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超晶格城堡场效应晶体管(SLCFET)
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6G芯片,新突破
半导体行业观察· 2025-05-22 10:13
半导体技术突破 - 布里斯托大学主导的研究在《自然电子学》发表 展示半导体技术根本性突破 将加速自动驾驶 远程医疗 虚拟体验等未来技术的实现[1] - 该技术突破可显著提升数据通信传输能力 通过创新物理方法实现全球数十用户间的加速数据传输[1] - 研究团队预测未来十年内 该技术将彻底改变人类体验 包括远程医疗诊断手术 虚拟教育 虚拟旅游等应用场景[1] 6G通信技术发展 - 5G向6G演进需要半导体技术全面升级 关键元件氮化镓(GaN)射频放大器需具备更高速度 功率及可靠性[2] - 国际团队开发出新型GaN放大器架构 利用锁存效应将器件性能提升至新高度 采用亚100纳米侧鳍结构的并行通道设计[2] - 超晶格城堡场效应晶体管(SLCFET)技术在W波段(75-110GHz)展现最高性能 使用超过1000个宽度小于100纳米的鳍片驱动电流[2] 器件可靠性研究 - 通过3D建模验证锁存效应 长期测试表明该效应不影响器件可靠性与性能 关键保障在于每个鳍片周围的薄介电涂层[3] - 研究团队下一步将提升器件功率密度以服务更广泛用户 同时推进该技术的商业化应用[3] - 布里斯托大学在电气性能与效率提升领域保持领先 重点开发净零排放 通信及雷达用下一代半导体器件[3]