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半导体激光退火
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邹世昌:“两弹一星”与集成电路研制
半导体芯闻· 2025-06-03 18:39
中国半导体产业发展历程 - 1965年上海冶金所与上海元件五厂联合研制出上海第一块集成电路,几乎与日本同步[10] - 1997年参与筹建中国第一条8英寸集成电路生产线,1999年华虹NEC提前7个月投产,实现深亚微米超大规模集成电路自主生产[11] - 上海已形成300余家企业的完整集成电路产业链,产能占全国三分之一[11] 核心技术突破 - 1964年成功研制甲种分离膜元件,性能超越苏联产品,使中国成为全球第四个掌握浓缩铀生产技术的国家[5] - 1975年在自制20万电子伏特离子注入机上完成氖离子背面注入损伤吸收实验,成果获国际同行关注[7] - 1985年创建中科院离子束开放实验室,研究成果获10项奖励,SOI材料实现产业化并获国家科技进步一等奖[8] 当前产业挑战 - 集成电路生产线80%产能服务于国外设计公司[11] - 中国集成电路市场规模全球第一但自供率仅15%[11] - 需加强整机、集成电路设计与制造的有机连接以实现技术超越[11] 国际竞争格局 - 国际离子束领域两大主要学术会议(离子注入技术和离子束材料改性)的国际委员会委员[8] - 半导体产业曾被起步更晚的新加坡、马来西亚超越[10]