下一代高带宽内存(HBM)芯片
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美光斥资96亿美元,在日建厂
半导体行业观察· 2025-11-30 12:53
美光科技在日投资计划 - 公司计划投资1.5万亿日元(约96亿美元)在日本西部建设下一代存储芯片生产基地 [1] - 新工厂将专注于生产用于人工智能计算的关键组件——下一代高带宽内存(HBM)芯片 [1] - 工厂建设计划于2026年5月启动,目标在2028年左右实现HBM芯片的批量出货 [1] 日本政府支持与行业背景 - 日本经济产业省将为该项目提供最高5000亿日元的补贴 [1] - 考虑到公司自2023年起已计划对广岛工厂累计投资2万亿日元,日本经济产业省对美光的补贴总额将高达7745亿日元 [2] - 日本政府正加大高端芯片供应链建设力度,计划到2030财年为半导体和AI系统提供超过10万亿日元的财政支持 [2] 生产布局与市场竞争 - 除广岛工厂外,公司在中国台湾地区和美国设有主要生产基地,其先进HBM芯片的生产目前主要集中于中国台湾地区 [1] - 此次投资是公司自2019年以来规划的首个新生产基地,预计将成为全球最先进的HBM芯片生产基地之一 [2] - 根据Counterpoint数据,2025年第二季度,SK海力士以64%的市场份额主导全球HBM芯片市场,公司以21%的份额位居第二 [2] 技术部署与战略意义 - 公司于今年5月首次在日本引进极紫外光刻(EUV)系统,并部署于广岛工厂以实现批量生产 [1] - 此举将助力公司追赶在HBM技术上领先的竞争对手韩国SK海力士 [2] - 公司于2013年收购日本芯片企业尔必达内存,并接管了其位于东广岛市的生产基地 [2]