公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ： 内容来自all about circuits 。 1970 年，英特尔推出了 1103 芯片，这是第一款在商业上取得成功的 DRAM 芯片，也是半导体存储 器首次在价格、密度和逻辑兼容性上全面超越磁芯存储器。 在 1970 年代初期，大多数数字系统仍在使用磁芯存储器——由人工手工编织的铁氧体环网格组成。 它可以工作，但体积庞大、价格昂贵，且制造过程极其耗费人力。如果半导体存储器想要真正取代磁 芯存储器，它不仅要匹配磁芯的性能，还必须在成本上更具优势。 这正是 1970 年 10 月发布的英特尔 1103 所要实现的目标。在与霍尼韦尔（Honeywell）的比尔·雷 吉茨（Bill Regitz）和鲍勃·普罗布斯廷（Bob Proebsting）合作下，1103 采用了三晶体管（3T）动 态单元设计，在复杂度和面积上做出权衡，以提高可制造性。它的初始售价仅为 60 美元（折合约每 比特 1 美分），远低于磁芯存储器。随着良率提高，到 1973 年成本已降至约 4 美元一片。 尽管起步艰难，1103 仍成为第一款被广泛使用的半导体 DRAM，也是第一款在技 ...