报告行业投资评级 - 报告未明确给出行业投资评级 报告的核心观点 - AI服务器及数据中心需求持续增长，全球半导体制造投资进入上行阶段，资本开支向先进逻辑、DRAM、HBM、NAND及先进封装集中[3] - 存储扩产周期下，全球半导体资本开支进入新一轮“军备竞赛”，头部厂商投资总量维持高位[7] - 全球主要半导体项目正由投资规划逐步进入厂房建设、洁净室施工、设备搬入和产能爬坡阶段[8] - 成熟制程及特色工艺晶圆厂单位投资约为5.9—16.7亿美元/万片月产能，平均值约9.3亿美元[9] 根据相关目录分别进行总结 存储扩产周期下，全球半导体资本开支进入新一轮“军备竞赛” - 台积电2026年资本预算为600-640亿美元，约70%—80%用于先进制程，约10%—20%用于先进封装、测试、光罩及其他项目[7][14] - 美光2026财年资本开支指引已从年初预计的180亿美元上调至超过270亿美元，增量主要投向先进DRAM、HBM、先进NAND、制程升级及新增制造设施[7][15] - 三星电子2025年资本开支约52.7万亿韩元，2026年计划在研发及设施领域合计投入超过110万亿韩元，投资方向覆盖HBM在内的高附加值存储、晶圆代工及先进封装[19] - SMIC 2026年资本开支预计与2025年的81亿美元大致相当[7][21] - 华虹半导体2025年全年资本开支合计约18.14亿美元，2026年一季度资本开支进一步提升至9.25亿美元，其中约8.86亿美元用于12英寸业务[25] - 长鑫存储拟使用募集资金295亿元推进量产线、DRAM技术及前瞻研发升级[7][25] - 长鑫科技2023—2025年购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金分别为436.58亿元、712.30亿元和497.39亿元[25] 全球半导体项目密集推进，工程需求逐步兑现 - 台积电计划将美国总投资提升至1650亿美元，在原先650亿美元亚利桑那项目基础上追加1000亿美元，规划包括三座新晶圆厂、两座先进封装设施和一个主要研发中心[30] - 台积电第一座亚利桑那晶圆厂已建成量产，第二座厂房结构已经完成，预计2027年下半年量产，第三座晶圆厂已于2026年5月封顶[30] - 美光计划在爱达荷、纽约和弗吉尼亚投入约2000亿美元用于半导体制造和研发[30] - 美光爱达荷州Boise第一座高端DRAM晶圆厂已开工建设，纽约州Clay Megafab于2026年1月举行奠基仪式，预计2030年开始生产[30] - 三星美国Taylor厂此前规划投资约170亿美元，该项目计划2027年开始量产[33] - 英特尔计划投资超过280亿美元，在俄亥俄州一号园区建设两座新的芯片工厂，Mod1预计于2030年完成建设，Mod 2预计于2031年完成建设[33] - 美光新加坡项目计划未来十年投资约240亿美元，建设先进晶圆制造设施，新增约70万平方英尺洁净室，预计2028年下半年开始出片[37] - 美光新加坡HBM先进封装设施预计于2026年开始运营，并于2027年开始对公司HBM供应形成实质性贡献[37] - 格芯新加坡40亿美元扩建厂已于2023年正式开幕，新增约23,000平方米洁净室和45万片300mm晶圆年产能[42] - 联电Fab12iP3已于2025年4月正式揭幕，第一阶段投资最高50亿美元、目标月产能3万片，预计2026年开始量产[42] - VSMC于2025年10月27日举行首台设备搬入仪式，规划2027年开始初始生产、2029年月产能达到5.5万片300mm晶圆[42] - 台积电JASM熊本项目投资200亿美元，预计月产能达10万片300mm晶圆[46] - Rapidus北海道项目截至2026年2月已落实2676亿日元政府及民间融资，目标2027年量产2nm GAA[48] - 美光广岛1γ DRAM项目未来数年最高投资5000亿日元，导入EUV生产1γ DRAM[48] - 三星平泽P4计划于2026年开始运营，P5 Fab 1已恢复建设并计划于2028年量产[50] - SK海力士M15X项目长期总投资超过20万亿韩元，其中厂房建设约5.3万亿韩元[53] - SK海力士龙仁第一座Fab累计投资约31万亿韩元，首个洁净室提前至2027年2月开放[53] - ESMC德国德累斯顿项目总投资超过100亿欧元，月产能4万片300mm晶圆，目标2027年底开始生产[57][61] - Infineon德累斯顿Smart Power Fab投资约50亿欧元，2026年7月2日开幕并启动生产爬坡[61] - ST与格芯法国Crolles扩建项目整体预计成本约75亿欧元，目标于2026年达到满产[61] - ST意大利Catania SiC园区多年投资约50亿欧元，计划2026年开始生产[63] - SMIC上海临港、北京、天津和深圳等12英寸项目持续分期建设和产能爬坡[63] - 长鑫存储量产线技术升级改造项目计划于2027年底前分批实施厂务改造、机台搬入、机台调试和机台投产，2028年上半年前完成竣工验收[67] - 长江存储三期项目目前处于洁净厂房设备安装阶段，计划于2026年建成投产[67] - 台积电新竹及高雄多期2nm厂房2026年继续推进建设及产能爬坡[73] - 美光铜锣P5及第二座洁净室，既有30万平方英尺洁净室，拟新增约27万平方英尺[77] - 南亚科技新北先进DRAM Fab总投资约3000亿新台币，计划2027年初设备搬入[77] 晶圆厂投资、面积与产能的测算框架 - 成熟制程及特色工艺晶圆厂的单位投资约为5.9—16.7亿美元/万片月产能，平均值约9.3亿美元[9][81] - 中国大陆成熟制程项目单位投资相对较低，主要集中在5.9—8.9亿美元/万片月产能[82] - 新加坡成熟制程及特色工艺项目单位投资约为10.7—16.7亿美元/万片月产能[82] - 台积电亚利桑那Fab 1单位投资约60亿美元/万片月产能，先进工艺及海外建设成本推高项目单位产能所需投资规模[3][81] - 台积电两个先进制程平均单位产能对应投资额约为37.5亿美元，显著高于成熟制程[82] - 12英寸晶圆厂洁净室单位产能所需面积约0.6—1.1万平方米/万片月[84] - 格芯新加坡扩建厂新增洁净室面积约2.3万平方米，规划月产能约3.75万片，对应约0.61万平方米/万片月产能[84] - 联电台南Fab 12A P5/P6洁净室面积约5.3万平方米，规划月产能约5万片，对应约1.06万平方米/万片月产能[84]