正文 在半导体产业攀登工艺巅峰的征程中，光刻胶作为集成电路图形化工艺的核心媒介，其地位堪比精密绘制蓝图的"画笔"。它不仅决定了电路图案能否被高 保真地转印至硅片，其材料本身的每一次革新—— 从早期的DNQ-酚醛树脂体系，到随KrF、ArF光刻技术而生的化学放大光刻胶，直至面向EUV时代的金 属簇光刻胶 ——都直接推动了摩尔定律的延续。 然而，这项精密且关键的产业，长期以来被少数国际巨头在 材料设计、核心树脂及复杂工艺 诀窍上所构建的壁垒所主导。 国产化之路，因而远非简单的产品替代，而是一场贯穿 基础化学、精密工程与供应链安全的系统性攻坚，涉及从分子设计、配方研发、稳定量产到客户 验证 的全链条能力重塑。 报告将系统性地梳理 半导体光刻胶的技术脉络与产业现状 。报告内容主要涵盖四大方面： 首先 ，回顾光刻胶随光刻技术代演进的 发展历程 ，揭示设备、材料与工艺协同发展的规律； 其次 ，深入剖析成熟制程中主流光刻胶（如248nm、193nm化学放大胶及I线胶）的 工作原理与配方核心 ； 再次 ，明确界定评估光刻胶性能的 关键技术指标 ，解读其背后的设计考量； 点击 最 下方 "在看"和" "并分享，"关注"材料汇 ...