英特尔与软银合作开发新型堆叠DRAM - 英特尔与软银联合成立Saimemory公司 致力于开发基于英特尔技术和日本高校专利的堆叠DRAM原型芯片 目标替代当前AI处理器广泛使用的HBM芯片 [1] - 项目计划2027年完成原型开发并评估量产可行性 商业化目标定于2030年前 [1] - 新型堆叠DRAM通过改进内部布线方式 预计功耗将比同类HBM芯片减少50% [1] 技术背景与行业现状 - HBM芯片存在制造工艺复杂 成本高 发热量大 功耗偏高等问题 当前全球仅三星 SK海力士和美光三家能量产最新一代HBM [1][2] - 软银表示若项目成功将优先获得芯片供应 合作方计划以日本数据中心市场为切入点 进而扩大全球影响力 [2] - 日本企业曾在1980年代占据全球70%存储芯片市场份额 但后期因韩国和台湾厂商竞争而退出主流市场 此次合作标志着日本试图重返存储芯片供应商行列 [2] 竞争格局与技术差异 - 三星去年已宣布开发3D DRAM和堆叠DRAM计划 NEO Semiconductor也在推进3D X-DRAM研发 但这些项目主要聚焦提升单芯片容量至512GB/模块 [2] - Saimemory的核心技术差异化在于优先解决功耗问题 而非容量提升 这直接针对数据中心在AI计算场景下的能耗痛点 [2]