文章核心观点 - 美银研究报告预测全球DRAM行业将在2026-27年开启史上最强超级周期，行业正从传统周期性产业向AI驱动的成长性赛道蜕变 [1] 超级周期的驱动因素 - AI需求爆发、供应结构性短缺与技术迭代形成三重共振，推动行业进入高质量增长阶段 [1][2] - 首要驱动是AI内存需求爆发式增长：AI加速器对HBM、GDDR7等高端内存搭载量呈数倍提升，单台AI服务器HBM搭载量已从早年的340GB增至1.17TB，需求从传统PC、手机转向AI主导的多元化矩阵 [3] - 供应端结构性收缩与约束加剧短缺：资本支出向高端领域倾斜，传统DRAM产能收缩，新型内存良率低、生产周期长，截至2025年末DRAM和NAND库存仅维持3-4周，主要晶圆厂利用率接近满负荷 [4] - 价格上涨形成强劲盈利弹性：2025年第四季度传统DRAM合约价环比上涨30%+，2026年第一季度再涨15%+，16Gb DDR5现货价突破30美元，较2025年初涨幅超500% [5] - 资本支出结构优化锁定长期格局：尽管SK海力士2026年资本支出预计翻倍至35万亿韩元，但主要用于HBM产能扩张，晶圆产能年均扩张仅6.5万片/月，对全球供给影响有限 [6] - 技术迭代提升行业壁垒：HBM4、GDDR7等技术门槛高，SK海力士在HBM领域市场份额达60%+，且量产进度领先竞争对手1-2个季度，行业从价格竞争转向技术竞争 [7] 行业市场预测 - 全球DRAM销售额预计从2025年的1303亿美元飙升至2026年的2098亿美元，同比暴涨61%，2027年预计进一步增至2314亿美元 [1] - 全球HBM销售额2026年将达550亿美元，同比增长59%，2027年进一步增至650亿美元，2025-28年复合增长率达40% [14] - HBM4带宽达2.0-2.8TB/s，是传统DDR5的数倍，下一代AI加速器HBM搭载量将从当前的288GB提升至384GB甚至1TB [14] 核心公司分析 - **SK海力士**：作为全球内存行业首选标的，核心优势在HBM领域绝对领导地位，连续两年占据全球60%以上HBM市场份额，HBM4量产领先竞争对手两个季度 [10] - SK海力士2026年营业利润预计达86.2万亿韩元，较2025年翻倍，DRAM ASP同比涨幅预计达36%，HBM利润率超60% [5][10] - 美银将SK海力士目标价上调至100万韩元，对应2026年预期市净率3.9倍 [10] - **三星电子**：凭借每月超100万片的全球最大内存产能，在价格上行周期中具备显著弹性，2025年第四季度DRAM提价力度高于行业平均水平 [12] - 三星电子内存业务营业利润2026年预计增至72.5万亿韩元，HBM业务增速预计达62%，HBM市场份额为20%+ [5][12] - 美银将三星电子普通股目标价上调至17万韩元，优先股目标价至13.6万韩元，GDR目标价至3000美元 [12] - **南亚科技**：在主流厂商放弃传统DRAM之际，聚焦DDR3、DDR4等legacy产品，成为细分领域核心供应商 [14] - 南亚科技2026年ASP预计上涨6%，营业利润率有望突破40%，较2023-25年状态实现根本性反转 [14] - 美银将南亚科技目标价上调至235新台币，对应2026年预期市净率3.5倍 [14] HBM细分赛道格局 - HBM已成为内存行业增长最快的细分领域，行业平均营业利润率超40%，SK海力士更是高达63% [14][15] - 竞争格局呈现“一超多强”：SK海力士2026年HBM销售额预计达293亿美元，市场份额维持53%，三星份额有望提升至25%，其他厂商合计份额22% [15]