半导体技术突破

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恒生科技指数低开高走,华虹半导体等芯片股走强,半导体行业国产化持续推进
每日经济新闻· 2025-07-11 11:30
恒生科技指数表现 - 恒生科技指数7月11日早盘低开高走 盘中一度涨超1.5% [1] - 成分股中阿里巴巴等科网股走高 华虹半导体 中芯国际等芯片股走强 "蔚小理"等造车新势力集体上扬 [1] - 恒生科技指数ETF(513180)交投活跃 盘中成交额突破27亿元 [1] 台积电财报数据 - 台积电6月营收2637.1亿元新台币 环比减少17.7% 同比增26.9% [1] - 上半年营收17730.46亿元新台币 同比增40.0% [1] - 公司重申全年美元营收增长预估为24%~26% [1] 半导体行业趋势 - 大国博弈推动半导体技术加速突破 外购芯片比例下降 [1] - 外购芯片比例预计从2024年63%降至2025年42% [1] - 行业进入结构性变革期 中国企业加速关键技术突破 [1] 港股科技板块估值 - 恒生科技指数ETF标的指数最新估值19.69倍 处于发布以来7.4%分位点 [2] - 当前估值低于指数发布以来92%以上的时间 [2] - 板块具备高成长高弹性特质 利好事件或催化上涨 [2]
另类视角看中芯:港 A 价差背后,信仰鸿沟多大?
海豚投研· 2025-06-20 19:46
核心观点 - 中芯国际作为国内半导体行业龙头,承担着国产替代和技术突破的重任,但商业模式上呈现"无底洞"式投入特征,需持续依赖外部输血[5][9][19] - 港股与A股估值差异源于资金属性不同:内资视其为稀缺战略资产,外资则更关注投资回报周期和汇率风险[39][41][42] - 公司合理估值区间应在1-2倍PB,超过2倍则包含过多乐观预期,低于1倍具备更高弹性[50][52][53] - 当前商业模式下,公司自由现金流持续为负,预计2025-2026年将出现资金缺口[31][33] 商业模式分析 - 收入端6年增长2.5倍至2024年80亿美元,年复合增速16%,但资本开支同期增长4倍至73亿美元[9] - 2024年资本开支占收入比超90%,现金性利润38亿美元仅为资本开支的52%[10] - 晶圆代工行业特性决定必须持续高投入:设备占CapEx超90%,制程需2-3年升级一次[13][14][15] - 对比台积电50%+毛利率和366亿美元经营利润,中芯国际18%毛利率显示盈利能力的显著差距[16][17] 融资结构 - 2018-2024年三大融资渠道:股权融资84亿美元(含科创板IPO募资75亿),债权融资94亿美元,国有注资94亿美元[21][23][24][25] - 国有注资主要来自国家集成电路产业基金和各地国资,2020-2024年通过子公司融资76亿美元[27][28][29] - 2024年国有注资骤降至2.8亿美元,较2020年26亿美元大幅减少[30] - 按当前消耗速度,预计2026年现金储备将降至30亿美元以下,需新一轮融资[33][34] 估值差异分析 - 港股中芯国际南向资金持股占比达30%,显著高于其他公司,成为边际定价资金[44][46] - 内资视角:长周期信念投资,包含技术突破和国产替代预期[40][41] - 外资视角:资产不稀缺(可选台积电/三星等),且需承担汇率风险和资金成本[41] - 当前PB为2倍,高于联电1.5倍和格芯1.9倍,但显著低于台积电7.7倍[52] 同业比较 - 收入规模:中芯80亿美元 vs 联电77.6亿美元 vs 格芯67.5亿美元[53] - 制程进展:中芯14nm量产,少量7nm;联电22/28nm为主;格芯放弃7nm以下[53] - 毛利率:中芯18% vs 联电32% vs 格芯24.5%,反映技术差距[53] - 客户结构:中芯以大陆客户为主,联电/格芯客户分布全球化[53] 投资逻辑 - 技术突破前本质是周期股,合理PB区间1-2倍,低于1倍具备更高弹性[50][54] - 2倍PB以上易因周期属性导致投资者"站岗",中线持有收益有限[54] - 需区分长期战略价值与短期投资回报,避免用长期逻辑做短期决策[48][54]
6G芯片,新突破
半导体行业观察· 2025-05-22 10:13
半导体技术突破 - 布里斯托大学主导的研究在《自然电子学》发表 展示半导体技术根本性突破 将加速自动驾驶 远程医疗 虚拟体验等未来技术的实现[1] - 该技术突破可显著提升数据通信传输能力 通过创新物理方法实现全球数十用户间的加速数据传输[1] - 研究团队预测未来十年内 该技术将彻底改变人类体验 包括远程医疗诊断手术 虚拟教育 虚拟旅游等应用场景[1] 6G通信技术发展 - 5G向6G演进需要半导体技术全面升级 关键元件氮化镓(GaN)射频放大器需具备更高速度 功率及可靠性[2] - 国际团队开发出新型GaN放大器架构 利用锁存效应将器件性能提升至新高度 采用亚100纳米侧鳍结构的并行通道设计[2] - 超晶格城堡场效应晶体管(SLCFET)技术在W波段(75-110GHz)展现最高性能 使用超过1000个宽度小于100纳米的鳍片驱动电流[2] 器件可靠性研究 - 通过3D建模验证锁存效应 长期测试表明该效应不影响器件可靠性与性能 关键保障在于每个鳍片周围的薄介电涂层[3] - 研究团队下一步将提升器件功率密度以服务更广泛用户 同时推进该技术的商业化应用[3] - 布里斯托大学在电气性能与效率提升领域保持领先 重点开发净零排放 通信及雷达用下一代半导体器件[3]