烧结银技术概述 - 烧结银技术是一种新型无铅化芯片互连技术，通过低温烧结（<250℃）微米级银颗粒实现耐高温（>700℃）和高导热（>200W/m·K）的连接界面 [3] - 技术发展始于20世纪80年代末，从实验室研究逐步走向工业应用，近年得到广泛推广 [4] - 核心原理依赖原子扩散机制，在低温下形成高导电性、导热性和机械强度的烧结颈结构 [5] 烧结银技术优势 - 高工作温度：满足碳化硅/氮化镓功率模块高温需求，保持连接稳定性 [7] - 高热导率：导热率超200W/m·K，显著优于传统焊料（30-50W/m·K） [7] - 高可靠性：熔点961℃，避免焊料热疲劳效应，适用于航空航天等高要求场景 [7] - 环保特性：不含铅等有害物质，替代高铅焊料 [8] 电动汽车应用场景 - 主驱逆变器采用TPAK、HPD、DCM三种封装模块，提升系统效率8%-12% [10][11][12] - TPAK模块尺寸20mm×28mm×4mm，支持多芯片并联适配400V/800V平台，但设计门槛高 [14] - HPD模块耐压1200V-1700V，电流达1000A以上，适合重卡但尺寸偏大 [15][17] - DCM模块杂散电感<5nH，热阻降低30%，适合欧洲车型但电流能力有限（20A-600A） [20][21] 帝科湃泰产品布局 - 全球电动车烧结银市场规模2030年或达200亿元，单车价值300-1000元 [23] - 压力烧结银DECA610-02T：230℃低温烧结，气孔率<1.2%，通过TC2000测试 [25][32][35] - 大面积压力烧结银DECA610-11W：200℃烧结，气孔率<2%，适用AMB基板 [36][40] - 无压烧结银DECA600-08B120：导热率200W/m·K，通过TC1000测试 [41][42] 行业发展趋势 - 碳化硅功率半导体革命加速，800V高压快充推动烧结银技术替代传统焊料 [1][10] - 公司持续开发烧结铜技术，布局功率半导体长期需求 [45]