来源：内容 编译自semiwiki 。 21 世纪初，摩尔定律（即芯片上晶体管数量大约每两年翻一番的定律）正面临生存危机。随着半 导体节点缩小到 90 纳米以下，平面晶体管面临着诸多问题：漏电流飙升、功率效率骤降，以及微 缩变得难以为继。被誉为"鳍式场效应晶体管之父"的胡正明博士，发明了鳍式场效应晶体管，彻底 改变了半导体设计，为摩尔定律注入了新的活力，开启了现代计算时代。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 胡厚崑的创新不仅仅是技术层面的，更是一场范式转变。FinFET 需要重新思考晶体管架构、制造 工艺和设计工具。其 3D 结构需要精密的光刻技术和高 k 电介质等新材料来控制电容。台积电的 7 纳米 FinFET 节点为苹果 A12 仿生等芯片提供动力，实现了每平方毫米超过 9000 万个晶体管的 密度，这在平面技术下是难以想象的。到 2025 年，FinFET 仍将是先进节点的支柱，台积电的 3 纳米工艺将把密度推高至每平方毫米 2 亿个晶体管，推动人工智能、5G 和高性能计算 (HPC) 应 用的发展。 除了技术层面的贡献，胡厚崑的工作还产生了经济和社会影响。FinFET 延续了摩尔定律的有效 ...