市场概况 - 2024年CMOS图像传感器(CIS)市场收入增长6.4%，2023年同比增长2.3%，预计2024-2030年复合年增长率4.4% [1] - 2024年出货量70亿台，2030年预计增至90亿台，移动、安全和汽车应用为主要增长动力 [1] - 2024年晶圆产量增长8.9%，堆叠架构占比近80%，三堆叠CIS在移动和XR领域普及 [1] - 平均售价稳定在3美元以上，受移动和汽车高端功能支撑 [1] 区域与厂商动态 - 中国公司Smartsens 2024年同比增长105.7%，拓展移动和汽车领域 [4] - 索尼市场份额增加近50%，三星保持稳定并推广新技术，SK海力士缩减CIS投入专注存储器 [4] - 安森美、Teledyne、意法半导体收入下降，因工业和医疗市场放缓或消费电子订单减少 [4] - 索尼和三星在汽车领域挑战豪威科技和安森美，中国公司瞄准高端智能手机 [4] - 国内需求与政府支持推动中国CIS生产，混合供应模式增强韧性 [4] - 预计2030年全球CIS晶圆产能达638k wpm（负载率72%），索尼扩产，SK海力士缩减，JASM在日本量产 [4] 技术趋势 - 行业创新聚焦性能、集成度和传感能力提升，包括信噪比、弱光灵敏度、紧凑设计和低功耗 [7] - 索尼三层堆叠传感器用于Xperia 1 V及主流智能手机，支持多模态传感和片上AI [7] - 22纳米逻辑堆叠技术推动超低功耗与计算能力扩展，FDSOI技术或用于神经形态传感 [7] - 混合/数字像素传感器解决快门权衡问题，提升速度并降低噪声 [7] - 超表面、微光学技术实现先进3D/偏振传感，基于事件成像和SPAD技术优化低延迟/弱光性能 [7] - 无铅量子点传感器在短波红外消费应用受青睐 [7] 技术发展历程 - 像素尺寸从2006年2.2µm缩小至2022年0.56µm [8] - 制程从2006年90nm演进至2020年22nm，未来或采用FDSOI/FinFET [8] - 3D集成从BSI发展为双堆叠、三堆叠，2030年或进入多堆叠时代 [8] - 逻辑节点从2012年65nm升级至2020年22nm [8]