业务分拆与独立运营 - 晶合集成拟将光罩业务独立运营，设立安徽晶镁光罩有限公司，专注于28nm及以上工艺节点半导体光罩生产制造 [2] - 安徽晶镁拥有24项专利（20项发明专利、4项实用新型专利），其中17项已获证书，7项在申请中，另有73项专有技术，涵盖150nm-28nm工艺技术及设备参数等核心文件 [2] - 拟转让的光罩相关技术评估价值为27,732.13万元 [2] 增资与股权结构 - 晶合集成联合合肥国投、合肥建翔等投资者共同向安徽晶镁增资11.95亿元，增资价格为1元/注册资本 [2] - 晶合集成以货币方式认缴2亿元，交易完成后直接持有安徽晶镁16.67%股权 [3] 战略意义与业务发展 - 分拆光罩业务旨在把握市场机遇，扩大生产规模，增强供应链稳定性及产业协同性 [3] - 独立运营有利于灵活对接外部客户订单，提升市场竞争力，同时通过专业化运营为上市公司创造更优业绩 [3] - 2022年晶合集成开始建设光罩生产线，2024年7月生产出安徽省首片半导体光刻掩模版，填补省内空白 [3]

证券代码：688249 证券简称：晶合集成 公告编号：2025-040 合肥晶合集成电路股份有限公司 关于拟对外投资暨关联交易的公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 重要内容提示 ? 合肥晶合集成电路股份有限公司（以下简称"公司"或"晶合集成"）拟与 合肥国有资本创业投资有限公司（以下简称"合肥国投"）、合肥建翔投资有限公 司（以下简称"合肥建翔"）、合肥晶汇创芯股权投资基金合伙企业（有限合伙） （以下简称"晶汇创芯"）、青岛高信智汇创业投资合伙企业（有限合伙）（以下 简称"青岛高信"）、合肥晶汇聚芯投资基金合伙企业（有限合伙）（以下简称"晶 汇聚芯"）、合肥晶冠企业管理合伙企业（有限合伙）（以下简称"合肥晶冠"） 等投资者共同向安徽晶镁光罩有限公司（以下简称"安徽晶镁"或"标的公司"） 增资，各投资者以 1.00 元/注册资本的价格合计增资 11.95 亿元。其中，公司拟以货 币方式认缴 2 亿元，资金来源于公司的自有及自筹资金。交易完成后，公司将直接 持有安徽晶镁 16.67%股权。 ? 本次对外投资涉 ...

关联交易概述 - 晶合集成拟将光罩业务独立运营，设立安徽晶镁专注于28nm及以上工艺节点半导体光罩生产制造，以把握市场机遇并增强供应链稳定性[2] - 公司联合合肥国投等投资者共同增资11.95亿元，其中晶合集成认缴2亿元，交易完成后持股16.67%[3] - 合肥国投和合肥建翔为关联方，本次交易构成关联交易但未构成重大资产重组，不影响公司合并报表范围[4] 交易标的及财务数据 - 安徽晶镁成立于2025年3月28日，注册资本500万元，尚未开展经营活动，资产和负债均为0元[13][14] - 增资后股权结构：合肥国投持股25%，晶合集成持股16.67%，其他投资者合计持股58.33%[13] - 交易定价为1.00元/注册资本，经各方协商确定，符合公允性原则[15] 行业背景与战略意义 - 光刻掩模版是半导体制造关键材料，2024年7月晶合集成生产出安徽省首片半导体光刻掩模版，填补省内空白[1] - 独立运营光罩业务可提升市场竞争力，通过专业化运营创造更优业绩并为股东带来回报[2] - 布局光罩产业有助于增强上游供应链稳定性，与公司主营业务形成产业协同[22] 协议主要内容 - 增资交割条件包括完成内部审批、签订设备租赁协议及技术转让协议等[16][17] - 公司治理方面，董事会由5名董事组成，其中1名由晶合集成提名，利润分配按实缴出资比例进行[18] - 投资者退出方式包括IPO、并购/重组或股权回购，晶合集成在2030年前不得未经同意转让股权[19][20] 其他关联安排 - 晶合集成拟向安徽晶镁转让光罩技术，评估价格为2.77亿元，并出租厂房及设备[21] - 技术转让及租赁协议需经国资监管单位同意后生效，定价遵循市场原则[21] 审议程序 - 董事会以6票同意、3票回避通过议案，独立董事及监事会均认为交易符合公允性原则且无损害股东利益情形[22][23] - 保荐机构对交易无异议，认为审议程序符合法律法规及公司章程规定[25]

文章核心观点 公司2024年度经营成果良好，营收和净利润显著增长，拟进行利润分配；所处集成电路晶圆代工行业发展前景佳，公司在行业地位领先；同时进行会计政策变更，监事会审议多项议案，预计2025年度日常关联交易，披露2024年度募集资金存放与使用情况 [25][15][16] 公司基本情况 公司简介 - 主要从事12英寸晶圆代工业务及其配套服务，致力于研发应用先进工艺，提供多种制程节点和应用的工艺平台晶圆代工及光刻掩模版制造等配套服务 [9] 主要业务 - 制程节点方面，已实现150nm至55nm制程平台量产，40nm高压OLED显示驱动芯片小批量生产，28nm逻辑芯片点亮电视面板且其他产品研发推进中；工艺平台应用方面，具备多种芯片工艺平台晶圆代工技术能力，产品应用于多领域 [9] 主要经营模式 - 研发模式：制定研发管理制度和流程，有严格进度管控方案 [9] - 采购模式：建立严格采购流程、供应商认证准入和考核评价体系，采用直接采购或通过经销商采购，向合格供应商采购并考核评价 [10] - 生产模式：接到需求先小规模试产，良率和工艺稳定后风险量产，达标后签合同或接订单进行大批量生产 [11] - 销售模式：建立规范销售团队和多元化营销渠道，采用直销模式并规范销售流程 [12] 行业情况 行业发展阶段、特点和技术门槛 - 所处行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，属战略性新兴产业；半导体行业具战略性、基础性和先导性，集成电路应用广泛；行业呈垂直化分工格局，全球市场规模随终端产品发展增长，2024年AI推动市场增长，新兴产业是助推器；中国是主要生产基地和最大增速最快市场，2024年集成电路产量、出口量和金额均增长；晶圆代工行业技术、资本、人才密集，进入壁垒高 [13][14][15] 公司行业地位 - 立足晶圆代工领域，以面板显示驱动芯片获良好认知度，客户覆盖部分国际一线公司，与境内外领先芯片设计公司合作；在液晶面板显示驱动芯片代工领域全球领先，2024年Q4全球晶圆代工业者营收排名第九，中国大陆企业中排名第三 [16] 新技术等发展情况和趋势 - OLED面板产业：OLED面板优势明显，需求增长，OLED驱动芯片出货量有望提升，公司积极布局，40nm已量产，28nm研发顺利 [17][18] - CIS国产化：全球CIS销售额稳定增长，国产CIS在手机市场突破，汽车市场成新动力，公司55nm中高阶BSI和堆栈式CIS芯片工艺平台量产 [19][20] - 汽车芯片市场：新能源汽车发展带动汽车芯片需求，公司布局车用芯片市场，已获认证并通过车规验证，55nm车载显示驱动芯片量产 [21] - 电源管理芯片：应用广泛，需求增长，已成为公司第三大产品主轴，营收占比约9%，公司正在研发90 - 110nm的BCD电源管理芯片 [22] - AR/VR等新兴应用：XR被认为是下一代移动计算平台，中国AR/VR市场将回暖，Micro OLED技术受益，公司开发硅基OLED相关技术，110nm Micro OLED芯片已点亮面板 [22][23] 财务情况 主要会计数据和财务指标 - 2024年实现营业收入924,925.23万元，同比增长27.69%；净利润48,219.63万元，同比增长304.65%；归属于母公司所有者的净利润53,284.06万元，同比增长151.78%；扣除非经常性损益后净利润39,436.68万元，同比增长736.77%；经营性现金流量净额276,113.13万元，同比增加292,216.72万元 [25] 利润分配方案 - 拟以实施权益分派股权登记日总股本扣减回购专用证券账户股份为基数，每10股派发现金红利1.00元（含税），不送红股，不转增股本；截至公告披露日，拟派发现金红利194,404,665.70元（含税），现金分红和回购金额合计1,086,081,974.00元，占净利润比例203.83%；现金分红和回购并注销金额合计194,404,665.70元，占净利润比例36.48%；方案尚需股东会审议 [5][29] 重要事项 会计政策变更 - 依据财政部相关规定变更会计政策，符合法规和公司实际，无需提交审议，不影响财务状况、经营成果和现金流量，不损害公司及股东利益 [40][45] 监事会会议决议 - 审议通过2024年年度报告及其摘要、2024年度财务决算报告、2025年度财务预算、2024年度内部控制评价报告、2024年度利润分配方案、2024年度募集资金存放与实际使用情况专项报告、预计2025年度日常关联交易及对2024年度关联交易予以确认、2024年度监事会工作报告等议案，部分议案尚需股东会审议 [48][50][52] 预计2025年度日常关联交易 - 预计销售类4,500.00万元，采购类9,300.00万元，租赁类1,050.00万元；关联交易基于正常经营，定价公允，不影响独立性，不损害公司及股东利益；需提交股东会审议 [73] 2024年度募集资金存放与实际使用情况 - 实际募集资金净额9,723,516,459.91元；制定募集资金管理制度，签订三方监管协议并切实履行；2024年度未置换先期投入、未补充流动资金；进行现金管理，截至2024年12月31日余额1,412,025,172.64元 [94][96][104]

半导体制造技术竞争 - 台积电、英特尔、三星和日本Rapidus正在2纳米工艺上展开激烈竞争，台积电虽实力雄厚但面临追赶者压力 [1] - 在2nm尚未大规模量产时，行业已开始关注1纳米技术研发 [1] - 台积电组建团队加速1纳米研发，并计划在台湾南部建设1纳米超级晶圆厂，包含6条生产线（P1-P3为1.4nm，P4-P6为1nm） [6] - 台积电计划提前推出1纳米工艺，原定2027年推出的1.4nm工艺提前至2026年，以巩固市场领先地位 [7] 光刻技术进展 - ASML与Imec建立五年合作，专注于2nm以下工艺，提供包括High-NA EUV（0.55数值孔径）在内的最新光刻设备 [3] - High-NA EUV系统单台成本达3.5亿美元，可实现单次曝光8nm分辨率，是2nm以下节点的关键 [4] - Imec首次在比利时鲁汶的研究线直接使用High-NA EUV技术，加速研发进程 [4] - 日本DNP成功开发支持2nm EUV光刻的光掩模，图案比3nm小20%，并完成High-NA兼容评估 [7][8][9] - DNP目标2027财年量产2nm光掩模，并与Imec合作推进1nm技术 [9] 1纳米技术路线图 - Imec在2022年公布1纳米晶体管路线图，涵盖从FinFET到GAA纳米片、CFET及原子通道设计的演进 [11] - GAA/纳米片晶体管将在2nm节点首次亮相，CFET晶体管预计2032年问世 [12] - 行业面临设计成本飙升（单线程性能增益从每年50%降至5%）与AI算力需求每6个月翻倍的挑战 [13][14] - High-NA EUV光刻机（0.55孔径）预计2026年量产，可将晶体管密度提升至~1000 MTr/mm² [15] - 背面供电技术（BEOL改进）和3D互连等创新将支撑未来密度与性能提升 [16][17][18] 行业趋势与创新方向 - 摩尔定律在晶体管密度上仍有效，但经济性（每晶体管成本）面临挑战 [13] - 系统技术协同优化（SCTO）、新材料（如石墨烯）及量子计算技术被视为长期解决方案 [14][17][18] - 台积电同步推进2nm（台湾）和4nm（美国亚利桑那州）量产，应对AI芯片需求激增 [7]

行业竞争格局 - 台积电、英特尔、三星和日本Rapidus正在2纳米工艺领域展开激烈竞争，台积电虽实力雄厚但面临追赶者压力[1] - 在2nm尚未量产时，行业已开始关注1纳米技术研发，显示技术迭代加速[1] 光刻技术进展 - ASML与Imec建立五年合作，专注于2nm以下工艺开发，涉及High-NA EUV等最新光刻工具[3] - 合作内容包括Twinscan NXT/EXE光刻系统、YieldStar计量方案和HMI检测工具[3] - High-NA EUV系统单台成本达3.5亿美元，新协议使Imec首次能在自有设施直接使用该技术[4][5] 台积电1nm布局 - 台积电组建1nm研发团队，计划在台湾南部建设含6条生产线的Giga-Fab超级晶圆厂[6] - 前三座厂(P1-P3)生产1.4nm芯片，后三座(P4-P6)专注1nm芯片，可能扩展至0.7nm工艺[6] - 公司计划2026年量产1.6nm工艺，比原计划提前一年，三星和英特尔预计2027年推出1.4nm工艺[7] 光掩模技术突破 - 日本DNP实现2nm EUV光掩模所需精细图案分辨率，比3nm工艺缩小20%[9][10] - 完成High-NA EUV光掩模标准评估并开始供应样品，目标2027财年量产2nm光掩模[10] - 与imec合作推进1nm光掩模技术研发，建立与传统EUV不同的制造工艺流程[10] 1nm技术路线图 - Imec公布1nm晶体管路线图，涵盖A7(0.7nm)至A2(0.2nm)节点创新设计[12] - GAA/纳米片晶体管将在2nm节点取代FinFET，CFET晶体管预计2032年问世[12][13] - 机器学习需求每6个月翻倍，需通过尺寸缩放、新材料和系统优化三方面应对[14] 制造工艺挑战 - High-NA EUV光刻机(0.55孔径)预计2026年量产，可实现单次曝光8nm分辨率[16] - 背面供电技术可提升晶体管密度和性能，但需解决散热问题[17] - 互连技术成为主要瓶颈，研究石墨烯等新材料替代铜导线[18] - 3D芯片设计EDA软件缺乏制约3D互连技术发展，正与Cadence合作开发解决方案[19]