如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 韩美半导体于11月4日宣布，计划从2026年底开始向主要客户供应用于下一代HBM芯片生产的宽 温控键合机。该温控键合机是制造用于人工智能（AI）半导体的HBM芯片的核心设备，其工艺流 程中，通过施加精确的温度和压力，将垂直堆叠的DRAM芯片键合在一起。 韩美半导体将于2026年底前推出专为下一代高带宽内存（HBM）市场打造的专用设备"宽温控键合 机"。业界预计该设备将从HBM5（第八代）开始全面应用。此举是对宽温HBM技术转型的先发制 人，宽温HBM通过横向扩展芯片面积来应对现有DRAM垂直堆叠方式的局限性。 近年来，存储器行业一直在寻求新的突破，以满足HBM对更高容量和更快速度的需求。随着HBM 向 下 一 代 产 品 演 进 ， 对 更 大 存 储 容 量 和 更 快 数 据 处 理 速 度 的 需 求 日 益 增 长 ， 但 堆 叠 超 过 20 层 DRAM的高堆叠方式正变得越来越具有挑战性。目前，业界正致力于开发宽HBM，即通过水平方 向扩展HBM芯片面积，而非垂直堆叠。 当HBM芯片面积增大时，硅通孔（TSV）和输入/输出（I/O）接口的数量可以稳定增加。 ...